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公开(公告)号：CN114397347B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210061626.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感器技术领域，特别涉及一种利用金刚石生物传感器检测CA19‑9抗原的方法，包括下步骤：S1、用缓冲溶液稀释后的特异性抗体在0‑10℃下浸泡金刚石生物传感器10min～5h，完成特异性抗体在金刚石表面的修饰，得到特异性抗体层；S2、在源极和漏极之间的特异性抗体层上滴加缓冲溶液稀释后的CA19‑9抗原，并在0‑10℃下培养，CA19‑9抗原和特异性抗体在缓冲溶液中进行反应；S3、给参比电极施加栅源电压，给漏极施加漏源电压，测试并对比特异性抗体层表面上滴加抗原前后场效应晶体管的转移特性曲线。解决了ELISA法成本高昂，反应过程复杂，检测时间长的问题。
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公开(公告)号：CN110797390B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910943288.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1‑xN势垒层、形成于AlxGa1‑xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1‑xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1‑xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。
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公开(公告)号：CN113430640A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110698287.X
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)取向薄膜；步骤三、在步骤二中的Ir(001)取向薄膜上制备出(001)方向的金刚石核；步骤四、将步骤三中的(001)方向的金刚石核在MP‑CVD中外延生长，得到连续(001)方向的金刚石薄膜。该制备方法中，利用Pd作为Ir与衬底之间的缓冲层缓冲层，可以有效降低Ir薄膜的应力，解决了Ir薄膜容易脱落和断裂的问题。
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公开(公告)号：CN109904228B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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公开(公告)号：CN109904227A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194062.3
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种低功函数导电栅极的金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；导电沟道上设置有低功函数导电栅极层，低功函数导电栅极层上设置有栅电极；其中，低功函数导电栅极层与导电沟道接触，能够产生达到预设阈值的势垒高度，用于夹断沟道。本发明的金刚石基场效应晶体管，利用肖特基势垒产生的空间电荷区将氢终端金刚石表面产生的二维空穴气完全耗尽，夹断沟道实现常关型器件特性；本发明不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943203A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043488.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。
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公开(公告)号：CN118150666A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262750.X
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极、绝缘层和金纳米颗粒；氢终端金刚石衬底上分布有与其形成欧姆接触的源电极和漏电极，金纳米颗粒分布于源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域；金纳米颗粒表面修饰有氨基终端；DNA探针修饰有羧基终端，与金纳米颗粒偶联。本发明的金刚石溶液栅场效应晶体管可用于miRNA‑24‑3p检测，能够提高修饰分子的密度、优化传感器的性能。
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公开(公告)号：CN118150665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262749.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括DNA探针、参比电极和器件本体；参比电极和器件本体用于置于缓冲液中；器件本体包括单晶金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、氢终端金刚石导电沟道、源电极、漏电极、氧终端隔离区和绝缘层；DNA探针非共价键固定于氢终端金刚石导电沟道，用于与miRNA‑24‑3p碱基互补配对。本发明提供了可用于miRNA‑24‑3p检测的氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有灵敏度高、操作简单、固定化速度快、成本低等特点，能够提升检测灵敏度、速度，可降低成本。
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公开(公告)号：CN114397347A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210061626.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感器技术领域，特别涉及一种利用金刚石生物传感器检测CA19‑9抗原的方法，包括下步骤：S1、用缓冲溶液稀释后的特异性抗体在0‑10℃下浸泡金刚石生物传感器10min～5h，完成特异性抗体在金刚石表面的修饰，得到特异性抗体层；S2、在源极和漏极之间的特异性抗体层上滴加缓冲溶液稀释后的CA19‑9抗原，并在0‑10℃下培养，CA19‑9抗原和特异性抗体在缓冲溶液中进行反应；S3、给参比电极施加栅源电压，给漏极施加漏源电压，测试并对比特异性抗体层表面上滴加抗原前后场效应晶体管的转移特性曲线。解决了ELISA法成本高昂，反应过程复杂，检测时间长的问题。
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公开(公告)号：CN109904228A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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