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公开(公告)号：CN102473735A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034955.9
申请日：2010-07-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/134309 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/24 , H01L29/517 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。
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公开(公告)号：CN102473728A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029505.0
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/477
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。
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公开(公告)号：CN102255053A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110184965.7
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102244202A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110184889.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN1700826B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200510081725.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , G09G3/3291 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L51/5012 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/525 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L51/5284 , H01L2251/301 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。
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公开(公告)号：CN101944485A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010222525.1
申请日：2010-07-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/324 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
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公开(公告)号：CN101395966A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007322.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/14 , C09K11/00 , C09K11/54 , C09K11/56 , C09K11/59 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/78 , C09K11/84 , C09K11/88 , H01L51/50
CPC classification number: C09K11/612 , H01L51/5012 , H05B33/145
Abstract: 发光层包含：发光基材，它包括硫族化合物；以及发光中心，它包括两种卤族化合物。硫族化合物包含硫族元素以及选自周期表第2到13族的元素，并且卤族化合物包含卤族元素以及选自典型的金属元素、过渡金属元素或稀土元素中的元素。
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公开(公告)号：CN1476048A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03132892.X
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5206
Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。
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