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公开(公告)号：CN111123601A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811292756.2
申请日：2018-11-01
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学 , 苏州工业园区中为柔性光电子智能制造研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电致变色显示面板及电子纸，包括依次设置的第一基板、电致变色像素阵列和第二基板，电致变色像素阵列包括若干阵列排布，独立控制的电致变色单元，电致变色单元包括依次设置的第一电极、黑色电致变色像素层和第二电极；第一电极具有与第二电极相对的第一相对面，第二电极具有与第一电极相对的第二相对面，第一相对面和/或第二相对面上设有若干微纳结构。以黑色电致变色像素层形成电致变色单元，能实现黑色、灰色和白色显示，并且在第一电极和/或第二电极上设置微纳结构，可以增加其接触面积，使其具有更好的电化学性能，并使两电极之间的电场的分布更均匀，从而加强其导电效果和响应速度，且其结构简单，易于制备。
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公开(公告)号：CN110795968B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201810869947.4
申请日：2018-08-02
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G06V40/13
Abstract: 本发明涉及生物特征识别技术，特别涉及用于获取指纹图像的装置。按照本发明一个方面的用于获取指纹图像的装置包含：第一光波导；设置于所述第一光波导下方的光源单元，其配置为提供以一定角度入射到所述第一光波导的平行光束，所述角度设定为当所述第一光波导的上表面未有物体覆盖时，使得所述平行光束在所述第一光波导内不满足全反射条件；设置于所述第一光波导表面的第一光耦合输出单元，其配置为当所述第一光波导的上表面有物体覆盖时，将所述第一光波导内发生全反射的光束引导到所述第一光波导外部并进行成像；以及设置于所述第一光耦合输出单元的成像位置处的图像接收单元。
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公开(公告)号：CN113269842B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202010096447.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种图形光栅化方法、装置及存储介质，属于图像处理技术领域，该方法包括：获取待光栅化目标；确定待光栅化目标中重复个数大于或等于预设个数的目标图形；对目标图形进行光栅化处理得到光栅化图形；对待光栅化目标进行裁切得到多个裁切区域；对于每个裁切区域，在裁切区域包括目标图形时读取目标图形对应的光栅化图形；可以解决对重复的目标图形均进行一次光栅化会浪费电子设备的资源，降低图形光栅化效率的问题；解决同一文件中相同图形一致性问题，使得线宽一致性得到了保证。由于对于重复的目标图形只需要进行一次光栅化过程，后续只需要调用光栅化图形即可，因此可以提高光栅化效率，节省设备资源。
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公开(公告)号：CN115107277A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110302250.0
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: B29C64/386 , B33Y50/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制作装饰材料微纳结构的模具的制作方法，该方法包括：S1：设计3D浮雕文件和光栅文件；S2：将所述3D浮雕文件转换为浮雕位图；S3：按照浮雕和光栅所需组合效果确定浮雕取点文件和光栅取点文件，对浮雕位图和所述光栅文件进行取点处理；S4、将所述新的浮雕位图进行切割形成多个条带位图；S5：提供一基板；S6：根据所述组合方式光刻嵌设在一起的微纳浮雕结构和微纳光栅结构，获得用于制作装饰材料微纳结构的模具。本发明还公开了一种用于制作装饰材料微纳结构的模具，采用上述的方法制备。通过上述方法，无需掩膜套刻，便能制作出3D连续面形与微纳光栅混合的结构，操作简单，单元像素分辨高。
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公开(公告)号：CN114913559A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110179852.1
申请日：2021-02-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G06V40/13 , G06V10/147 , G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列成像组件的生产装置及制备方法，该微透镜阵列成像组件的生产装置通过传输系统传输基底，使基底依次通过出胶系统、压印系统、喷涂系统、显影系统和清洁系统，以依次完成在基底上涂覆胶水、在基底上压印出微透镜阵列、在基底正面和背面涂覆黑色光阻材料和挡光材料并在基底背面进行曝光、向基底正面喷涂显影剂以及对基底进行清洁，从而制备得到高效率、高精度的微透镜阵列成像组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113296364B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010113358.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
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公开(公告)号：CN112799286B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911115238.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种三维微纳结构光刻系统，包括数字掩模装置、空间光调制器、投影物镜和旋转工作台，数字掩模装置与空间光调制器电性连接，投影物镜设置于空间光调制器与旋转工作台之间，旋转工作台用于固定待光刻的基片；数字掩模装置用以生成数字掩模，数字掩模包括图形曝光区，数字掩模装置将数字掩模上传至空间光调制器，空间光调制器用以显示数字掩模，空间光调制器发出的光经过图形曝光区后射向投影物镜，图形曝光区的高度与曝光剂量呈正比；投影物镜将图形光投影在基片上，旋转工作台驱使基片转动曝光。本发明的三维微纳结构光刻系统，结构简单、精度高、成本低、快速高效。本发明还涉及一种三维微纳结构光刻方法。
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公开(公告)号：CN113495432A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010269164.X
申请日：2020-04-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种光刻设备，包括激光输出装置、光路选择装置、检测模块和光刻模块，所述激光输出装置发射激光至所述光路选择装置，所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块。本发明还公开了一种光刻方法，利用上述光刻设备进行光刻。通过所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块，以使光刻设备能实时检测曝光能量，保证了光刻效果，提高了光刻效率，提升了产品的良品率。
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公开(公告)号：CN113296364A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010113358.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
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公开(公告)号：CN111427237B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
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