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公开(公告)号：CN101410952B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200780004018.7
申请日：2007-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , C23C14/34 , C23C14/54 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , H01J37/321 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J37/34 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。
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公开(公告)号：CN101490818A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027573.1
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76867 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。
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公开(公告)号：CN101490817A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027502.1
申请日：2007-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/28556 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置和计算机程序。制造铜膜与其基底膜的密合性良好而且配线间的电阻小的半导体装置。将包括吸收有大气中的水分的多孔质绝缘膜(SiOC膜11)，在该绝缘膜上形成有槽(100)的基板(晶片W)载置在处理容器内。在基板上被覆由阀金属构成的第一基底膜(Ti膜13)。由从绝缘层释放出的水分，氧化与绝缘膜接触的第一膜的表面形成钝化膜(13a)。在第一基底膜的表面被覆由阀金属的氮化物或者碳化物构成的第二基底膜，利用以铜的有机化合物为原料的CVD法在第二基底膜的表面形成铜膜(15)。
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公开(公告)号：CN101432459A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780014788.X
申请日：2007-04-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: C23C14/046 , C23C14/345 , C23C14/3471 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。
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公开(公告)号：CN100472724C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480028499.1
申请日：2004-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 松田司 , 池田太郎 , 波多野达夫 , 立花光博 , 山崎英亮 , 格特·J·莱乌辛克 , 芬顿·R·麦克非 , 桑德拉·G·马尔霍特拉 , 安德鲁·H·西蒙 , 约翰·J·尤尔坎斯
IPC: H01L21/285 , C23C16/16 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/16 , C23C16/45523 , H01L21/28562
Abstract: 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101044259A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200580035907.0
申请日：2005-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34 , H01L21/3205 , C23C14/14 , H01L23/52 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/2855 , C03C17/09 , C03C2218/153 , C03C2218/33 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/345 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/32706 , H01J37/34 , H01L21/2885 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN1906325A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001875.2
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
CPC classification number: C23C16/5096 , C23C16/02 , C23C16/16
Abstract: 本发明提供了一种用于在衬底上形成具有改进的形态的金属层的方法和处理设备。该方法包括：通过将衬底暴露至等离子体中的受激态物质来预处理衬底；将预处理的衬底暴露至包含羰络金属前体的处理气体；并且通过化学气相沉积处理在预处理的衬底表面上形成金属层。所述羰络金属前体包括W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6或Ru3(CO)12或其任意组合，并且金属层可以分别包含W、Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr或Ru或其任意组合。
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公开(公告)号：CN112652513B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202011046684.0
申请日：2020-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置，能够维持等离子体电子密度并且降低等离子体电子温度。在处理基片的处理容器内使用等离子体进行的处理方法，其包括：将气体供给到上述处理容器内的步骤；和对上述处理容器内间歇地供给从多个微波导入组件输出的微波的功率的步骤，上述间歇地供给微波的功率的步骤，周期性地使多个上述微波导入组件的所有微波的功率的供给成为关断给定时间的状态。
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公开(公告)号：CN114107950B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202110949684.X
申请日：2021-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够以短间隔且均匀性高地对基片实施低损伤的ALD处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置包括：腔室，其具有对基片实施等离子体处理的处理空间和合成电磁波的合成空间；分隔处理空间和合成空间的电介质窗；天线组件，其具有对合成空间辐射电磁波的多个天线，作为相控阵天线发挥功能；对天线组件输出电磁波的电磁波输出部；在处理空间中载置基片的工作台；气体供给部，其对处理空间供给用于进行ALD成膜的气体；以及控制部，控制部控制从气体供给部的气体的供给以实施ALD成膜，并且进行控制以使得天线组件作为相控阵天线发挥功能而在处理空间中局域化的等离子体高速地移动。
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公开(公告)号：CN112509900B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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