公开(公告)号：CN106395737B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201610843146.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张俊虎 ,  薛培宏 ,  崔占臣 ,  杨柏

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种利用等离子刻蚀机的垂直电场分布制备材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列功能材料的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合倾斜放置的样品和等离子刻蚀机的垂直电场在多种材料中引入梯度结构阵列，整个过程操作简便，通过调控刻蚀条件和基底材料的种类可以在多种材料(聚合物、氧化物、金属等)中引入形态可控的梯度结构。本发明步骤简单，根据具体使用材料更换相应的刻蚀气体即可完成制备目的结构样品，实例中所制备的梯度微纳米级结构是二维尺度上的，其在微纳米级形态结构上是呈梯度变化的，通过在材料表面的后处理，可以更加灵活的应用。

公开(公告)号：CN109575204A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811555079.9

申请日：2018-12-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张俊虎 ,  陈星池 ,  薛培宏 ,  杨柏

IPC: C08F292/00 ,  C08F220/20 ,  B22F9/24

CPC classification number: C08F292/00 ,  B22F9/24 ,  C08F220/20

Abstract: 一种利用金纳米粒子制备纳米尺寸聚合物刷阵列的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合金属纳米粒子与界面基团的吸附作用和等离子体刻蚀的方法，在硅基底表面制备出硅烷化的氨基阵列，随后在氨基阵列上进行表面引发原子转移自由基聚合，可以在大面积基底上制备出纳米尺度上的聚合物分子刷阵列。通过改变纳米粒子吸附时间，我们制备出了密度梯度分子刷阵列，通过改变金属纳米粒子生长时间，制备出了尺寸梯度的聚合物分子刷阵列。我们制备的纳米粒子点阵高度在2.5～13nm之间，尺寸在28～80nm之间。本发明步骤简单，操作简便，可重复性高，不涉及昂贵仪器，其卓越的普适性可以应用到各种聚合物的制备以及功能化后的应用。

公开(公告)号：CN109575204B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201811555079.9

申请日：2018-12-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张俊虎 ,  陈星池 ,  薛培宏 ,  杨柏

IPC: C08F292/00 ,  C08F220/20 ,  B22F9/24

Abstract: 一种利用金纳米粒子制备纳米尺寸聚合物刷阵列的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合金属纳米粒子与界面基团的吸附作用和等离子体刻蚀的方法，在硅基底表面制备出硅烷化的氨基阵列，随后在氨基阵列上进行表面引发原子转移自由基聚合，可以在大面积基底上制备出纳米尺度上的聚合物分子刷阵列。通过改变纳米粒子吸附时间，我们制备出了密度梯度分子刷阵列，通过改变金属纳米粒子生长时间，制备出了尺寸梯度的聚合物分子刷阵列。我们制备的纳米粒子点阵高度在2.5～13nm之间，尺寸在28～80nm之间。本发明步骤简单，操作简便，可重复性高，不涉及昂贵仪器，其卓越的普适性可以应用到各种聚合物的制备以及功能化后的应用。

公开(公告)号：CN106395737A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610843146.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张俊虎 ,  薛培宏 ,  崔占臣 ,  杨柏

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C2201/0174 ,  B82B3/0009 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种利用等离子刻蚀机的垂直电场分布制备材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列功能材料的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合倾斜放置的样品和等离子刻蚀机的垂直电场在多种材料中引入梯度结构阵列，整个过程操作简便，通过调控刻蚀条件和基底材料的种类可以在多种材料(聚合物、氧化物、金属等)中引入形态可控的梯度结构。本发明步骤简单，根据具体使用材料更换相应的刻蚀气体即可完成制备目的结构样品，实例中所制备的梯度微纳米级结构是二维尺度上的，其在微纳米级形态结构上是呈梯度变化的，通过在材料表面的后处理，可以更加灵活的应用。