核电站燃料包壳用锆铌铜铋合金

    公开(公告)号:CN105018794A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510399305.9

    申请日:2015-07-09

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E30/40

    Abstract: 本发明涉及一种用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料锆铌铜铋合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.7%~1.2%Nb,0.05%~0.6%Cu,0.05%~1.0%Bi,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.8%~1.2%Nb,0.1%~0.4%Cu,0.1%~0.4%Bi。本发明的锆合金在400℃/10.3MPa过热蒸汽和360℃/18.6MPa去离子水中表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于Zr-1Nb合金,且加工性好,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。

    基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法

    公开(公告)号:CN103579477A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310534981.3

    申请日:2013-11-04

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: H01L33/382 H01L33/62 H01L2933/0016 H01L2933/0066

    Abstract: 本发明涉及了一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺。本发光二极管包括:倒装LED芯片、基板、荧光胶层三大部分组成。针对当前大功率LED存在的散热缺陷,提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装技术及其制造工艺,通过刻蚀技术或者激光技术分别在倒装LED芯片及硅基板上制作出盲孔电极、通孔焊盘,分别实现倒装发光二极管芯片、通孔基板,通过阻焊层形状的设计,可方便实现倒装芯片与通孔基板的自对位,而且本发明无需金丝键合,不仅工艺简单、成本低,而且此技术通过通孔提高了散热性能,提高了LED芯片封装的可靠性。

    核电站燃料包壳用含硫低Nb的锆锡铌合金

    公开(公告)号:CN103469010A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310398815.5

    申请日:2013-09-05

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E30/40

    Abstract: 本发明涉及一种能用作压水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含硫的锆锡铌合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.3%~1.5%Sn,0.1%~0.59%Nb,0.1%~0.6%Fe,0~0.3%Cr,0.0005%~0.06%S,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.5%~1.2%Sn,0.2%~0.5%Nb,0.2%~0.5%Fe,0~0.2%Cr,0.001%~0.05%S。本发明的锆合金在400℃过热蒸汽中均表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于ZIRLO合金,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。

    核电站燃料包壳用含锗的锆锡铌合金

    公开(公告)号:CN102605213A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201110428539.3

    申请日:2011-12-20

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E30/40

    Abstract: 本发明涉及一种能用作轻水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含锗的锆锡铌合金,属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为:0.3%~1.5%Sn,0.1%~1.2%Nb,0.03%~0.4%Fe,0.02%~0.3%Cr,0.01%~0.8%Ge,余量为Zr。合金元素优选范围为:0.5%~1.0%Sn,0.2%~1.0%Nb,0.1%~0.35%Fe,0.03%~0.2%Cr,0.05%~0.5%Ge。本发明的锆合金在360℃/18.6MPa/0.01MLiOH水溶液中均表现出优良的耐腐蚀性能,明显优于Zr-4合金,且加工性好,可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。

    模数直算转换法与模拟-数字级联转换器及其应用

    公开(公告)号:CN101394183B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN200810201969.X

    申请日:2008-10-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及模数直算转换法与模拟-数字级联转换器及其应用,属于信号测量与处理及电子设备技术领域。模数直算转换法将残差电压信号放大2倍作为级联信号,输出级联信号的范围与输入模拟信号的范围相同。模拟-数字级联转换器由结构参数完全相同的AD转换单元级联组成,多个AD转换单元级连成级联结构;而AD转换单元由电压比较器、电平转换环节、运算放大器及电阻组成,比较器则完成模拟输入信号的极性鉴别,电阻配合运放则完成残差计算与2倍放大功能,电平转换环节用于实现模拟电路与数字电路接口的电平匹配。

    多功能异形电桥
    86.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101666822B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200910196631.4

    申请日:2009-09-28

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及多功能异形电桥,属测量技术、自控技术与电子设备领域。单极型与双极型电桥各有对式、复式、链式及树式四种结构型式。单极型电桥由电阻、压控电流源、乘法器或跟随器等组成,双极型电桥由电阻、运放、乘法器或跟随器等组成。当电桥平衡时,每支桥臂或桥膊的电阻比值比值相等。压流桥臂、平衡桥膊、控源桥膊的电压、电流及功率测算非常简便;比例型控制器使桥臂桥膊激励独立控制,各个桥臂桥膊可以获得不同的可控功率;复式、链式与树式电桥可实现多支桥臂桥膊之间电阻阻值的关联运算。多功能异形电桥具有结构简单、功能丰富、适用范围广泛、使用方便等特点,具有很高的实用价值。

    过零检测器与边沿-脉冲转换器及其应用

    公开(公告)号:CN101398447B

    公开(公告)日:2011-03-30

    申请号:CN200810201970.2

    申请日:2008-10-30

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及过零检测与边沿—脉冲转换器及其应用,属信号变换、自动控制与电子设备领域。过零检测器由二极管、电阻、电压比较器组成,四个二极管组成整流桥,其一个交流输入端接为检测器的输入端、另一个接为接地,其直流输出端分别通过电阻接正负电源端,比较器的输入端接整流桥的直流输出端或接地,比较器的输出端接为检测器的脉冲输出端。边沿—脉冲转换器则由运算放大器、电容、电阻、过零检测器组成,运放的输入即为转换器的输入,检测器的输出即为转换器的输出,运放输出与检测器输入之间通过阻容串接。本转换器同时具有过零检测与边沿—脉冲转换功能,应用于大功率交流开关、交流移相调压控制器等装置,有广泛的应用价值。

    温偏函数发生器和零位与倍率温偏调整器及通用温度补偿器

    公开(公告)号:CN101860349A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010199708.6

    申请日:2010-06-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及温偏函数发生器和零位与倍率温偏调整器及通用温度补偿器,属信号变换、自动控制与测量技术领域。温偏函数发生器由运放、热敏元件、电阻、电位器等组成,可调倍率温偏发生器由温偏函数发生器与增益可调放大器组成,可调零位温偏发生器由温偏函数发生器或者可调倍率温偏发生器构成,零位温偏调整器由零位调合电路与可调零位温偏发生器组成,倍率温偏调整器由倍率调合电路与可调倍率温偏发生器组成,通用温度补偿器则由零位温偏调整器与倍率温偏调整器组成。温偏函数发生器及温度补偿器通过不同热敏特性的器件与不同处理电路的配合实现多样的温度补偿特性,可以满足多种测控电路或装置的需要。

    双极性零位与增益可调放大器及模拟信号调理器

    公开(公告)号:CN101847966A

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN201010199701.4

    申请日:2010-06-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及双极性零位与增益可调放大器及模拟信号调理器,特别是采用运放实现的放大倍数正负双极性可调与零位可调的电压放大器及带温度补偿与非线性校正的模拟信号调理器,属于信号变换运算与自动控制领域。双极性增益可调放大器有电压型、简约型、电流型、衰减型与统调型、分调型等几种形式,电压型、简约型、电流型、衰减型放大器采用单运放电路,统调型、分调型放大器则采用双运放电路,模拟信号调理器由零位温偏调整器与倍率调整器组成,双极性增益可调放大器是组成双极性零位增益可调放大器、模拟信号调理器的基础。本发明用途范围广、并具有较高的实用价值。

    单电源转为双电源的方法与电压跟随器和虚地伪地生成器及直流稳压电源

    公开(公告)号:CN101651412A

    公开(公告)日:2010-02-17

    申请号:CN200910053855.X

    申请日:2009-06-26

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: Y02E10/56

    Abstract: 本发明涉及单电源转为双电源的方法与电压跟随器和虚地伪地生成器及直流稳压电源,属自动控制、电源技术与电子设备领域。跨接在单电源的二个电源线之间二个串联电阻的公共端作为虚地Sgnd,经驱动生成伪地Pgnd,与单电源的二个电源线构成三线制的正负双电源系统。限流型电压跟随器由运放与电阻构成,而虚地伪地生成器由限流型电压跟随器与电阻构成,单输入双输出直流稳压电源由稳压集成电路、限流型电压跟随器或虚地伪地生成器、阻容等组成。本发明仅采用半导体器件与阻容元件构成,结构简单可靠、成本低廉、体积小、适用性强,在自控系统、电子电路与电子仪器设备等方面有广泛的应用价值。

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