-
公开(公告)号：CN119133182A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411231156.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/82
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法。所述金刚石基CMOS反相器包括金刚石衬底、单晶金刚石薄膜、氢终端区域、台面隔离区域、n型氧化物半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅介质层、第一栅电极、第二栅介质层和第二栅电极；第一漏电极和第二漏电极金属互连；第一栅电极和第二栅电极金属互连。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型氧化物半导体结合制备获得金刚石基CMOS反相器，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与n型氧化物半导体各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS反相器。
-
公开(公告)号：CN108321262B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810183927.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底、p型硼高掺杂金刚石层、i型碳化硅层和n型磷高掺杂金刚石层，单晶金刚石衬底向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，n型磷高掺杂金刚石层向外依次设置欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
-
公开(公告)号：CN110517804B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910890608.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
-
公开(公告)号：CN118150660A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262780.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括：氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极和绝缘层；源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域形成氨基终端金刚石表面；DNA探针修饰有羧基终端，与氨基终端金刚石表面的酰胺键共价偶联；DNA探针用于与miRNA‑24‑3p杂交。本发明公开了可用于miRNA‑24‑3p检测的基于共价偶联的氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有固定化密度高、固定化效率高以及不易脱落等特点。
-
公开(公告)号：CN115863436A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211600276.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113824153A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111275709.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种地下空间支撑下的电力能源系统，包括可再生能源发电机组、跨临界CO2储能系统、天然气重整制氢系统和CO2加氢甲醇合成装置，其中，可再生能源发电机组与第一汇流箱相连，第一汇流箱分为三路，一路与跨临界CO2储能系统相连，另一路与电解水制氢储能系统相连，跨临界CO2储能系统和电解水制氢储能系统均与天然气重整制氢系统相连，电解水制氢储能系统还与CO2加氢甲醇合成装置相连；第一汇流箱的第三路与用电装置相连。本发明将地下空间作为电力能源领域低碳转型的关键环节，与现有减排增汇措施充分耦合，依托其封闭性、稳定性与防护性等功能特性，为碳源减排与碳汇增容提供亟需的空间支撑，提升系统开发的规模效益。
-
公开(公告)号：CN110600554B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
-
公开(公告)号：CN112687542A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910986605.5
申请日：2019-10-17
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/16 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石转化为氟终端金刚石的方法，包括以下步骤：S1、在预处理后的氢终端金刚石衬底的顶面制备源极和漏极，且源极和漏极均与氢终端金刚石衬底形成欧姆接触；S2、在源极和漏极之间的氢终端金刚石衬底的顶面上，沉积有LiF介质层；S3、将氢终端金刚石衬底的顶面上，除去源极、漏极和LiF介质层所覆盖的区域之外，剩余的区域均处理成不导电的氧终端隔离区；S4、在LiF介质层和氧终端隔离区上方接触制备连续的栅极，完成氢终端场效应晶体管的制备；S5、对步骤S4得到的氢终端场效应晶体管加电，则在氢终端金刚石衬底上有部分氢终端金刚石转化为氟终端金刚石。解决了现有形成氟终端金刚石的方法较复杂，且恶化其电、化性能的问题。
-
公开(公告)号：CN112442735A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910816152.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种可吸附拼接生长大面积单晶金刚石的方法，解决了现有拼接过程中，容易使得样品在生过程中的相对位置发生改变，甚至样品翘曲的问题。基于一样品托，在其上竖直贯穿设置有至少两组吸附通道，每组吸附通道包括一个或多个通孔，通孔用于从其下方将孔内空气吸走，形成低真空状态；方法包括以下步骤：1)准备至少两个清洗好的金刚石；2)每个金刚石并列紧靠放置于样品托的上表面，并使得每个金刚石底部均覆盖一组吸附通道；3)通过对吸附通道抽真空，使得每个金刚石牢固吸附在样品托上；4)使用等离子体化学沉积技术在各个金刚石上表面同时生长完整的金刚石。
-
公开(公告)号：CN110797399A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910943294.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层为Mg离子注入层，Mg离子浓度≥1×1019cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.031 seconds)
