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公开(公告)号：CN113964202A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111196555.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件制备的测试方法与系统，其中，将拉曼测试装置引入到环栅器件制备的工艺环节，进而，能够在生长外延层后、刻蚀鳍片后、源漏外延(且伪栅极被去除)、释放牺牲层后、HKMG包裹沟道后、后等至少之一时间点对沟道对应位置的应力进行测试，在此基础上，测试结果可反应出沟道对应位置应力随制备工艺环节的变化。其中，由于拉曼测试装置的测试光的光斑面积较小，进而，可在测试中表征出较小尺寸的结构应力，同时，该过程中，也不会对样品表面产生损伤。可见，本发明能够在无损的情况下准确对各工艺环节下沟道对应位置的应力进行测试与表征，为制备工艺的进一步分析与改进提供准确、充分的依据。
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公开(公告)号：CN113394295A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650073.5
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN113180645A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110591048.4
申请日：2021-05-28
IPC: A61B5/11
Abstract: 本发明提供一种基于动态点云分割的多节段足部运动学分析系统及方法，该系统包括3D点云采集部、计算处理部和服务器，3D点云采集系统包括物理平台、多个支撑云台以及多个深度传感器模组；所述物理平台由支撑架、上板构成；该方法包括如下步骤：步骤1，检查系统是否需要重新标定，当需要时，则进入步骤2，当不需要时，则进入步骤3；步骤2，系统标定；步骤3，数据采集。本发明由于无需标记物，可以测量受试者更加接近真实步态的多节段足部运动学参数；整个系统的精度能够使用标定物进行标定；同时，由于可以实现端到端的处理功能，采集效率很高、能够支持多节段足部运动学数据的大批量采集和分析。
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公开(公告)号：CN112908853A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110114036.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管及其制备方法、电子设备，其中的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，所述外延层中与所述衬底相接触的一层为底层牺牲层；刻蚀所述衬底与所述外延层，以形成鳍片；刻蚀所述鳍片中剩余的外延层，以在鳍片的第一侧与第二侧刻蚀出源极区域与漏极区域，其中，刻蚀的最终终点低于所述剩余的外延层中底层牺牲层的最高处，且不低于衬底与底层牺牲层的连接处；鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧；在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。
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公开(公告)号：CN111084685A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN202010016748.6
申请日：2020-01-08
Abstract: 本发明提供一种支撑相控制膝关节支具，包括：鞋垫；内侧膝关节模块，包括小腿内侧连杆、大腿内侧连杆和小腿内侧连杆限位块；内侧关节盖板，连接于大腿内侧连杆上；外侧膝关节模块，包括小腿外侧连杆、大腿外侧连杆和小腿外侧连杆限位块；外侧关节盖板，连接于大腿外侧连杆上；小腿前挡板，两侧分别连接于小腿内侧连杆和小腿外侧连杆上；大腿前挡板，连接于大腿内侧连杆和大腿外侧连杆上；传感器模块，用于检测使用者的步态行为；控制模块，用于根据使用者的步态行为控制两个弹簧预紧单向棘轮模块的状态，其中，外侧膝关节模块还包括设置于外侧关节盖板外内侧的弹簧预紧单向棘轮组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110916679A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911410773.6
申请日：2019-12-31
Abstract: 本发明提供了一种人体下肢位姿步态检测装置，用于检测人体的下肢位步态，包括：多个九轴运动传感器，布置于人体的后腰部、双侧大腿、小腿以及足部位置，用于检测三轴加速度、三轴角速度以及三轴地磁场数据；多个压力传感器，布置于人体的足底，用于检测压力数据；多个角度传感器，布置于人体的关节处，用于检测关节弯曲角度数据；以及主控制器，设置在人体的腰部，通过CAN总线分别与九轴运动传感器、压力传感器以及角度传感器连接。本发明还提供了一种采用人体下肢位姿步态检测装置进行的步态检测方法来根据各个传感器的检测数据处理分析得到步态检测结果。
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公开(公告)号：CN110416085A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618159.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种SiGe沟道结构的半浮栅晶体管及其制作方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底；SiGe层，衬底上的SiGe层；衬底中的U型槽；第一栅极叠层，包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，第一栅氧化层覆盖U型槽的表面并部分覆盖SiGe层，在SiGe层形成开口，第一多晶硅层覆盖第一栅介质层，在开口处与SiGe层相接触；第二栅极叠层，包括第二栅氧化层和第二多晶硅层，第二栅氧化层覆盖第一多晶硅层和部分SiGe层，第二多晶硅层覆盖第二栅氧化层；栅极侧墙，以及源区和漏区。本发明通过改变沟道材料为SiGe，提高了电子和空穴的迁移率，提高了半导体存储器的速度，并克服了器件微缩带来的短沟道效应。
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公开(公告)号：CN102544103A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210005872.8
申请日：2012-01-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种InP反型n沟道场效应管及其制备方法。该nMOSFET主要由表面晶格方向为（111）A的InP半导体衬底、高介电常数栅介质和金属栅源漏电极组成。本发明中的nMOSFET结构，表现出优异的电流特性。同时，在连续直流电压的扫描激励下，该器件的饱和电流性能稳定可靠，其电流漂移值几乎为零。这种nMOSFE结构解决了长久以来InPMOSFET器件上的电流漂移问题。本发明还进一步提供了上述nMOSFET结构的集成制备方法。
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公开(公告)号：CN119181641A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310753033.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供一种环栅器件及其外延方法，方法包括：S1，提供一衬底，在垂直于衬底的方向上形成交替堆叠的N层沟道层和N层鳍片层；S2，基于衬底和鳍片层进行第一次外延生长，以形成底部种子层和岛状种子层；底部种子层生成于衬底的表面，岛状种子层形成于N层鳍片层的表面；S3，刻蚀底部种子层和岛状种子层，以消除未与底部种子层合并的岛状种子层；S4，基于底部种子层和鳍片层进行第M次外延生长，以使底部种子层增厚，以合并暴露于底侧的岛状种子层，M和N均为任意大于1的整数；S5，交替重复S3‑S4，直至底部种子层与位于顶侧的岛状种子层合并，以形成源极外延层和漏极外延层。该方法用于形成无错位或空隙的源漏外延，提升环栅器件的质量。
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公开(公告)号：CN116510159A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310062004.1
申请日：2023-01-19
Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院(上海市青浦区中心医院)
IPC: A61M25/14 , A61B5/0215 , A61B5/00 , A61B90/00
Abstract: 本发明提供了一种动脉转流装置及其使用方法，属于医疗器械技术领域，其中，动脉转流装置包括转流管、引导管和测压件，引导管两端用于与人体动脉连通，以转流颈动脉内血液；测压件包括设置在所述引导管的部分外侧周壁且与所述引导管内部连通的连通管，所述连通管上设有密封所述连通管截面的压力感应件，所述动脉转流装置与人体动脉连通时，压力感应件能够受人体动脉血液压力影响形变而同步搏动，从而可根据压力感应件的形变程度判断动脉血压大小；且压力感应件能随动脉的血液压力同步搏动，可实时感应动脉上的血压变化，有助于手术过程的顺利进行，有效解决了现有技术中的转流管在使用时无法判断血流通畅情况以及血流压力大小的技术问题。
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