公开(公告)号：CN1797795A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410101833.3

申请日：2004-12-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  秦志新 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  杨志坚 ,  童玉珍 ,  康香宁 ,  陆羽 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。

公开(公告)号：CN1591915A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN03156440.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  张国义 ,  李忠辉 ,  余彤军 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  秦志新 ,  章蓓

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。

公开(公告)号：CN1508847A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02155062.X

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 秦志新 ,  张昊翔 ,  童玉珍 ,  张国义 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。

公开(公告)号：CN1147937C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN00129633.7

申请日：2000-09-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  丁晓民 ,  秦志新

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种以氮化镓为基础的III-族氮化物半导体材料制备半导体器件方法。本发明提供了一种将衬底生长发光二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极，相反的背面做为出光面，并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓发光二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制，提高了发光二极管有源区发光的出射率，而且提高了发光二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件，例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。