公开(公告)号：CN108700760B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201780013606.0

申请日：2017-02-23

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 菅野敦史 ,  川西哲也

IPC: G02F1/03 ,  H04B10/54

Abstract: 本发明提供一种通过使用高消光比调制器，即使使用通用的AD转换器和控制板，也能控制能够容易地实现所要求的消光比的偏置电压的方法、和实现该方法的装置。使控制电压的阶跃量(突变量)ΔV为半波电压VΠ[V]的0.1倍以下。例如，在寻找最小点的情况下，以当前的偏置电压为基准，计测施加比当前的偏置电压大阶跃电压ΔV的偏置电压和比当前的偏置电压小阶跃电压ΔV的偏置电压时的光强度，使偏置电压向其中小的一方移动。然后，反复执行以下处理：以该移动后的偏置电压为基准，比较位于左右相邻的电位的偏置点的光强度，改变成为基准的偏置电压。此时，也可以使ΔV按照规定的算法逐渐变小。

公开(公告)号：CN108702223B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201780010852.0

申请日：2017-02-06

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 张兵 ,  松田隆志 ,  加川敏规 ,  三浦龙

IPC: H04B13/00 ,  H02J50/05 ,  H02J50/10 ,  H02J50/70

Abstract: 为了提供能够在不使功率效率下降的前提下防止产生泄漏功率的、针对二维通信片的电力供给系统，具备：二维通信片(1)，其具有电介质层(11)、覆盖电介质层(11)的背面的第1导体层(12)、和覆盖电介质层(11)的正面并由网格状的布线构图构成的第2导体层(13)；以及馈电端口(16)，其用于向二维通信片(1)供给电力，具有：第1馈电板(163)，其以与第1导体层(12)分离的方式设置在背面侧；第2馈电板(164)，其以与第2导体层(13)分离的方式设置在正面侧的与第1馈电板(163)对置的位置上；第1馈电体(161)，其与第1馈电板(163)电连接；以及第2馈电体(162)，其与第2馈电板(164)电连接。

公开(公告)号：CN107615308B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201680027062.9

申请日：2016-05-10

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 神田直之

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/04 ,  G10L15/06 ,  G10L15/16

Abstract: 提供使基于时间序列的数据的循环神经网络(RNN)的学习高效化的学习方法。学习方法包含：步骤(220)，将RNN初始化；和学习步骤(226)，将某矢量指定为开始位置，将各参数最佳化，以使得误差函数最小化，由此进行RNN的学习。学习步骤(226)包含：更新步骤(250)，使用以被指定的矢量为开头的连续的N个(N≥3)矢量，通过将末尾的矢量的参考值设为正解标签的Truncated BPTT来更新RNN的参数；和第1重复步骤240，直到结束条件成立为止，都重复以下处理，即，新指定相对于更新步骤中使用的N个矢量的末尾的矢量处于满足给定的关系的位置的矢量来执行学习步骤的处理。处于满足给定的关系的位置的矢量是从被指定的矢量起至少2个以上后的矢量。

公开(公告)号：CN107427250B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201680019204.7

申请日：2016-04-05

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 西本伸志 ,  柏冈秀纪

IPC: A61B5/369 ,  A61B5/372 ,  A61B5/378 ,  A61B5/38

Abstract: 提供通过测量并解析脑活动来推测其感知语义内容的推测方法。(1)将训练用刺激使被试验者诱发的感知内容的语言记述以及检测到脑活动的脑神经活动检测单元的输出输入到数据处理单元，(2)在保存的语义空间中进行训练用刺激的语义空间表象和脑神经活动检测单元的输出关联起来并保存到训练成果信息存储单元，(3)将检测到新刺激诱发的脑活动的脑神经活动检测单元的输出输入到上述数据处理单元，关于上述新刺激所产生的脑活动的脑神经活动检测单元的输出，从上述关联得到表示感知语义内容的语义空间上的概率分布，(4)根据该概率分布，将盖然性高的内容推测为感知语义内容。也可以针对每个被试验者进行上述关联。在其盖然性的推测中，将根据提供的单词的语义空间上的坐标和上述概率分布计算的似然度作为指标。

公开(公告)号：CN107920773B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201780002397.X

申请日：2017-01-16

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 西本伸志 ,  西田知史 ,  柏冈秀纪

IPC: A61B5/0484

Abstract: 本发明提供素材评价方法，包含：脑活动检测步骤，脑活动检测部将训练用素材出示给被实验者并检测脑活动；含义空间构建步骤，含义空间构建部基于通过脑活动检测步骤检测的检测结果以及对训练用素材的内容进行自然语言处理得到的语言描述来构建表示脑活动与语言描述中出现的词的脑内含义关系的脑内含义空间；第一推定步骤，素材推定部根据对新素材的内容进行自然语言处理得到的语言描述，推定脑内含义空间中与新素材的内容对应的第一位置；第二推定步骤，目标推定部根据新素材的表示目标概念的目标词，推定脑内含义空间中与该目标词对应的第二位置；以及评价步骤，评价处理部基于通过第一推定步骤推定的第一位置以及通过第二推定步骤推定的第二位置来评价新素材。

公开(公告)号：CN111868612A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980016326.4

申请日：2019-03-01

Applicant: 帝人株式会社 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 高桥直 ,  山中克浩 ,  大友明 ,  山田俊树

IPC: G02F1/061 ,  C08G64/04

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电光效应的新型聚合物、这样的聚合物的制造方法以及使用这样的聚合物的光控制元件。本发明涉及一种含有具有电光特性的部位的非交联性聚碳酸酯。另外，本发明涉及一种聚碳酸酯的制造方法，其包含使双酚系化合物、具有电光特性的二醇系化合物和光气在缚酸剂和溶剂的存在下反应的工序。另外，本发明涉及一种含有这样的聚碳酸酯的光控制元件。

公开(公告)号：CN111182834A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201880058521.9

申请日：2018-07-13

Applicant: 国立大学法人大阪大学 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构 ,  PaMeLa株式会社

Inventor： 中江文 ,  成瀬康 ,  曽雌崇弘

IPC: A61B5/0484 ,  A61B10/00

Abstract: 本发明提供基于估计对象的脑波对该估计对象具有的疼痛进行判别或分类的方法。该方法包括：a)以多个等级的刺激强度刺激该估计对象的步骤；b)获得该估计对象的与该刺激强度对应的脑波数据或其分析数据的步骤；c)从该脑波数据或其分析数据中提取脑波特征量的步骤；和d)将该特征量引入稀疏模型解析中，使之近似于疼痛的量的等级和质的等级中的至少一个来对疼痛等级进行估计或判别的步骤。本发明还提供疼痛的判别或评价的方法，其包括如下步骤：将施加对象刺激后的、从诱发脑波成分、初期事件相关电位成分及250毫秒之中的最早时间点起2000毫秒期间的全部或一部分脑波数据或其分析数据、与从施加参考刺激起经相同时间后的脑波数据或其分析数据进行比较。

公开(公告)号：CN110869543A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880046032.1

申请日：2018-07-09

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社希克斯 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 仓又朗人 ,  渡边信也 ,  佐佐木公平 ,  八木邦明 ,  八田直记 ,  东胁正高 ,  小西敬太

IPC: C30B29/16 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体基板(1)，其是由单晶Ga2O3系基板(10)与多晶基板(11)接合而成的，单晶Ga2O3系基板(10)的厚度薄于多晶基板(11)的厚度，多晶基板(11)的断裂韧性值高于单晶Ga2O3系基板(10)的断裂韧性值。

公开(公告)号：CN110047922A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910099876.9

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 佐佐木公平 ,  东胁正高

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/04 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种高品质的Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET。Ga2O3系MISFET包括：β-Ga2O3系基板，其以β-Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；β-Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β-Ga2O3系基板的所述主面上，形成通道层；在所述β-Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及在所述源电极与所述漏电极之间的所述β-Ga2O3系单晶膜上介由栅极绝缘膜形成的栅电极。

公开(公告)号：CN109891498A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780065619.2

申请日：2017-11-06

Applicant: 国立研究开发法人情报通信研究机构

Inventor： 广江厚夫 ,  冈本拓磨 ,  木俵丰

IPC: G10L15/00 ,  G10L15/22 ,  G10L15/30

Abstract: 以往，在用户与语音对话装置之间的一系列的对话进行了一定程度之后，该用户或者其他用户无法对过去的对话的状况进行确认等。本发明的跨语言的语音对话系统在配对服务器接收到来自用户终端的指示的情况下，存储在存储介质中的对话信息被发送至用户终端，根据该语音对话系统，在用户与语音对话装置之间的一系列的对话进行了一定程度之后，该用户或者其他用户能够确认或者认知过去的对话的状况。