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公开(公告)号：CN104844215A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510222022.7
申请日：2015-05-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高致密ZrC陶瓷靶材的制备方法，该方法是：将装有ZrC微粉的石墨磨具放入等离子活化烧结炉的腔体中，在氩气气氛下以150～300℃/min的升温速率升温至1800～1900℃，保温4～6分钟，施加10～30MPa的轴向压力；然后试样随炉冷却至室温，获得所述ZrC陶瓷靶材。本发明中制备的ZrC陶瓷靶材物相单一、尺寸大，而且在不掺加任何烧结助剂的情况下依然有着较高的致密度(>94％)，应用前景十分广阔。
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公开(公告)号：CN104529456A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410724820.5
申请日：2014-12-03
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/58 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种B4C-HfB2高温共晶自生复合陶瓷的制备方法。该复合陶瓷通过改变碳化硼与硼化铪二者之间的比例，制得均匀分布的共晶结构，其中硼化铪的摩尔含量为10％-50％。其具体制备方法为将碳化硼粉末和硼化铪粉末混合均匀，然后将混合后的粉体在室温下冷等静压成直径为10mm的片状，通过电弧熔炼法，制备出B4C-HfB2共晶复合材料。本发明与传统的固相烧结方法相比，制备方法简单，制备周期较短，且制备出的B4C-HfB2复合陶瓷材料致密度高，具有更优异的高温性能。另外，该材料兼具HfB2和B4C的性能优点，可用作超高温陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN104498873A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410712152.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制BxC薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的Bx1C薄膜。本发明方法克服了传统沉积技术中，由于靶材成分单一以及原子迁移性能力不同容易导致硼元素缺少，仅能制备成分结构单一的低硼碳比薄膜的不足，通过设计二元靶材的硼碳比，控制靶基距、沉积温度、激光能量等沉积条件，得到一种高沉积速率的碳化硼薄膜制备方法，该方法制备得到的碳化硼薄膜组分可控、薄膜质量好、具有高B/C比且该比例连续可调。
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公开(公告)号：CN103319850B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310207451.8
申请日：2013-05-29
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种低密度（密度小于1g/cm3）耐烧蚀（900℃时残重率大于70%）聚合物基组合物，该聚合物基组合物由硼酚醛树脂、改性空心酚醛微球、改性空心陶瓷微球、玻璃料、溶剂等组成，各组分质量份数为：硼酚醛树脂100份，改性空心酚醛微球10～45份，改性空心陶瓷微球5～40份（改性空心酚醛微球与改性空心陶瓷微球质量份数之和小于50份），玻璃料5～15份，无水乙醇100份；空心酚醛微球和空心陶瓷微球协同作用，提高材料耐烧蚀综合性能；玻璃料熔融时抑制酚醛微球和聚合物基体的氧化和裂解，起到保护作用和增强作用。
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公开(公告)号：CN103214264B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201310157262.4
申请日：2013-04-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明是一种高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法，其原理为利用造孔剂和磷酸盐粘结作用在较低温度下形成高孔隙率的氮化硅多孔结构，在后续高温烧制过程中利用纳米硅粉的氮化原位生成氮化硅纳米线，起到增强多孔陶瓷力学性能的作用；具体过程为：将高纯纳米硅粉、α-氮化硅陶瓷粉、造孔剂、氧化物粉、液体磷酸进行球磨混合，经冷等静压处理，低温热处理后高温烧制，得到高孔隙率（≥40%）、高强度（≥50MPa）的氮化硅纳米线增强的氮化硅多孔陶瓷。本发明设备工艺简单，操作方便，无环境污染，成本低廉，所制备的高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于航空航天和高温烟气过滤等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103952676A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191839.8
申请日：2014-05-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种在电极材料上沉积b轴取向的BaTi2O5薄膜的制备技术。将BaTi2O5陶瓷采用激光脉冲沉积或磁控溅射的方式沉积在镀有Pt电极的基片上，得到非晶态的BaTi2O5薄膜；然后将沉积有薄膜的基片放在900-1000℃炉中退火，退火时将样品放在直流电场中，场强为200-3000V/cm，退火1-2小时即可得到高度b轴取向BaTi2O5薄膜。本发明可在Pt电极上制备出BaTi2O5薄膜，制备出的薄膜具有高度b轴取向；且本发明工艺简单，成本低廉，并可应用于制备其它取向薄膜，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103849824A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410086701.1
申请日：2014-03-11
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C22C49/10 , C22C47/14 , C22C47/04 , C22C101/10 , C22C121/02
Abstract: 本发明是一种CNT增强W-Cu热用复合材料的制备方法，具体是：采用包覆的方法制备Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末，然后将Cu@CNT复合包覆粉末和Cu@W复合包覆粉末按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%、Cu@W=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述CNT增强W-Cu热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强W-Cu复合材料，具有热导率高、W和Cu界面之间结合力强等优点。
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公开(公告)号：CN103668085A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310619627.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光沉积装置，包括沉积腔以及设于沉积腔内的靶材和基板座，所述的基板座与靶材相对设置，沉积腔腔体上设有与靶材倾斜相对的光学窗口，用于入射脉冲激光以轰击靶材，靶材烧蚀后产生等离子气并到达基板座上的基板表面，作用生成目标薄膜，所述的靶材为圆盘状，包括多种不同材料的扇形体；由于靶材是多种不同单元材料构成的多元靶材，绕中心轴旋转时，脉冲激光光束周期性照射在各单元靶材表面，由各单元靶材产生的等离子气在基板上进行自组装，形成所需的目标薄膜材料，通过调整多元靶材中的不同材料的面积比，即可得到任意比例的薄膜。
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公开(公告)号：CN103572087A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310603256.7
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及铝基复合材料及其制备技术领域，具体公开了碳化硼颗粒增强铝基复合材料及其制备方法，该复合材料以铝合金作为基体，用作增强相的碳化硼的质量分数为2.5～30%，碳化硼颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为将碳化硼粉末和铝合金粉末混料，并通过表面活化、等离子活化烧结和热处理，制备出接近全致密的烧结试样。本发明制备铝基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，力学性能优异，并且操作简单，可控性好，是一种轻质高性能铝基复合材料。
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