公开(公告)号：CN105047725A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510308843.2

申请日：2015-06-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  中国人民解放军军械工程学院

Inventor： 王广龙 ,  董宇 ,  倪海桥 ,  陈建辉 ,  高凤岐 ,  乔中涛 ,  裴康明 ,  牛智川

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/882 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66219

Abstract: 本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构，以此抑制探测器的散粒噪声，并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压，近红外光从集电极入射，并在吸收层产生光生电子一空穴对，光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移，并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积，进而改变了三势垒结构两侧的电势，增大了隧穿电流。探测器在室温下具有很高的响应度。

公开(公告)号：CN104659146A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510098628.4

申请日：2015-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 裴康明 ,  倪海桥 ,  詹锋 ,  董宇 ,  牛智川

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/03529

Abstract: 一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明能够更好地影响双势垒结构的电势，进而增大光生电流，产生明显的可探测电信号。探测器在室温下具有很高的响应度和灵敏度。

公开(公告)号：CN104659145A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201510098629.9

申请日：2015-03-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 裴康明 ,  倪海桥 ,  詹锋 ,  董宇 ,  牛智川

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304

Abstract: 一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂，基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。

公开(公告)号：CN103531679A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310503124.7

申请日：2013-10-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 喻颖 ,  査国伟 ,  徐建星 ,  尚向军 ,  李密锋 ,  倪海桥 ,  贺振宏 ,  牛智川

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L33/0066 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/30

Abstract: 一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。

公开(公告)号：CN103489937A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310473487.0

申请日：2013-10-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓红 ,  聂诚磊 ,  史章淳 ,  倪海桥 ,  韩勤

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/109 ,  G01J11/00

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/112

Abstract: 本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器，所述光子探测器基于源漏沟道结构，且源漏沟道为非对称结构，所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控，光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包括二维电子气形成层或二维电子空穴形成层、光吸收层、量子点电荷限制层和表面盖层，所述二维电子气形成层包括异质结和掺杂层。器件高灵敏度光传感功能在于：源漏之间几十到百纳米量级的导电通道的宽度将受到源漏电压的自身调控，二维电子气的临近位置的量子点在有光入射的情况下将限制单个的电荷，这将极大改变纳米沟道的开关状态，形成沟道电导的巨大变化，从而完成高灵敏度光探测。

公开(公告)号：CN102832538A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210333043.2

申请日：2012-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 倪海桥 ,  丁颖 ,  李密锋 ,  喻颖 ,  査国伟 ,  牛智川

IPC: H01S5/30

Abstract: 一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。

公开(公告)号：CN1624996A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200310119746.6

申请日：2003-12-04

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  徐晓华 ,  倪海桥 ,  徐应强 ,  韩勤 ,  吴荣汉

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

Abstract: 一种高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构，其中包括：一过渡层，在衬底表面形成完整晶体表面；一第一势垒层，形成对载流子的能量势垒，该第一势垒层制作在过渡层上面；一量子阱层，起到将发光载流子限制在该层内的作用，该量子阱层制作在势垒层上面；一第二势垒层，形成与上势垒层对称的能量势垒，该第二势垒层制作在量子阱层上面；一表面覆盖保护层，用于保护量子阱结构，和制备接触电极，该表面覆盖保护层制作在第二势垒层上面。

公开(公告)号：CN1548576A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03136238.9

申请日：2003-05-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 牛智川 ,  倪海桥 ,  徐晓华 ,  徐应强 ,  张纬 ,  韩勤 ,  吴荣汉

IPC: C23C14/54 ,  C23C16/52

Abstract: 一种气源炉瞬态开关控制真空装置，包括：一不锈钢超高真空腔体；一气动阀，与不锈钢超高真空腔体的一端连接；一气态束源炉，安装在不锈钢超高真空腔体内；一气动阀门，与不锈钢超高真空腔体的中段连接；一真空泵，与气动阀门的另一端连接；一手动阀，与不锈钢超高真空腔体的另一端连接；一质量流量计，与手动阀连接；一手动阀门，与质量流量计连接；一气体管路，其两端分别与质量流量计和手动阀门连接；一气体容器，与手动阀门连接；一超高真空腔体，与气动阀连接，该超高真空腔体接有一高真空泵；一计算机分别控制质量流量计、气动阀和气动阀门，实现气流方向通入超高真空腔体或切换到旁路真空泵。