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公开(公告)号：CN111286595A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010235337.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种离合器用整体式波形片自动退火装置及使用方法，包括进料装置、退火炉装置、出料装置、温控系统及中控模块；在无人为干预下，合理布置进料和出料装置完成自动进出料的工序，可以成为集自动进出料、波形片保温保压、波形片关键成形区域监控功能为一体的自动退火装置；提出“保温保压”的退火工序，利用一个波形片退火定型下模、一个波形片退火定型上模和四个波形片定型耐高温弹簧为一组依次组成退火开始进料位、保压开始位、保压退火位、保压结束位、退火结束出料位，每个工位的工序和目的的不同，对退火工序进行细分；退火炉装置结合中控模块，在中控模块的处理下控制温控系统，提供相关的加工保温温度值，对波形片的退火实行精细化处理。
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公开(公告)号：CN110937886A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911336343.4
申请日：2019-12-23
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。
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公开(公告)号：CN109059971A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
CPC classification number: G01D5/35387 , G01D5/35306
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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公开(公告)号：CN109013814A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811078960.4
申请日：2018-09-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 一种波形片成形过程中横向抑制回弹装置，包括抑制回弹辅助装置、轨道传送装置、核心冲压装置和上位机，在常规的冲压工艺结束后，增加了一项横向抑制回弹工骤，通过第一动力机构驱动螺杆转动，螺杆转动驱动滑动座滑动，从而驱动第一定位销向第二定位销靠拢，在上位机和测距模块的控制下，精确控制进给量，通过第一定位销与第二定位销对成型后的波形片的子片的两装配孔施加压力，从而驱动波形片上两个装配孔靠近，配合挤压板模块对波形片的子片进行二次挤压，最终实现抑制波形片回弹的目的。
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公开(公告)号：CN108380719A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810229089.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林福达股份有限公司
Abstract: 一种基于自动放取件离合器整体式波形片的成形装置，涉及汽车零配件加工工艺及方法领域，包括圆形回转工作台、模具、两个抓件机构、传送带和压力机；圆形回转工作台包括外框架、主旋机构、多个副旋机构和电机；外框架与压力机的工作台固定连接，主旋机构同轴放置在外框架内部，且与电机驱动连接，主旋机构的顶部设有环形凹槽，多个副旋机构均布在环形凹槽内；传送带设置在圆形回转工作台的两侧；模具包括上模和下模模块，上模与压力机的冲头相连，下模模块设置在外框架的顶部表面；两个抓件机构设置在圆形回转工作台的两侧，均包括气动旋转台、连接空杆、控制器、伸缩杆和电磁铁吸盘，两个抓件机构均能够在传送带和圆形回转工作台之间旋转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119613113A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510023657.8
申请日：2025-01-07
Applicant: 南宁桂电电子科技研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/638 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及一种基于光固化3D打印的微波介质陶瓷材料制备方法，选择氧化镧和钇稳定氧化锆为主要原料，配合树脂、光引发剂和分散剂研磨，形成光固化3D打印浆料，再经脱脂和烧结后获得锆酸镧陶瓷，使用本发明的制备方法，有效地避免了锆酸镧陶瓷在烧制过程中可能会遇到的各种开裂情况，还可以对锆酸镧进行各种复杂结构的打印，可以打印各种传统结构的滤波器，也能打印复杂结构的异形滤波器。相对于传统的固相压片法制作的锆酸镧陶瓷，本发明方法打印的锆酸镧陶瓷具有更不容易开裂，烧结后致密度更高的特性，收缩率也更为稳定。
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公开(公告)号：CN119458899A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411663311.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林航天工业学院 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: B29C64/209 , B29C64/106 , B33Y30/00 , B33Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种3D打印喷头及3D打印成型方法，3D打印喷头包括由内向外依次设置的第一输注通道、第二输注通道、第三输注通道和第四输注通道，喷头主体具有中心线、第一端和第二端，第一输注通道的出口端部、第二输注通道的出口端部、第三输注通道的出口端部和第四输注通道的出口端部依次由高到低分布；第二输注通道、第三输注通道和第四输注通道的延伸方向均相对于中心线呈倾斜设置。由于将输注通道倾斜设置，外层的打印材料能够挤压内层的打印材料，从而使得相邻的层与层之间的打印材料能够紧密贴合，各输注通道的出口端部依次由高到低分布设置，有利于延长相邻层之间打印材料的粘合时间，进一步提高打印出的FASC器件的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN119430952A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411690830.1
申请日：2024-11-25
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种超高温陶瓷复合材料及制备方法，包括步骤一、悬浮液制备，步骤二、混粉、按照质量比为1:2.5～3.5的超高温陶瓷粉末和烧结助剂混合均匀，得到混合物A，步骤三、球磨湿混，得到混合物B，步骤四、干燥、将混合物B在真空干燥箱中干燥，得到干燥粉末粉体C，步骤六、烧结、将预压后的石墨模具放入烧结炉腔内烧结得到超高温陶瓷复合材料；本发明通过石墨烯特性与超高温陶瓷粉末混合并致密烧结时，在烧结初期引起陶瓷颗粒重排，利用石墨烯的包裹机制明显抑制晶粒生长，在烧结后期因其碳结构起到烧结作用，通过石墨烯的物理特性有效提高陶瓷粉体的导热性，使复合粉体在烧结过程中受热更均匀。
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公开(公告)号：CN118930267A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411171480.8
申请日：2024-08-23
Applicant: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B64C1/38
Abstract: 本申请实施例公开了一种高熵氧化物陶瓷及其制备方法和用途；以重量份数计算，所述高熵氧化物陶瓷包括：氧化物陶瓷粉：60‑75份；木质素：10‑15份；石墨烯：2‑5份；三羟甲基氨基甲烷：5‑8份；溶剂：15‑20份。本申请实施例中，在氧化物陶瓷粉中加入木质素、石墨烯和三羟甲基氨基甲烷；其中，石墨烯和三羟甲基氨基甲烷能共同作用增强晶界结合力，增强了陶瓷基质的致密度，提高了陶瓷的硬度和抗弯强度；同时，具有三维网状结构的木质素能与三羟甲基氨基甲烷共同作用，能参与优化陶瓷的微观结构，减少微裂纹的产生并提高抗裂性能。由此，本申请实施例的高熵氧化物陶瓷具备更好的抗冲击力性能。
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公开(公告)号：CN118835068A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410420912.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 桂林福达曲轴有限公司 , 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种调控和预测四缸曲轴中频淬火形变的方法，包括基于淬火限制条件获取所有可行工艺方案构成可行工艺集合；预设温度场参数和应力场参数；建立四缸曲轴的三维模型，将三维模型导入有限元软件中并划分网格；置于温度场中，从可行工艺集合中选取其中一个工艺方案，并根据温度场参数获取单位时间内该工艺方案的温度变化集合；置于应力场中，并根据应力场参数和温度变化集合获取该工艺方案的模拟形变量集合；循环上述步骤直到遍历可行工艺集合中的所有工艺方案；从获取的模拟形变量集合中选取形变小的工艺方案作为优选方案；根据优选方案实际测量获取实际形变量集合，对优选方案的模拟形变量集合与实际形变量集合进行比较，选出最优方案。
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