用以减少在集成电路内的静电放电保护的占用面积的方法和装置

    公开(公告)号:CN102301470B

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201080006080.1

    申请日:2010-01-07

    CPC classification number: H01L27/0266

    Abstract: 一种输入/输出(I/O)电路(100),其中具有一第一N通道金属氧化半导体(NMOS)场效晶体管(FET)(104),此者是藉一硅化物区块(102)而耦接于该输入脚针(110)。一第一P通道金属氧化半导体(PMOS)FET(106)是经直接地耦接于该输入脚针,其N电井是经电气耦接于一ESD电井偏压电路(124)。一NMOS低电压差分信号(LVDS)驱动器(222)亦经直接地连接于该输入脚针,并且具有多个串接的NMOS FET(224、226)。该LVDS驱动器的第一NMOS FET(224)是经制作于一经电气耦接于接地的第一P分接保护环(308)以及一经耦接于该ESD电井偏压的N电井保护环(312)之内。该LVDS驱动器的第二NMOS FET(226)是经制作于一经电气连接于接地的第二P分接保护环(324)之内。

    集成电路中的可调整共振电路

    公开(公告)号:CN103404024A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201180048846.7

    申请日:2011-08-31

    Abstract: 一种可调整共振电路(102),其包括第一电容器(104、108、216、228、232)和第二电容器(106、110、218、230、234),所述第一电容器和第二电容器的第一电极与第二电极之间具有匹配电容。深井配置包括第一井(320、326),所述第一井设置在基板(324)中的第二井(322、328)内。所述第一电容器和第二电容器各自设置在所述第一井上。第一晶体管(120、130)的两个通道电极分别耦合到所述第一电容器的第二电极(114、304)和所述第二电容器的第二电极(118、308)。第二晶体管(122、132)的两个通道电极分别耦合到所述第一电容器的所述第二电极和地线。第三晶体管(124、134)的两个通道电极分别耦合到所述第二电容器的所述第二电极和地线。所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的栅电极(226、314)响应于调谐信号(126、136),而且感应器(144、202)耦合在所述第一电容器与所述第二电容器的第一电极(112、116、302、306)之间。

    集成电路装置的共质心静电放电保护

    公开(公告)号:CN102177583B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN200980140477.7

    申请日:2009-07-13

    Abstract: 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上,以共享共用质心(130),其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上,其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入,且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。

    一种多环路的对称电感器
    86.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103229256A

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN201180049684.9

    申请日:2011-09-12

    CPC classification number: H01F17/0013 H01F2017/0073 Y10T29/4902

    Abstract: 本发明提供一种对称电感器,其包含多对半环路(举例来说,312、314、316、318),第一终端电极与第二终端电极(举例来说,302、304),以及一中央分接电极(举例来说,310)。该等半环路对系在一积体电路的分别导体层(举例来说,101、201)之中。每一个半环路对皆在分别导体层之中包含一第一半环路(举例来说,312、316)与一第二半环路(举例来说,314、318)。该等第一终端电极与第二终端电极系在一第一导体层之中,而该中央分接电极则系在一第二导体层之中。第一终端电极与该中央分接电极会经由一第一串联组合被耦合,该第一串联组合包含每一个半环路对中的第一半环路。该第二终端电极与该中央分接电极会经由一第二串联组合被耦合,该第二串联组合包含每一个半环路对中的第二半环路。

    用于使事务同步的可配置事务存储器

    公开(公告)号:CN102007474B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN200980113711.7

    申请日:2009-03-16

    CPC classification number: G06F9/466 G06F9/52 G06F2209/523

    Abstract: 一种可配置事务存储器(102)使来自客户端(104到110)的事务同步。所述可配置事务存储器(102)包括存储器缓冲器(120)和事务缓冲器(128)。所述存储器缓冲器(120)包括分配控制装置(124)和存储装置(126),且所述分配控制装置(124)可配置以选择性地在事务缓冲器(128)与用于数据字的数据缓冲器(130)之间分配所述存储装置。所述事务缓冲器(128)存储指示数据字与客户端的每一组合的状态(132到134),对于所述数据字和所述客户端的每一组合,来自所述客户端的所述在进行中的事务中的写入存取参考所述数据字。事务仲裁器(122)针对来自每一客户端的所述在进行中的事务产生完成状态。所述完成状态在没有碰撞的情况下被提交或在碰撞的情况下被中止。碰撞是来自所述客户端的所述事务的参考一数据字的存取跟随在来自另一客户端的在进行中的另一事务的参考所述数据字的写入存取之后。

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