一种测量薄膜材料热光系数的装置及方法

    公开(公告)号:CN104749115A

    公开(公告)日:2015-07-01

    申请号:CN201510184777.2

    申请日:2015-04-17

    Abstract: 一种测量薄膜材料热光系数的装置及方法,属于测试技术领域,以便提供一种能够直接快速测量热光系数的装置和方法。包括工作台、光源、Y型光纤、反射频谱仪及计算机,Y型光纤的两个光纤臂分别与光源及反射频谱仪相连,反射频谱仪与计算机相连,还包括支撑架及加热单元,加热单元通过支撑架架设在工作台上,加热单元包括箱体,箱体中设有测试腔体,箱体上设有进气口和通光口,测试腔体中放置有加热板,Y型光纤的共同端位于通光口上方,通光口与加热板的位置相对应,还包括与测试腔体相接的温度控制器。通过非接触式测量能够在不破坏薄膜表面的情况下获得不同温度下薄膜的光学常数和透射率的连续谱线,测量精度高,适用于测量薄膜材料的热光系数。

    一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法

    公开(公告)号:CN104599826A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201510013106.X

    申请日:2015-01-09

    Abstract: 本发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法,属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲,在去掉外电压后,可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单,性能优良,能耗低,在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。

    一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103276360B

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201310234737.5

    申请日:2013-06-14

    Abstract: 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。包括MgAl2O4单晶基片、Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体和NiFe2O4纳米线;NiFe2O4纳米线均匀分布在Pb(Zr0.52Ti0.48)O3基体中,形成沉积于MgAl2O4单晶基片(001)取向表面的磁性纳米线阵列薄膜。该薄膜采用PZT-NFO靶材和(001)取向MgAl2O4单晶基片,采用90度离轴磁控溅射工艺制得,具有铁磁共振线宽小、铁磁共振频率高、晶格失配小,可自组装外延生长的特点,是一种用于微波非互易性器件的重要材料。其制备方法容易实现,参数控制方便,操作简单,成本低。

    一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法

    公开(公告)号:CN102707247B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201210183681.0

    申请日:2012-06-06

    Abstract: 一种自偏置巨磁阻抗传感器探头及其制备方法,属于信息功能器件技术领域。探头,包括非晶带状磁性材料和位于非晶带状磁性材料表面两端的金属对电极,所述金属对电极之间的非晶带状磁性材料两面分别沉积有一层钴铁氧体薄膜;上下两层钴铁氧体薄膜具有沿非晶带状磁性材料长度方向一致的硬磁相特性。探头制备时采用射频磁控溅射工艺在非晶带状磁性材料上沉积钴铁氧体薄膜和采用充磁机对钴铁氧体薄膜充磁使其呈现硬磁相的关键工艺。本发明提供的自偏置巨磁阻抗传感器探头具有体积小、易集成、无额外功耗的特点;产品制备简单、工艺可控、稳定性高;能够获得更宽范围的线性工作区,并大幅提高灵敏度。

    一种垂直偏置磁传感单元的制备方法

    公开(公告)号:CN103424131A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310374512.X

    申请日:2013-08-26

    Abstract: 本发明提供一种垂直偏置传感单元的制备方法,属于磁性材料与元器件技术领域,涉及磁传感技术。此制备方法包括在第一外磁场H1的作用下,采用薄膜沉积工艺制成磁传感单元,然后外加与外磁场H1的方向呈90度的第二外磁场H2,同时在该磁传感单元的薄膜表面沿第二外磁场H2方向施加一脉冲电流,作用完成后即得垂直偏置的磁传感单元。本发明利用自旋转移效应改变磁传感单元中常规交换偏置结构的交换偏置场方向,可在室温下方便地实现磁场感知层与磁矩参考对比层的磁矩取向相互垂直的要求,无需通过两次退火处理的方式来制备,该方法减少了工艺步骤,降低了制备难度,在保证传感单元优良性能的基础上,有利于降低传感单元的制备成本。

    一种非制冷远红外热成像系统

    公开(公告)号:CN102288297B

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201110240952.7

    申请日:2011-08-22

    Abstract: 一种非制冷远红外热成像系统,属于红外热成像技术领域。系统包括斩波器、远红外光透镜、分光器、红外焦平面阵列、近红外光光源、第一近红外光透镜、近红外光滤波器、第二近红外光透镜和数码相机;核心器件为红外焦平面阵列,其像元结构为F-P腔结构的薄膜滤波器,腔体材料为α多晶硅,腔体两面是由α多晶硅薄膜和Si3N4薄膜交替构成的多层膜镜面结构。本发明基于F-P腔薄膜滤波器的热光效应原理,通过集成光学的测量方法和对光波的转换调制成像,省去了内部读出电路,避免了Johnson噪声;同时避免了使用通常与硅不匹配的氧化钒或焦热电材料,在不影响器件性能的情况下使器件高度集成化,减小了体积,减少了制作步骤和真空封装成本,可大幅减低成本,具有一定的应用潜力。

    次级电流采样的电流型多路输出DC-DC开关电源

    公开(公告)号:CN101895196B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201010227239.4

    申请日:2010-07-15

    Abstract: 次级电流采样的电流型多路输出DC-DC开关电源,属于电子技术领域。该开关电源主变压器T1次级侧至少包括两路输出电路,在对其中一路输出电路的输出电压进行电压采样的同时,在该输出电路的整流续流电路和与该输出电路相连的主变压器T1的次级绕组之间还串联了一个耦合变压器T2,在耦合变压器T2的次级通过电流采样电路对耦合电流进行采样。本发明电压采样电路和电流采样电路是针对同一路输出电路进行电压采样和电流采样,这样所得的电流采样信号完全不受其它路输出电流和变压器T1初级励磁电流的影响,实现了对同一输出电路输出电流的精确采样;同时采样耦合变压器T2还保证了电源的初次级相互隔离。

    一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102435959A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110306384.6

    申请日:2011-10-11

    Abstract: 一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法,属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括压电薄膜、磁致伸缩薄膜、衬底基片;磁致伸缩薄膜位于压电薄膜和衬底基片之间;磁致伸缩薄膜的厚度为所述压电薄膜厚度的2~5倍;压电薄膜表面具有叉指换能器,叉指换能器与压电薄膜一起构成声表面波器件。压电薄膜以及叉指换能器表面覆盖有一层SiO2。当传感器处于谐振状态时,如果存在外加磁场变化,磁致伸缩层的杨氏模量就会发生变化,进而影响到压电层中声表面波的传播速度,此时通过检测谐振中心频率的变化就可知外加磁场的变化。SiO2覆盖层可以补偿压电薄膜的频率温度系数,实现接近零频率温度系数。本发明具有微型化、易集成、灵敏度高、一致性号、稳定可靠的特点。

    一种非制冷远红外热成像系统

    公开(公告)号:CN102288297A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110240952.7

    申请日:2011-08-22

    Abstract: 一种非制冷远红外热成像系统,属于红外热成像技术领域。系统包括斩波器、远红外光透镜、分光器、红外焦平面阵列、近红外光光源、近红外光透镜、近红外光滤波器、近红外光透镜和数码相机;核心器件为红外焦平面阵列,其像元结构为F-P腔结构的薄膜滤波器,腔体材料为α多晶硅,腔体两面具有由α多晶硅薄膜和Si3N4薄膜交替构成的多层膜作为镜面结构。本发明基于F-P腔薄膜滤波器的热光效应原理,通过集成光学的测量方法和对光波的转换调制成像,省去了内部读出电路,避免了Johnson噪声;同时避免了使用通常与硅不匹配的氧化钒或焦热电材料,在不影响器件性能的情况下使器件高度集成化,减小了体积,减少了制作步骤和真空封装成本,可大幅减低成本,具有一定的应用潜力。

    一种惠斯通电桥式自旋阀磁传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN101672903B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200910167729.7

    申请日:2009-09-23

    Abstract: 一种惠斯通电桥式自旋磁阀传感器的制备方法,属于磁性材料与元器件技术领域,涉及自旋阀磁传感器的制备方法。首先在同一基片上制备四个形状和大小相同的自旋阀单元,每个自旋阀单元的初始钉扎场方向一致;然后制备导线及电极;最后利用自旋转移效应改变自旋阀结构的钉扎场方向,即在两个相间隔的自旋阀单元的两端电极之间施加一大于105A/cm2的脉冲电流,脉冲电流的作用时间大于10毫秒,同时施加一强度大于初始钉扎场强度、且方向相反的外磁场。本发明具有工艺简单、易控的特点,所制备的产品成品率比现有的方法更高,同时具有更好的稳定性和传感性能。

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