公开(公告)号：CN115995483A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211599409.0

申请日：2022-12-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  牛田林 ,  梁月松 ,  陈根强 ,  方培杨 ,  冯永昌 ,  熊义承 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN119133176A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411235183.5

申请日：2024-09-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  牛田林 ,  张明辉 ,  林芳 ,  问峰 ,  王艳丰 ,  王宏兴

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种氢终端金刚石MOSFET/增强型氮化镓HEMT单片集成的互补电路及制备方法，本发明通过异质集成的方法将p型金刚石MOSFET和n型增强型氮化镓HEMT结合在一起制备逻辑互补电路，有效规避了金刚石难以实现n型器件、氮化镓难以实现p型器件的技术难题；金刚石/氮化镓的单片集成有利于减小器件体积，提高集成度，确保互补电路拥有高的开关速度和低损耗；金刚石热导率高，同时调制了氮化镓HEMT的热产生场分布，提升器件散热能力，为高温CMOS应用提供解决方案。

公开(公告)号：CN119133175A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411231160.7

申请日：2024-09-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  林芳 ,  王艳丰 ,  陈根强 ,  牛田林 ,  张明辉 ,  问峰 ,  王宏兴

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法。包括金刚石衬底、金刚石外延薄膜、氢终端二维空穴气层、台面隔离区、二维半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅极介质层、第二栅极介质层、第一栅电极和第二栅电极。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型二维半导体结合在一起制备金刚石基半导体互补器件，实现在金刚石上的单片集成的互补器件，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与二维材料各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS器件。

公开(公告)号：CN119133182A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411231156.0

申请日：2024-09-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  陈根强 ,  牛田林 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  王宏兴

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法。所述金刚石基CMOS反相器包括金刚石衬底、单晶金刚石薄膜、氢终端区域、台面隔离区域、n型氧化物半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅介质层、第一栅电极、第二栅介质层和第二栅电极；第一漏电极和第二漏电极金属互连；第一栅电极和第二栅电极金属互连。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型氧化物半导体结合制备获得金刚石基CMOS反相器，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与n型氧化物半导体各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS反相器。

公开(公告)号：CN115863436A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211600276.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  牛田林 ,  熊义承 ,  陈根强 ,  冯永昌 ,  方培杨 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。