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公开(公告)号：CN114925819B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210608814.8
申请日：2022-05-31
IPC: G06N3/063 , G06N3/0455 , G06N3/082 , H03M1/12
Abstract: 本发明提供一种感受稀疏性的神经网络运行系统及方法，包括：通过在神经网络突触区增加一行电子突触器件作为稀疏性感受区，且控制增加的电子突触器件的电导值一致，使得稀疏性感受区将输入信号对应的电压按比例转化为对应的电流，以在神经网络运行过程中感受输入信号的稀疏程度，通过预设的一个或多个阈值电压判断输入信号的稀疏程度，并根据判断的稀疏程度控制采样输出信号所需的ADC精度和相应的功耗，因而相较于传统的神经网络运行系统，本发明提升了神经网络运行能效。
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公开(公告)号：CN118073965A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410188617.4
申请日：2024-02-20
Applicant: 湖北江城实验室
Abstract: 本申请实施例公开了一种异质集成结构及其制备方法、半导体器件。所述制备方法包括：形成第一芯片，第一芯片包括第一半导体基材及位于第一半导体基材上的第一功能层和第一互连层，第一互连层包括第一介质层和位于第一介质层中的多个第一导电柱。形成第一晶圆，第一晶圆包括第二半导体基材及位于第二半导体基材上的第二功能层和第二互连层，第二互连层包括第二介质层和位于第二介质层中的多个第二导电柱。第一半导体基材与第二半导体基材不同。将第一芯片的第一互连层与第一晶圆的第二互连层键合，得到键合结构；第一芯片和第一晶圆通过第一导电柱和第二导电柱电连接。切割键合结构，形成异质集成结构。
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公开(公告)号：CN115020660B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210404309.1
申请日：2022-04-18
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料，首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而得到MnO2，再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨，从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合，得到PQ‑MnO2复合电极材料，其中PQ与MnO2的相互作用，提高了PQ的电压平台，且较单独的PQ或MnO2，复合材料的容量更高，循环稳定性更好。
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公开(公告)号：CN114229903B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202111395962.8
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理；(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理，得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点，而且MnO2表面有一层C膜，使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g，比容量保持率接近70％。
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公开(公告)号：CN116709787A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310643750.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 本申请涉及集成电路领域，公开了一种集成电路结构。集成电路结构包括：依次堆叠的第一逻辑芯片、第一存储芯片、第二存储芯片和第二逻辑芯片。其中，第一逻辑芯片，用于控制并直接访问第一存储芯片；第一存储芯片，用于存储动态数据；第二存储芯片，用于存储静态数据；第二存储芯片为相变存储器；第二逻辑芯片，用于控制并直接访问第二存储芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115879530A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310186971.9
申请日：2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法，主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理，在保证计算准确率和精度的情况下，减小阵列面积，降低系统功耗。本发明的有益效果是：本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络，在相同计算情况下，通过减半1T1R阵列规模，有效减少系统面积、降低系统能耗，提升系统计算效率，结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状，更适用于商业化落地；本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下，阵列规模是常规技术的一半，但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变，系统总体性能优势十分显著。
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公开(公告)号：CN115763016A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211701586.5
申请日：2022-12-28
IPC: H01F27/34 , H01F27/245 , H01F27/30 , H01F1/10 , H01F1/34
Abstract: 本发明提供了一种三维电感器及电子装置，所述三维电感器包括：基板，所述基板具有相对的第一面及第二面；线圈，由若干第一导线和若干第二导线依次连接而成，所述第一导线贯穿所述基板，所述第二导线沿所述第一面及所述第二面延伸；磁芯，设于所述基板内且被所述线圈环绕或包围，包括若干由锆钛酸铅薄膜形成的第一通磁面，所述第一通磁面平行于所述第一导线且若干所述第一通磁面形成环形结构。本发明中，采用锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁所形成的薄膜结构作为磁芯不仅在制作工艺上较为容易实现，还可同时提高三维电感器的电感值及品质因子。
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公开(公告)号：CN114361336B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202111641502.9
申请日：2021-12-29
Abstract: 本发明属于半导体信息存储技术领域，更具体地，涉及具有多值特性的SrFeOx阻变存储器、其制备和应用。该阻变存储器自下而上依次包括衬底、下电极、第一电阻变化层、第二电阻变化层和顶电极，第一电阻变化层和第二电阻变化层的材料为SrFeOm和SrFeO2.5，其中2.7≤m≤3，第一电阻变化层为第二电阻变化层形成导电丝与界面扩散提供所需的氧离子源。该SrFeOx阻变存储器通过结构设计能够具有四个稳定存在的电阻状态，解决了现有技术SrFeOx RRAM的器件目前只能形成高组态和低阻态两种状态，限制了其单位面积下器件存储容量的技术问题。
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公开(公告)号：CN114226984B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111478198.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/346 , B23K26/38 , B23K26/16 , B23K26/70 , B23K10/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽的第二凹槽，且所述第一凹槽的横向宽度大于所述第二凹槽的横向宽度，所述第二凹槽的边缘上方形成有熔渣；进行等离子切割工艺沿所述第二凹槽的底面向下开槽，形成第三凹槽，所述第一凹槽、所述第二凹槽及所述第三凹槽共同贯穿所述晶圆并构成切割道，同时去除所述第一凹槽和所述第二凹槽的边缘上方的熔渣。本发明有利于提高混合键合工艺的效果。
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公开(公告)号：CN115275026A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210917775.X
申请日：2022-08-01
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种2D/3D钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在2D钙钛矿层表面加盖载玻片使PEAI溶液与3D钙钛矿表面充分接触，使用PEAI作为2D钙钛矿阻挡层，在3D钙钛矿薄膜的顶部原位生长2D覆盖层，改进2D层的退火方法以及PEAI的浓度，使用低温碳浆料替代空穴传输层HTM以及金属电极，进而制备得到2D/3D钙钛矿太阳能电池。本发明使用低温碳浆料替代昂贵的空穴传输层HTM以及金属电极，避免了长时间放置金属电极与钙钛矿层相互渗透也大大缩减了实验成本。本发明制备的钙钛矿电池成本低、热稳定性显著提高，在70℃加热10h后仍能保持初始效率的90％，光电效率可达14.63％。
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