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公开(公告)号：CN104916684B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510319284.5
申请日：2015-06-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本发明能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。
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公开(公告)号：CN105576020A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN204720458U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520477247.2
申请日：2015-07-06
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 黄火林
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种具有三明治栅极介质结构的HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的GaN层；位于GaN层上的势垒层、源电极和漏电极，势垒层背离GaN层的一侧具有凹槽；位于源电极、漏电极和除凹槽以外的势垒层上的钝化层；包覆凹槽表面和钝化层表面的第一介质层；位于第一介质层上的第二介质层，第二介质层内含氟离子；位于第二介质层和除第二介质层以外的第一介质层上的第三介质层；与第三介质层接触的栅电极；与源电极接触的源极焊盘以及与漏电极接触的漏极焊盘。本实用新型能够实现HEMT器件大阈值电压常关型操作的同时有效提升器件的击穿电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221926061U
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202323581811.9
申请日：2023-12-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01N15/1434 , G01N15/149 , G01N15/14
Abstract: 一种低背景噪声颗粒物检测仪，包括光源、光电探测器、光学透镜、外加磁场和黑色样品池。黑色样品池的内表面呈黑色用以吸收激发光，其材质为不透光且不产生荧光的材料；黑色样品池的侧壁具有多个相互垂直的小孔通道，分别与光源和光电探测器相连；光源发射的激发光通过其中一小孔通道进入黑色样品池，照射待测样品；待测样品中的颗粒物在激发光的照射下发出信号光，信号光通过其余小孔通道进入光电探测器；颗粒物利用重力和外加磁场实现对气泡颗粒、铁磁颗粒和非铁磁颗粒的在线成像与识别；光学透镜位于小孔通道内，用于聚焦激发光或信号光；通过测试信号光的强度分布和光谱等信息可以获知待测样品中颗粒物的尺寸、组分与含量。
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公开(公告)号：CN205508826U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201620147905.6
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层、且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层、且与漏电极接触的漏电极焊盘。本实用新型能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN204720456U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520398901.0
申请日：2015-06-11
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 黄火林
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型涉及半导体器件领域，提供一种纵向短开启栅极沟道型HEMT器件，所述HEMT器件包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上的第一GaN层，第一GaN层背离缓冲层的一侧具有凹槽；依次嵌入凹槽中的第二GaN层和第二势垒层；位于除凹槽以外的第一GaN层上的第一势垒层；位于第一势垒层和第二势垒层上的介质层；与第一GaN层接触的源电极和漏电极，且源电极和漏电极的侧面从下到上依次与第一势垒层和介质层接触；与介质层接触的栅电极。本实用新型能够获得HEMT器件的常关型操作模式，实现大阈值电压的同时有效减小器件的导通电阻，栅极结构还具有电容小，器件开关速度快等特点。
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