多端口相位补偿嵌套式微波等离子体金刚石膜沉积装置

    公开(公告)号:CN114975063A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210446059.8

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种多端口相位补偿嵌套式微波等离子体金刚石膜沉积装置,谐振腔部分包括内腔体、环形波导、缝隙开口、石英环、金属台、沉积台、衬底和凹槽,其中,缝隙开口位于内腔体的壁上,连通内腔体与环形波导;金属台支撑石英环;沉积台设置在内腔体的底部中心位置,为工字形;衬底设置在沉积台的上方;凹槽设置在内腔体的顶部;内腔体和石英环均为空心圆柱形,环形波导环绕内腔体设置;微波传输部分设置若干个,均与谐振腔部分连接,将微波馈入内腔体,包括微波源、环形器和波导魔T结构,微波源产生微波振荡,环形器设置在微波源的出口,保护微波源不受反射的微波功率的影响,波导魔T结构用于调谐阻抗。

    复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置

    公开(公告)号:CN115354311A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202210835371.6

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明公开了一种复合左右手波导的缝隙阵列天线表面波等离子沉积装置,所述微波发生部将微波馈入所述CRLH波导阵列,所述CRLH波导包括BJ26标准矩形波导、CRLH波导阵列、金属壁和缝隙阵列,所述缝隙阵列在CRLH波导阵列的中心线位置开槽;此开槽的横截面为矩形结构,该矩形长度为自由空间传播的微波半波长;共振腔设置在CRLH波导阵列的下方,高度为自由空间传播的微波半波长,底部设置若干个激发槽,槽横截为矩形结构,长度以及宽度取决于共振腔底部面磁流强场区域的分布;CVD反应室设置在共振腔下方,激发槽垂直切割表面电流,所辐射的能量使得工作气体电离,微波以表面波的形式沿着石英介质窗口的下表面传播,从而在石英介质窗口下形成均匀的表面波等离子体。

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