公开(公告)号：CN112760620A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202011531765.X

申请日：2020-12-22

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 张树德 ,  倪志春 ,  魏青竹 ,  连维飞 ,  赵保星

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种石墨舟，包括：至少两个小舟和绝缘片，每两个相邻小舟之间通过所述绝缘片连接，还包含电极，所述电极包括：正电极和负电极，每个小舟上的一个舟脚接触正电极，另一个舟脚接触负电极，从而使得小舟具有正负电场；增加产能的同时，改善石墨舟内各工位的色差。

公开(公告)号：CN112713224A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202110066487.3

申请日：2021-01-19

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  赵保星 ,  缪乾 ,  符欣 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法。该基于P型硅片的太阳能电池片的制备方法，包括如下步骤：在制绒后的P型硅片的绒面上印刷图形化的铝浆，烧结而在所述P型硅片上形成铝掺杂区域；去除所述P型硅片上的由铝浆烧结后形成的铝电极；在所述P型硅片的绒面上制备正面介质层；在所述正面介质层上印刷银浆，且银浆的印刷位置和所述铝掺杂区域相对应，烧结使银浆烧穿所述正面介质层而形成和所述铝掺杂区域接触的正面电极。本发明的制备方法无需经过1000℃以上的高温来进行硼扩散，不会造成P型硅片体少子寿命衰减，能够提高电池转化效率。

公开(公告)号：CN110518084B

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910719750.7

申请日：2019-08-06

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  苗凤秀 ,  胡党平 ,  连维飞

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种镓局域掺杂的PERC电池的制备方法，其能够实现PERC电池的高局部掺杂浓度和低薄层电阻。本发明还公开一种镓局域掺杂的PERC电池，其具有高局部掺杂浓度和低薄层电阻。一种镓局域掺杂的PERC电池的制备方法，包括如下步骤：A、将金属镓在不低于镓熔点的温度下进行图形化；B、将图形化的金属镓置于硅片表面，并将硅片表面降温至镓熔点温度以下进行固化；C、在硅片的镓图形区域进行激光掺杂；D、进行金属化备背面电极，背面电极和镓掺杂区域接触。

公开(公告)号：CN110212057B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201910474322.2

申请日：2019-05-31

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 张树德 ,  钱洪强 ,  李跃 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  鲁科 ,  杨智

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理；对硅片进行蚀刻处理；在硅片正面沉积第一钝化膜，并在硅片背面沉积第二钝化膜；在硅片正面和背面设置金属电极。通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。由于简化电池高温处理工艺，从而减小对少子寿命的影响，有助于提高电池效率。

公开(公告)号：CN111477696A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010265825.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  时宝 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  符欣

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。

公开(公告)号：CN110634973A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910920589.X

申请日：2019-09-26

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院 ,  苏州大学

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  况亚伟 ,  钱洪强 ,  丁可 ,  揭建胜 ,  张晓宏 ,  李跃 ,  连维飞 ,  倪志春 ,  刘玉申 ,  杨希峰

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种新型晶硅太阳电池，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度；在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下，规避硼扩散工艺，简化制备流程，此外，还减小背面N型硅区域的复合速率，提高电池效率。

公开(公告)号：CN110600555A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910806038.0

申请日：2019-08-29

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 魏青竹 ,  倪志春 ,  苗凤秀 ,  连维飞 ,  李怡洁

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种减反射膜结构及PERC电池，能够进一步降低正面钝化介质膜层的反射率，同时进一步提升对表面的钝化效果。一种减反射膜结构，包括依次层叠的第一减反射层、第二减反射层及第三减反射层；所述第一减反射层用于形成在硅基体上，所述第一减反射层为SiOx膜层、AlOx膜层、MgF2膜层或由AlOx膜层和MgF2膜层层叠形成的叠层结构；所述第二减反射层为SiNx膜层、SiC膜层或TiOx膜层，或为由选自SiNx膜层、SiC膜层及TiOx膜层中的至少两种层叠形成的叠层结构；所述第三减反射层为SiOxCy膜层或为由SiOxCy膜层和SiOxNy膜层层叠形成的叠层结构。

公开(公告)号：CN110265512A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910474321.8

申请日：2019-05-31

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  苗凤秀 ,  霍亭亭 ,  胡党平

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池背面局域掺杂的掺杂方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括：对硅片进行制绒清洗，并进行高温扩散处理；对扩散处理后的硅片进行正面和背面钝化膜沉积以及背面掺杂浆料沉积；对沉积有掺杂浆料的硅片背面的待掺杂区域进行激光处理，以实现局域掺杂，激光处理的被处理区域具有预定图形结构。通过采用激光处理对硅片背面进行掺杂以形成具有预定图形结构的掺杂区域，实现了太阳能电池背面的局域掺杂，该激光掺杂处理过程对氧化铝介质钝化膜无损伤，与常规电池量产工艺兼容，从而能够实现量产局域掺杂。

公开(公告)号：CN110212058A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910494669.3

申请日：2019-06-10

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  胡党平 ,  霍亭亭 ,  李赛红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种局域掺杂的太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)掺杂浆料预置与烘干：在将要开膜的位置预置掺杂浆料，掺杂浆料与硅基层接触，并进行烘干；2)硅基层背面沉积介质钝化膜层；3)激光消融，利用激光对硅基层背面金属化区域的介质钝化膜层进行消融，位置与步骤1)中预置掺杂浆料位置相同；4)金属化：通过金属化工艺实现金属电极的制备；本发明提出了一种局域掺杂的太阳能电池及其制备方法，在背面介质钝化膜层沉积前，背面金属化区域预置掺杂浆料，对介质钝化膜层进行激光消融时，利用激光的能量将预置掺杂浆料推进进入到硅基层内，实现了金属化区域重掺杂与深度，并降低硅基层背面金属化区域的复合电流，实现了规模化量产。

公开(公告)号：CN110164985A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910481038.8

申请日：2019-06-04

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  张树德 ,  连维飞 ,  胡党平

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，包括衬底；位于衬底受光侧表面的扩散层；位于扩散层背向衬底一侧表面与扩散层接触的正面电极；位于衬底背光侧表面的钝化层；位于衬底背光侧表面与衬底接触的背面电极；位于钝化层背向衬底一侧表面的第一减反层；第一减反层覆盖背面电极。第一减反层通常具有良好的致密性，在本发明中将背面电极埋于第一减反层朝向衬底一侧可以使用第一减反层有效隔离背面电极与空气，从而防止空气对背面电极的腐蚀，使得背面电极在长时间使用过程中不会发生氧化以及硫化反应，进而有效提高太阳能电池的可靠性。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果。