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公开(公告)号：CN116546395A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310237189.5
申请日：2023-03-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于热声效应的石墨烯可拉伸发声器件及相关组件，石墨烯可拉伸发声器件包括衬底、石墨烯电介质层、接触金属和导线介质；衬底为可拉伸结构，石墨烯电介质层为石墨烯与去离子水混合墨水打印渗透到衬底中形成的三维结构层，接触金属设置在衬底上且位于石墨烯电介质层的两侧，导线介质的一端设置于接触金属中，导线介质的另一端与音频播放器的输出端连接。本发明的石墨烯可拉伸发声器件具有较好的可拉伸性能，实用性较强。
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公开(公告)号：CN116367703A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310303112.3
申请日：2023-03-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于忆阻器的逻辑门器件、操作方法及逻辑门电路，逻辑门器件包括第一顶电极、第一阻变层、第一底电极、第二顶电极、第二阻变层和第二底电极；第一阻变层形成于第一顶电极上；第一底电极和第二底电极形成于第一阻变层上，且第一底电极和第二底电极间隔设置；第二阻变层形成于第一底电极、第二底电极以及间隔上；第二顶电极形成于第二阻变层上；第一顶电极作为逻辑门器件的第一输入端；第二顶电极作为逻辑门器件的第二输入端；第一底电极和第二底电极均作为逻辑门器件的输出端。本发明将逻辑门集成于单个器件上，减小了逻辑门器件的占用面积。
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公开(公告)号：CN114171082B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202111370758.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。
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公开(公告)号：CN116009815A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211493357.9
申请日：2022-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种基于栅控忆阻器的可重构存算一体逻辑门电路，包括输入模块、输出模块、分压模块和栅控忆阻器；其中，输入模块包括至少一个栅控忆阻器，输入模块用于接收输入信号，将输入信号转化为栅控忆阻器的高低阻态，以输出高低电位；输出模块包括至少一个栅控忆阻器，输出模块用于接收输入模块输出的高低电位，以输出逻辑计算的结果；分压模块包括至少一个特异性电阻，分压模块用于调整输入模块与输出模块在电路中的分压；栅控忆阻器用于通过导电细丝的形成与破坏实现高低阻态的转换与储存。本发明利用栅控忆阻器的特性，集成了不同逻辑操作，从而达到增加电路鲁棒性以及降低电路硬件代价的目的。
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公开(公告)号：CN114171082A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111370758.0
申请日：2021-11-18
Applicant: 清华大学
IPC: G11C11/414
Abstract: 本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器和第二匀质反相器的沟长相同，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113317909A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110653573.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及失声患者辅助发声技术领域，提供了一种多维度智能人工喉，包括：多维度信号采集模块，包括第一信号采集单元和第二信号采集单元，第一信号采集单元用于采集喉部运动时的力学信号、肌电信号和头部的脑电信号，第二信号采集单元用于采集通过空气传输和骨传导的声音信号；云端信号处理模块，用于经无线通讯模块接收上述信号进行处理得到电学信号；发声模块为复合膜结构，包括压电材料薄膜，压电材料薄膜的上表面和下表面分别设有热声材料薄膜，发声模块用于经无线通讯模块接收电学信号并将其转化为声音进行语音播放。本发明具有多维度信号采集、信号多样准确、非机械音发声和音质多样可调等特点。
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公开(公告)号：CN109346600B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201811145553.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提出了一种单器件集成马尔可夫链算法的阻变存储器，属于阻变存储器技术领域。包括：电极输入信号装置，以及依次层叠的衬底、第一电极、下阻变层、半导体层、上阻变层和第二电极；通过所述电极输入信号装置使得所述第一电极和第二电极间电压呈单一方向的逐渐增大或连续锯齿波状增大，在此过程中，根据上、下阻变层间导电通道的形成情况和熔断情况定义多种状态，由前后状态间转变概率组成的状态转移矩阵和由状态出现概率组成的状态概率向量之间的关系满足马尔可夫链算法。本发明完成了在单个器件中实现3个数字随机数发生器并集成马尔可夫链算法的目的，可大大减小硬件面积；且本发明的结构与传统的CMOS结构兼容，制备方便。
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公开(公告)号：CN110993694A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911006920.3
申请日：2019-10-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/43
Abstract: 本发明提出的一种自氧化方式制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、栅极及其介质层和二维薄膜，二维薄膜的上表面分别与第一电极和第二电极相接触；二维薄膜采用过渡金属硫族化合物通过干法、湿法转移方法或直接生长的方式经由图形化制得；第一电极采用具有致密自氧化特性的金属材料通过溅射或蒸发方式进行沉积制得；利用第一电极的致密自氧化特性在除该第一电极与二维薄膜相接触外的其余表面均形成自氧化层，以此实现第一电极和第二电极之间的隔离，并在第一电极和第二电极之间自氧化层下方的二维薄膜内形成亚10nm的沟道。本发明在不依赖于光刻机精度的前提下制备亚10nm沟道的二维薄膜场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN108511519A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810290740.1
申请日：2018-04-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管，包括：衬底、第一电极、第二电极、阻变层、二维薄膜、背栅控制信号装置及源漏信号输入装置。本发明实施例还提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的制备方法，用来制备所述基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管。本发明可以实现场效应晶体管的超陡亚阈值摆幅效果。
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公开(公告)号：CN106878913A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710189315.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 清华大学
IPC: H04R31/00
CPC classification number: H04R31/00 , H04R2231/003
Abstract: 本发明提供了一种基于编织网格结构石墨烯的热致发声器以及编织网格结构石墨烯的制备方法，所述基于编织网格结构石墨烯的热致发声器包括：致热元件和热致发声元件，所述热致发声元件包括编织网格结构石墨烯；所述致热元件向所述编织网格结构石墨烯提供电信号以使所述编织网格结构石墨烯产生热量进而带动所述编织网格结构石墨烯周围的介质振动发声。本发明提供的基于编织网格结构石墨烯的热致发声器发声效果较好，且机械性能较佳，不容易损坏。
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