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公开(公告)号：CN108376820A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810095852.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种功分器的设计方法，包括以下步骤：步骤S1：根据与该功分器相连接的下级电路的输入阻抗确定功分器的输出阻抗，使两级之间达到级间阻抗匹配，省去之间的匹配电路；步骤S2：根据功分器的输出阻抗设计功分器电路结构。与现有技术相比，本发明对传统的标准功分器的做了进一步的改进和优化，输出端口的负载阻抗打破了以往标准50Ω的传统，可以根据下一级电路的输入阻抗的大小进行设置，并根据负载阻抗的变化，设计功分器的隔离电阻参数和每一级的微带线参数。本发明技术方案在功率放大器电路中更易于向下级做匹配甚至省去了到下一级电路的匹配电路，这不但减小了整个电路的复杂度，同时也降低了电路损耗和成本。
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公开(公告)号：CN107332527A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710436098.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于紧凑型输出匹配网络的宽带高效J类功率放大器实现方法，包括紧凑型输出匹配网络、GaN HEMT晶体管、基于切比雪夫低通滤波器原型的输入匹配网络，其中，紧凑型输出匹配网络为LC低通匹配网络，为了增强带宽性能，使用开路扇形微带传输线代替并联电容器。输入匹配网络采用基于切比雪夫低通原型的多级低通匹配网络进行设计，以系统地提高带宽。相对现有技术，本发明通过采用一种新型的晶体管输出阻抗计算方法，改进传统J类放大器的输入输出匹配网络，增强了J类放大器的效率和带宽，使其在更宽的带宽内有效地放大信号。
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公开(公告)号：CN106876482A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710086828.7
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/812 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/338
CPC classification number: H01L29/8122 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66848
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN106684143A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710086528.9
申请日：2017-02-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7789 , H01L29/66462 , H01L29/7788
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的异质结场效应管器件(VC‑HFET)及其制备方法。所述异质结场效应管器件包括源极、漏极、栅极以及至少一异质结沟道，所述异质结沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述异质结沟道位于异质结构内，所述异质结构包括第二半导体和环绕第二半导体设置的第一半导体，第一半导体的禁带宽度大于第二半导体，且所述异质结沟道内形成有二维电子气或二维空穴气，所述源极与漏极经所述二维电子气或二维空穴气电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的异质结场效应管器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。
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公开(公告)号：CN106411265A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610888690.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种拓展带宽的非对称Doherty功率放大器及其实现方法，采用非对称功分器用于将输入功率进行不等分，并将功率较小的第一信号输出给所述主功率放大电路以及将功率较大的第二信号输出给所述辅助功率放大电路；主功率放大电路的输出端与阻抗变换器T1的一端相连接，辅助功率放大电路的输出端与第二阻抗变换器T2的一端相连接，第二阻抗变换器T2的另一端与第三阻抗变换器T3的一端相连接，阻抗变换器T1的另一端与第三阻抗变换器T3的另一端相连接，并共同与负载的一端相连接。采用本发明的技术方案，使Doherty功放在功率回退9dB时仍然能够保持高效率的同时增大了非对称Doherty功放的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106301254A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610604897.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种高效宽带有序的谐波匹配结构及其谐波控制方法，一种高效宽带有序的谐波匹配结构，包括谐波控制电路和基波匹配电路，功率放大器的输出信号经所述谐波控制电路和基波匹配电路加载到负载端，所述谐波控制电路包括N个十字形匹配结构，每个十字形匹配结构形成λ/4微带线并有序串行连接，直至第N十字形匹配结构的输出端与所述基波匹配电路的输入端相连接，所述基波匹配电路的输出端与负载端相连接。相对于现有技术，本发明提供的高效宽带有序的谐波匹配结构，将现有以中心频率的谐波控制结构扩展为对不同频率点谐波进行控制，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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公开(公告)号：CN105897182A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610307653.3
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于谐波控制的高效率Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端和峰值功率放大电路的输出端与负载调制网络相连接，经负载调制网络将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过在E类功率放大器中利用谐波控制电路控制高次谐波，并通过谐波控制网络将负载阻抗变换到需要的基波阻抗，同时在奇次谐波频率上开路，在偶次谐波频点上短路，实现波形整形的目的，在理论上功放管没有功率损耗，使得功放的理想漏极效率可以达到100％。
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公开(公告)号：CN120087313A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510070975.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/27
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，至少包括以下步骤：步骤S1：将GaN HEMT器件建模为小信号等效电路模型；步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数；步骤S3：提取内部本征参数；步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpg，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数τ。
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公开(公告)号：CN115354311A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210835371.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置，所述微波发生部将微波馈入所述CRLH波导阵列，所述CRLH波导包括BJ26标准矩形波导、CRLH波导阵列、金属壁和缝隙阵列，所述缝隙阵列在CRLH波导阵列的中心线位置开槽；此开槽的横截面为矩形结构，该矩形长度为自由空间传播的微波半波长；共振腔设置在CRLH波导阵列的下方，高度为自由空间传播的微波半波长，底部设置若干个激发槽，槽横截为矩形结构，长度以及宽度取决于共振腔底部面磁流强场区域的分布；CVD反应室设置在共振腔下方，激发槽垂直切割表面电流，所辐射的能量使得工作气体电离，微波以表面波的形式沿着石英介质窗口的下表面传播，从而在石英介质窗口下形成均匀的表面波等离子体。
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公开(公告)号：CN111430242B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010163797.2
申请日：2020-03-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
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