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公开(公告)号：CN100372051C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN02107474.7
申请日：2002-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L22/14 , G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/3025 , G09G3/00 , G09G3/006 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。
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公开(公告)号：CN101101869A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200610115609.9
申请日：2002-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/08
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0838 , C21D1/34 , H01L21/02686 , H01L21/2026
Abstract: 本发明涉及激光退火装置和相应的半导体设备制造方法，其中在用激光束斜向照射基底之前，移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。由此可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。
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公开(公告)号：CN1312730C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410063473.2
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , B23K26/00 , H01S3/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
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公开(公告)号：CN1901151A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101531.5
申请日：2002-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
Abstract: 本发明提供了一种在互连点上不使用探针的简单的测试方法，以及采用这种测试方法的一种测试装置。一个测试衬底所拥有的原边线圈和一个OLED面板所拥有的副边线圈通过一个固定间隔被重叠在一起。对原边线圈输入一个交流信号，利用电磁感应在副边线圈上产生一个电动势。利用这一电动势来操作OLED面板所拥有的象素。通过一个固定间隔使一个象素电极和一个测试电极重叠在一起。通过监测在测试电极上产生的交流电压来检测故障点。另外还可以通过在改变测试电极位置的同时监测在测试电极上产生的交流电压而确认各个象素的工作状态。
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公开(公告)号：CN1266985C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN00130493.3
申请日：2000-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种薄膜形成设备，用于精确地形成由聚合物制成的有机EL材料的薄膜，没有位置偏离，而且产量高。由一些堤状物将象素部分分成许多象素线，使薄膜形成设备的头部沿象素线移动，可分别将涂敷液(R)、涂敷液(G)和涂敷液(B)同时涂敷成带状。然后通过加热这些涂敷液，可以形成发射相应红色、绿色和蓝色光的发光层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1265470C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN00130498.4
申请日：2000-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 为了提供一种高效率薄膜沉积方法，用于精确地薄膜沉积由聚合物制成的有机EL材料而没有任何偏移。象素区被棱分割为多个象素行，薄膜沉积装置的头部沿着象素行扫描从而同时把红光发射层涂敷液体、绿光发射层涂敷液体和蓝光发射层涂敷液体涂敷成条状。然后进行热处理以便形成发射红、绿和蓝色光的光发射层。
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公开(公告)号：CN1479137A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03133133.5
申请日：1992-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/3205
Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN1441460A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN02158432.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01S3/00 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
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公开(公告)号：CN1421901A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02160249.2
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02678 , B23K26/04 , B23K26/0604 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/12 , B23K26/1224 , B23K26/123 , B23K26/127 , H01L21/02683 , H01L21/2026
Abstract: 提供一种采用激光结晶技术的半导体制造装置，用于提高衬底的处理效率和提高半导体膜的迁移率。该多室系统的半导体制造装置包括用于形成半导体膜的膜形成设备以及激光照射设备。激光照射设备包括用于相对于照射物体控制激光照射位置的第一装置、用于发射激光的第二装置(激光振荡器)、用于处理或会聚激光的第三装置(光学系统)、以及按照被第三装置处理的激光的束点可以覆盖根据掩模结构(图形信息)的数据确定的位置的方式用于控制第二装置的振荡和用于控制第一装置的第四装置。
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公开(公告)号：CN1421899A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152955.8
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , G06F9/45
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L23/544 , H01L27/1285 , H01L29/04 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 根据TFT排列，实现了对晶粒的位置控制，同时，提高了在结晶过程中的处理速度。更具体地说，提供了一种半导体设备的制造方法，在这种制造方法中，可以通过人为控制的超级横向生长，来连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并提高在激光结晶过程中的基底处理效率。在这种半导体设备的制造方法中，不用对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便尽量少地使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以缩短，从而加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法中，可以解决传统SLS方法的内在问题，这是因为在传统SLS方法中，基底处理效率很低。
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