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公开(公告)号:CN112908806B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202110058615.X
申请日:2021-01-16
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种电子源封装,包括基板、密封罩、电子源,其中基板内设置电源,密封罩设置于基板上且与基板形成密闭空间,电子源设置于密闭空间基板上;电子源包括衬底、纳米线束、电极环、抗反射层、保护层,其中衬底设置于基板上且接地,纳米线束设置于衬底上,电极环设置于纳米线束上方且与基板电源电连接,抗反射层设置于电极环上,保护层设置于抗反射层上。
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公开(公告)号:CN110398286B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201910345199.4
申请日:2019-04-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种基于阵列探测法的激光光斑恢复方法,包括以下步骤:对阵列探测器光强分布的四周非密集区域进行双线性插值和反双线性插值计算,对得到的双线性和反双线性插值进行加权平均融合,得到完整的光斑分布;根据初始的光强分布得到光斑中心,并且在光斑中心周围取若干探测点,通过光斑中心位置和探测点的高斯拟合得到理想的光斑的高斯分布图像;将高斯拟合得到理想光斑分布图像和完整的光斑分布图像进行融合,其中融合系数为各拟合像素位置到光斑中心距离的倒数。
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公开(公告)号:CN108681992B
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN201810364083.0
申请日:2018-04-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于探测器阵列法测量激光光斑的图像插值方法,包括以:根据探测器探知的已有光斑的能量分布,初步确定光斑中心的位置以及水平垂直方向的尺寸;通过光斑中心的水平和垂直方向取采样点,拟合得到高斯方程,生成理想高斯分布图像;根据从原图像中获得的尺寸信息,对高斯分布图像以原图像的光斑中心为基准点,进行缩放变换,得到粗插值结果;所述原图像为已有光斑的能量分布图;对原图像靠近中心的部分采用Lanczos算法进行插值,对离光斑中心较远的区域采用双线性插值法进行插值,得到精插值结果图像;对得到的粗插值与精插值两幅图像结果进行简单加权融合,最终得到插值图像。
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公开(公告)号:CN112908806A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110058615.X
申请日:2021-01-16
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种电子源封装,包括基板、密封罩、电子源,其中基板内设置电源,密封罩设置于基板上且与基板形成密闭空间,电子源设置于密闭空间基板上;电子源包括衬底、纳米线束、电极环、抗反射层、保护层,其中衬底设置于基板上且接地,纳米线束设置于衬底上,电极环设置于纳米线束上方且与基板电源电连接,抗反射层设置于电极环上,保护层设置于抗反射层上。
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公开(公告)号:CN107644406B
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN201710868505.3
申请日:2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于改进的正交匹配追踪的图像去噪方法。该方法步骤如下:首先对图像进行数字化处理,将图像当中的每个像素视为一个原子;然后通过残差r与测量矩阵Φ中各个原子之间内积的绝对值,来计算相关系数,以此选出L个值,并将这L个值的索引值存入索引矩阵Am中,更新测量矩阵Φ,直到满足条件残差足够小,且最后求得的残差小于上一次的残差,根据得到的残差重建图像,实现去噪。本发明在进行信号采样的同时进行信号的稀疏编码,利用信号自身的稀疏性实现信号的稀疏分解和重建,保留了图像的细节特征,提高了去噪精度。
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公开(公告)号:CN110675718A
公开(公告)日:2020-01-10
申请号:CN201910934656.3
申请日:2019-09-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: G09B25/00
Abstract: 本发明公开了一种可实现标准立方星功能的地面教育卫星套件及其演示方法,套件包括一单元卫星本体、地面演示终端及实现两者交互的Lora无线通信模块。演示终端发送上行控制指令,卫星收到不同指令后选择不同动作执行并下行返回数据信息;用户通过相应上行指令调整更改卫星运行情况、获取卫星采集到的数据信息。本发明能实现对标准立方星的功能测试,包括气压测量、通信、定位、图像获取、卫星的姿态测量及调整等,也可用于卫星的设计装配、集成与测试,软件编程、硬件系统开发和卫星地面测控,适用于对各种层次的人员培训和针对立方星进行学习以及调试时使用。本发明具有结构紧凑、系统完整、演示功能全面和直观等优势,可适用于航天工程专业教育。
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公开(公告)号:CN110491751A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910443189.4
申请日:2019-05-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极,包括p型GaAs衬底层、p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层、Cs/O激活层;其中p型GaAs衬底层设置于最下方,p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层包括若干设置于p型GaAs衬底层上底面的等厚的带有陷光结构的p型变掺杂GaAs纳米线,Cs/O激活层若干且分别设置于相应的p型变掺杂GaAs纳米线上底面。
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公开(公告)号:CN107818900B
公开(公告)日:2019-10-18
申请号:CN201710975198.9
申请日:2017-10-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种NEA‑GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法,所述GaAs纳米锥阵列光电阴极包括衬底层以及位于衬底层表面的纳米锥阵列发射层,所述衬底为Si或者SiC等绝缘薄膜,纳米锥阵列发射层由若干p型GaAs纳米锥组成,并对生长的纳米锥阵列进行Cs/O激活。本发明提出的纳米锥阵列的有效折射率是渐变的,有效地减小了由于空气/GaAs电池界面折射率的不连续引起的光反射,在提高GaAs光电阴极量子效率的同时,降低了入射光角度对于吸收率的影响。
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公开(公告)号:CN110010324A
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201910259176.1
申请日:2019-04-02
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01F7/14
Abstract: 本发明公开一种双电磁铁并联锁定装置及其工作方法,所述包括拉杆、第一和第二滚轮、第一和第二旋转杆、连接片、第一和第二销轴、第一和第二电磁铁、第一和第二电磁铁吸片、基座、小拉簧、拉片,基座上部分别固定设置有第一和第二电磁铁,第一和第二电磁铁相对的两个端面分别配合设置有第一和第二电磁铁吸片,第一和第二电磁铁吸片分别与位于二者之间的第一和第二旋转杆的后端铰接,第一和第二销轴穿过连接片的两端实现与第一和第二旋转杆的铰接,第一和第二旋转杆的前端分别与第一和第二滚轮铰接,第一和第二滚轮分别卡接在拉片两端的弧形凹槽内。本发明通过电磁铁和电磁铁吸片配合的电磁解锁方式了实现微纳卫星的快速、稳定的解锁分离。
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