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公开(公告)号：CN108321271B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810182721.7
申请日：2018-03-06
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上方依次设置有i型碳化硅层、n型磷高掺杂金刚石层、欧姆接触电极和保护金属层，p型硼高掺杂金刚石层上方还依次设置有欧姆接触电极和保护金属层，解决了金刚石LED发光效率问题。
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公开(公告)号：CN113467095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110639970.6
申请日：2021-06-08
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本申请公开了一种非成像型激光匀质系统及匀质元件的制作方法，该激光匀质系统包括激光器、以及依次设置的小孔、扩束系统、匀质元件、匀质凸透镜、以及屏幕。匀质元件包括金属铱薄膜、以及制备于金属铱薄膜上的微透镜阵列，微透镜阵列采用金刚石衬底材料，金刚石衬底材料和金属铱薄膜通过共价键键合。该方法包括步骤：制备金属铱薄膜；在金属铱薄膜上直接生长单晶金刚石；将单晶金刚石样品研磨抛光；在单晶金刚石样品上制备微透镜阵列；本申请解决了现有技术中反射膜和衬底材料结合力较低，而导致激光匀质系统的损伤阈值低的问题。本发明的激光匀质系统对入射光的轮廓、相位等参数要求低，其结构简单，易操作，损伤阈值高。
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公开(公告)号：CN115933019A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211696916.6
申请日：2022-12-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开一种纳米透镜阵列及其制备方法，其中一种纳米透镜阵列的其制备方法包括如下步骤：在衬底的一个表面上涂覆光刻胶，用具有圆孔阵列的掩膜板对所述光刻胶进行遮挡，然后对所述光刻胶进行曝光处理和显影处理，在所述衬底上得到具有圆孔阵列的光刻胶薄膜；对具有圆孔阵列的所述光刻胶薄膜的所述衬底镀金属层；将所述光刻胶薄膜从所述衬底剥离，得到金属圆盘阵列；在具有所述金属圆盘阵列的所述衬底进行退火处理，以使所述金属圆盘阵列熔化并缩聚成金属球体阵列，所述金属球体阵列作为衬底的刻蚀掩膜；对具有所述金属球体阵列的所述衬底进行干法刻蚀，得到纳米透镜阵列。该制备方法制备的纳米透镜阵列的成本低，且操作简单。
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公开(公告)号：CN110797390B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910943288.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1‑xN势垒层、形成于AlxGa1‑xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1‑xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1‑xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。
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公开(公告)号：CN109904228B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107331672B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201710423435.0
申请日：2017-06-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/0224 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种微透镜阵列的集成非平面紫外光电探测器，包括金属电极、微透镜阵列及半导体材料基底；微透镜阵列设置于半导体材料基底上；金属电极对称地制作在微透镜阵列中每一个微透镜的两边缘上使得微透镜中间球面部分作为光照区域，边缘部分被金属电极覆盖。本发明通过集成微透镜阵列可以提高感光区面积，同时可以在半导体内部将入射光汇聚而提高单位体积内的光强，增加光生载流子密度以及光增益系数。这种非平面紫外光电探测器的电极结构相比于传统平面电极，具有更强的载流子捕获能力。此外，本发明的紫外光电探测器的结构简单，易实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN109920736A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910094128.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法，在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2，在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4，沉积介质层5覆盖所有结构，对介质层5图形化处理，保留源极3、漏极4及其之间的介质层5，在源极3和漏极4之间的介质层5上沉积出栅极6；本发明采用两步法制备介质层，通过两个步骤完成介质层的制备，先使用低温工艺制备一层介质层保护氢终端金刚石的二维空穴气不被破坏，再使用高温工艺沉积高质量介质层改善器件性能，从而提升器件的电学特性，该两步法制备的氧化铝薄膜，既可以最大程度的保护氢终端金刚石的二维空穴气，又可以得到高质量的介质层氧化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN109904227A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194062.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN109285894A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811075622.5
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/812 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法，包括金刚石衬底；在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域；单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域；台面区域内设置有多通道沟道区域和刻蚀区域；多通道沟道包括二维空穴气导电层；刻蚀区域包含氧、氟或氮终端；源电极和漏电极处于台面区域的两侧；栅电极设置在源电极和漏电极之间的多通道沟道区域和刻蚀区域上，且栅电极同时设置在单晶金刚石外延薄膜上的刻蚀区域上。本发明的晶体管器件能够获得常关型特性，且不会损伤导电沟道的性能，同时多通道结构也能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN119351983A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411902900.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石曲面光学元件及其成型方法，属于光学元件制备技术领域；所述方法包括：将预先制备好的二硅化钼棒材顶部磨削成目标曲面光学元件的凹面形状；采用金刚石悬浊液对二硅化钼棒材顶部进行植晶处理，然后采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜，得到二硅化钼基体；将二硅化钼基体顶部的金刚石薄膜磨削至目标形状，得到磨削好的二硅化钼基体；将磨削好的二硅化钼基体泡入酸腐蚀液中，剥离得到金刚石曲面光学元件。本发明能够解决现有技术中金刚石曲面光学元件的难加工问题，有助于进一步推动金刚石曲面光学元件的应用。
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