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公开(公告)号：CN100492712C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510059473.X
申请日：2005-03-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H05B33/04
Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。
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公开(公告)号：CN1983586A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610137422.9
申请日：2006-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L21/32139 , H01L21/76816 , H01L21/76834 , H01L21/76879 , H01L21/76886 , H01L23/528 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L27/3276 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。
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公开(公告)号：CN1322543C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN01142745.0
申请日：2001-12-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/04 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124
Abstract: 半导体器件制造中，用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前，静电沿栅信号线移动，损坏栅绝缘膜，穿过结晶半导体膜，再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路，静电能量减小，直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止，由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。
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公开(公告)号：CN1866540A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084061.6
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1288 , H01L27/14623 , H01L27/3244 , H01L29/78645
Abstract: 本发明的一个目的在于，在有限的面积中形成多个元件，以便减少由用于集成的元件占用的面积，使得可在诸如液晶显示设备和含有EL元件的发光设备的半导体设备中推动更高的分辨率(增加像素数量)、以小型化来减少每一显示像素的节距以及驱动像素部分的驱动电路的集成。对光刻过程应用配备有由衍射光栅图案或半透明薄膜构成并具有降低光强度的功能的辅助图案的光掩膜或标线，用于形成栅电极以便形成复杂栅电极。此外，可通过仅仅改变掩膜而无需增加处理的次数在同一衬底上形成具有上述多栅结构的顶栅TFT和具有单栅结构的顶栅TFT。
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公开(公告)号：CN1476048A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03132892.X
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5206
Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104934483B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201510349006.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
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公开(公告)号：CN107123653A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710363003.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 半导体装置。本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN105448937A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610041989.X
申请日：2010-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/04 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN102544027B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201110418419.5
申请日：2005-09-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/78669 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及具有包括薄膜晶体管(TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。
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公开(公告)号：CN104934483A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510349006.4
申请日：2010-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
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