公开(公告)号：CN102075123A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201110005324.0

申请日：2011-01-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘志弘 ,  刘晓屏 ,  崔杰 ,  严利人 ,  王玉东 ,  付军

IPC: H02N15/00

Abstract: 本发明涉及一种旋转机构，尤其涉及一种在高温和真空状态下的磁悬浮旋转机构。其结构为：下永磁铁固定在高温真空腔体的内部底面，上永磁铁位于下永磁铁的上方，并与上永磁铁之间通过磁斥力产生间隙；支架固定在上永磁铁上，而转子固定在支架上；定子固定在高温真空腔体外部与转子相对的位置。其核心为应用磁悬浮技术以及开关磁阻电动机的原理实现了在高温真空环境下实现无磨擦非接触旋转，因而避免了传统真空系统中密封圈的磨损老化问题以及无法耐高温的问题，从而提供了一种全新的高温真空旋转装置的解决方案。

公开(公告)号：CN101872784A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010191020.3

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  吴正立 ,  许平 ,  崔杰 ,  蒋志 ,  朱从益 ,  赵悦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。