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公开(公告)号：CN110695368A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810753194.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种带有配体A的八杈金纳米粒子、制备方法、应用及中间体。本发明所述的八杈金纳米粒子每个枝杈的单臂长度为10nm～30nm，单臂宽度为5nm～20nm，该八杈金纳米粒子的制备方法简单温和、反应速率快、重复性高且易规模化，制备得到的带有配体A的八杈金纳米粒子吸收光谱峰窄且强度高、单分散性好、形貌可控，具有良好的光热、光声性能。
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公开(公告)号：CN109986072A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711486898.8
申请日：2017-12-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种四杈金纳米粒子、制备方法及其应用。本发明提供的四杈金纳米粒子的单臂长度为10‑30nm，单臂宽度为5‑15nm；所述四杈金纳米粒子的四个枝杈的生长方向均为 方向，且空间对称性归属于D2d点群；所述四个枝杈为两组枝杈，每组有两个相互垂直的枝杈，且所述两组枝杈所在平面互相垂直；所述配体A为阳离子表面活性剂。所述四杈金纳米粒子的吸收光谱峰窄且强度高、单分散性好且形貌可控，制备方法简单温和、反应速率快、重复性高且易规模化。
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公开(公告)号：CN106800274B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201710088394.4
申请日：2017-02-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种调节二维金属纳米粒子阵列的间距、密度和光学性质的方法，属于功能材料技术领域。通过气体等离子体对电中性的聚合物薄膜基底表面进行处理，使其表面产生带电荷的化学基团，在不同温度下热退火处理，然后利用层层自组装技术，使其表面吸附携带有正电荷的聚电解质，此时基底上便具有不同密度的正电荷，最后将基底浸泡在预先制备得到的带有相反电荷的金属纳米粒子溶液中足够长时间，取出冲洗、吹干后便可得到不同粒子间距、密度和光学性质的二维金属纳米粒子阵列。此外，将具有温度梯度的热源应用在热退火这一步中，最终可以得到具有大面积梯度的样品，其纳米粒子的间距、密度，以及光谱中的吸收峰的强度和峰位在整个样品上呈现梯度变化。
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公开(公告)号：CN108249391A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810081118.X
申请日：2018-01-29
Applicant: 吉林大学
IPC: B81C1/00 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/02 , H01L21/306
Abstract: 一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法，属于材料科学技术领域。本发明结合界面自组装和胶体晶体刻蚀的方法，在硅基底表面制备出六方非紧密堆积的纳米圆柱阵列，通过不对称地在柱阵列的左右两侧修饰酸碱响应功能基团，我们实现了诱导强酸强碱沿着不同方向单向浸润的“两面神”基底，该基底同样可以诱导酸碱度介于1和13之间的液体从单向浸润，向各向异性浸润、各向同性浸润、反方向各向异性浸润、反方向单向浸润转换。“两面神”基底在被酸碱处理后，对水同样展示了响应浸润行为，水可以在两个方向的单向浸润之间相互转换。本发明步骤简单，不涉及昂贵的仪器，其卓越的刺激响应性会在许多领域有着重要应用。
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公开(公告)号：CN108179404A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810087310.X
申请日：2018-01-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于生长法构筑有序金属纳米孔阵列的方法，属于材料科学技术领域。其是在基底上修饰一层带正电性的单分子层，接着利用界面组装技术在基底上一层六方紧密排列的胶体晶体微球，然后将基底浸泡在带相反电荷的金属纳米粒子溶液中足够长时间，再浸泡在金属生长液中不同时间，取出后冲洗吹干，即可得到尺寸、光谱可调的有序金属纳米孔阵列。此外，加热处理将胶体微球和基底的接触面积增大并保持一定面积不变，再进行生长可使有序金属纳米孔阵列的孔径保持不变、膜厚和光谱单一调控：选择不同直径的胶体微球生长相同时间，则可得到膜厚不变、孔径和光谱单一可调的有序金属纳米孔阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108097338A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810003426.0
申请日：2018-01-03
Applicant: 吉林大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 一种基于纳米结构之间纳米缝隙的微‑纳流控芯片及其制备方法，属于微‑纳流控芯片技术领域。本发明结合传统光刻技术与胶体晶体刻蚀方法，在硅基底表面的选定位置制备几十至几百纳米的纳米结构阵列，利用纳米结构之间的纳米缝隙作为纳米通道，用以连接微孔道，形成微‑纳流控芯片。本发明通过改变刻蚀的条件以及所用微球的尺寸，可以精确地调控所制备纳米缝隙及孔道的尺寸。适用于PDMS‑硅、玻璃‑硅、PDMS‑玻璃等材质的微‑纳流控芯片的制备。用本方法制备的纳米孔道中，纳米结构本身具有很大的表面积，使得制备的纳米孔道的表面‑体积比与传统纳米孔道相比得到很大的提高，有利于对孔道表面进一步的修饰，从而进一步赋予不同的功能。
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公开(公告)号：CN107328750A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710463707.X
申请日：2017-06-19
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种高活性和高均一性的表面增强拉曼散射基底及其制备方法，属于功能纳米材料和分析检测技术领域。本发明利用静电吸附作用，在基底上均匀地组装上尺寸均一的球形金属纳米粒子阵列。在此基础上，再沉积一层金属，得到金属纳米球与纳米孔的杂化结构，同时在纳米球和纳米孔之间形成的环形纳米缝隙充当了SERS的“热点”。而环形缝隙的宽度可以通过沉积金属的厚度进行可控调节，从而对基底的拉曼增强效果进行优化。本发明通过消除异常“热点”对SERS信号的负面影响，能够实现SERS基底出色的均一性。
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公开(公告)号：CN106395737A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610843146.1
申请日：2016-09-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: B81C1/00349 , B81C2201/0174 , B82B3/0009 , B82Y40/00
Abstract: 一种利用等离子刻蚀机的垂直电场分布制备材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列功能材料的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合倾斜放置的样品和等离子刻蚀机的垂直电场在多种材料中引入梯度结构阵列，整个过程操作简便，通过调控刻蚀条件和基底材料的种类可以在多种材料(聚合物、氧化物、金属等)中引入形态可控的梯度结构。本发明步骤简单，根据具体使用材料更换相应的刻蚀气体即可完成制备目的结构样品，实例中所制备的梯度微纳米级结构是二维尺度上的，其在微纳米级形态结构上是呈梯度变化的，通过在材料表面的后处理，可以更加灵活的应用。
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公开(公告)号：CN101969102B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010247438.1
申请日：2010-08-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: H01L51/426 , H01L51/0003 , H01L51/0038 , H01L51/4213 , Y02E10/549
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种采用全水相合成半导体纳米晶与导电聚合物进而制备高效有机/无机杂化太阳能电池的方法。主要包括水相纳米晶和水相共轭聚合物的合成，太阳能电池器件的制备三个步骤。该方法制备的太阳能电池所需的纳米晶材料来源广泛，种类众多，尺寸可调；所采用的共轭聚合物的分子结构和分子量可调，有助于提高对太阳光的吸收。电池器件加工能够在室温下空气中进行，过程绿色环保无污染，加工周期短，成本低廉。该方法开辟了一种制备有机/无机杂化太阳能电池的新方法，成功地将水相合成的优质纳米晶引入高效太阳能电池的制备过程中，是一种绿色无污染的新型太阳能制备技术。
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公开(公告)号：CN101280037B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200810050721.8
申请日：2008-05-20
Applicant: 吉林大学
IPC: C08F212/08 , C08F2/02 , C08F2/44 , C08F220/10 , C08K9/04 , C09K11/88
Abstract: 本发明涉及一种近红外半导体纳米合金与聚合物复合材料的制备方法，特别涉及一种制备波长在近红外(1100～1400nm)范围内可调的CdHgTe半导体纳米合金的透明聚合物体相材料的方法。其是利用CdTe与HgTe在水溶液中溶解度的巨大差异，采用一步法制备性质稳定的类核壳结构CdHgTe半导体纳米合金，通过可聚合表面活性剂将水溶性CdHgTe半导体纳米合金转移到油相、加入有机单体、引发剂等原位进行本体聚合，是一种通过合成性质稳定的半导体纳米合金，进而获得半导体纳米合金/聚合物体相材料的新方法，可实现功能纳米微粒的体相化和聚合物结构材料的功能化。聚合产物为典型的本体聚合产物，外观透明，易于机械加工。
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