公开(公告)号：CN112687542B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201910986605.5

申请日：2019-10-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  王玮 ,  常晓慧 ,  张少鹏 ,  惠斯佳 ,  常成东

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石转化为氟终端金刚石的方法，包括以下步骤：S1、在预处理后的氢终端金刚石衬底的顶面制备源极和漏极，且源极和漏极均与氢终端金刚石衬底形成欧姆接触；S2、在源极和漏极之间的氢终端金刚石衬底的顶面上，沉积有LiF介质层；S3、将氢终端金刚石衬底的顶面上，除去源极、漏极和LiF介质层所覆盖的区域之外，剩余的区域均处理成不导电的氧终端隔离区；S4、在LiF介质层和氧终端隔离区上方接触制备连续的栅极，完成氢终端场效应晶体管的制备；S5、对步骤S4得到的氢终端场效应晶体管加电，则在氢终端金刚石衬底上有部分氢终端金刚石转化为氟终端金刚石。解决了现有形成氟终端金刚石的方法较复杂，且恶化其电、化性能的问题。

公开(公告)号：CN112687542A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201910986605.5

申请日：2019-10-17

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  王玮 ,  常晓慧 ,  张少鹏 ,  惠斯佳 ,  常成东

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石转化为氟终端金刚石的方法，包括以下步骤：S1、在预处理后的氢终端金刚石衬底的顶面制备源极和漏极，且源极和漏极均与氢终端金刚石衬底形成欧姆接触；S2、在源极和漏极之间的氢终端金刚石衬底的顶面上，沉积有LiF介质层；S3、将氢终端金刚石衬底的顶面上，除去源极、漏极和LiF介质层所覆盖的区域之外，剩余的区域均处理成不导电的氧终端隔离区；S4、在LiF介质层和氧终端隔离区上方接触制备连续的栅极，完成氢终端场效应晶体管的制备；S5、对步骤S4得到的氢终端场效应晶体管加电，则在氢终端金刚石衬底上有部分氢终端金刚石转化为氟终端金刚石。解决了现有形成氟终端金刚石的方法较复杂，且恶化其电、化性能的问题。

公开(公告)号：CN112442735A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910816152.1

申请日：2019-08-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  王玮 ,  常晓慧 ,  张少鹏 ,  惠斯佳 ,  常成东

IPC: C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了一种可吸附拼接生长大面积单晶金刚石的方法，解决了现有拼接过程中，容易使得样品在生过程中的相对位置发生改变，甚至样品翘曲的问题。基于一样品托，在其上竖直贯穿设置有至少两组吸附通道，每组吸附通道包括一个或多个通孔，通孔用于从其下方将孔内空气吸走，形成低真空状态；方法包括以下步骤：1)准备至少两个清洗好的金刚石；2)每个金刚石并列紧靠放置于样品托的上表面，并使得每个金刚石底部均覆盖一组吸附通道；3)通过对吸附通道抽真空，使得每个金刚石牢固吸附在样品托上；4)使用等离子体化学沉积技术在各个金刚石上表面同时生长完整的金刚石。