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公开(公告)号：CN106566156A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610943930.X
申请日：2016-11-02
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: C08K3/04 , C08J9/0071 , C08J9/122 , C08J2203/06 , C08J2203/08 , C08J2205/044 , C08J2333/12 , C08K2201/011 , C08L33/12
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯纳米带/PMMA微发泡纳米复合材料的制备方法，具体是：通过氧化法纵向展开多壁碳纳米管得到氧化石墨烯纳米带，再将氧化石墨烯纳米带分散在N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中高温回流进行还原得到石墨烯纳米带分散液，该分散液与PMMA共混后，经超声分散、反溶剂沉淀、冷冻干燥及热压成型处理得到石墨烯纳米带/PMMA纳米复合材料，然后将该纳米复合材料放置在模具中并置于高压反应釜中进行超临界二氧化碳饱和，饱和完毕经快速泄压得到石墨烯纳米带/PMMA微发泡纳米复合材料。本发明制备的微发泡材料泡孔孔径小，泡孔密度高，力学强度大，在航空航天、电子封装、汽车防护等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104371540B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410652035.3
申请日：2014-11-17
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C09D183/04 , C09D163/00 , B05D1/38 , B05D3/04
Abstract: 本发明涉及到一种以烷基烷氧基硅烷为载体，环氧树脂和三甲基氯硅烷为改性剂的功能梯度复合结构透明超疏水涂层的制备方法。涂层的梯度复合结构为：环氧底面粘结层、烷基烷氧基硅烷疏水中间层、表面改性功能层。首先在基板上涂覆环氧底面粘结层，再涂覆烷基烷氧基硅烷疏水中间层，最后利用三甲基氯硅烷进一步改善疏水性。涂层表面纳米颗粒均匀；接触角大于150°、滚动角小于2°；具有良好的疏水性能；机械性能良好，能耐受50次5Kpa下丝巾摩擦；透光性良好。此本发明提供的制备方法工艺简单，易操作，常压下进行大面积制膜，且对基底材料要求不高，成本较低，可用在高层建筑的窗户、车辆的挡风玻璃等透明材料的防水防污方面。
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公开(公告)号：CN106116581A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610457792.4
申请日：2016-06-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/553 , C04B35/64 , C04B2235/666 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明涉及一种透明氟化钙陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)粉末原料装样：先用金属箔包裹石墨模具内壁，再将氟化钙粉末装入石墨模具中，并用碳毡包裹模具外壁以隔热；2)透明陶瓷的烧结：将石墨模具放于放电等离子体烧结炉中，进行烧结；3)样品处理：将烧结后样品取出，粗磨、抛光，即得到透明氟化钙陶瓷。与现有技术相比，本发明的优点在于：采用本发明，可消除碳污染，提高氟化钙透明陶瓷的透光率，在紫外－可见波段最大透过率可大于87％，克服了传统放电等离子体烧结技术中由于石墨模具高温下渗碳导致的碳污染样品的问题。
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公开(公告)号：CN104087776B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W?Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100?500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W?Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W?Cu复合材料，具有W?Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN105648260A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610002971.9
申请日：2016-01-04
Applicant: 武汉理工大学
CPC classification number: C22C3/00 , B22F3/114 , B22F2998/10 , B22F1/0003 , B22F3/105
Abstract: 本发明是一种铜铁合金去合金化制备微米多孔金属铜块体的方法，该方法采用等离子活化烧结铜铁合金，而后利用化学去合金化法选择性地腐蚀合金中的铁，从而获得高强微米孔径的多孔铜块体。本发明利用铜铁合金难混溶及远低于铁的熔点快速烧结工艺，能极大的降低铜铁原子间扩散量的特点，使烧结后铁相尺寸与微米级原料粉的粒径相近，制备铜铁双连续的三维网络结构铜铁合金；使用铜粉粒径略小于铁粉粒径，形成铜颗粒包裹铁颗粒的结构，有利于保证腐蚀后孔径的均匀性；通过改变铁粉含量和粒径分布来调控多孔金属铜块体的孔隙结构；该工艺可获得孔隙分布均匀，孔径大小、孔隙率可控的高强微米多孔铜块体；具有工艺简单，成本低，以及实用性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105239057A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510747695.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本发明公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括微波源、中频感应加热器和石英管反应室，微波源与导入微波的矩形波导管连接；石英管反应室呈哑铃结构，矩形波导管套在石英管反应室的细颈处，使矩形波导管与石英管反应室的细颈之间形成微波谐振腔；石英管反应室的上粗颈通过原料气进气装置与原料气源连接；中频感应加热器的线圈围设在石英管反应室的下粗颈处；石英管反应室的下粗颈内设有底座，底座通过可升降的粗陶瓷管与热电偶连接，热电偶上依次设有基板座、基板；底座通过细陶瓷管与石墨台连接。本发明能准确、大范围的控制基板温度，提高微波等离子体的生成质量。
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公开(公告)号：CN103241761B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310157263.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种三维花状微纳米氧化铜的简易制备方法，该方法包括如下步骤：(1)纳米铜溶胶的制备：使用硼氢化钾作为还原剂，十六烷基三甲基溴化铵作为保护剂，在常温水溶液中还原铜盐来制备纳米铜溶胶；(2)纳米铜的氧化：在较低的温度下静置一段时间，使纳米铜粒子充分氧化成氧化铜粒子；(3)纳米氧化铜的陈化生长：在较低温度下，纳米氧化铜粒子规则地聚集生长成三维花状氧化铜。本发明实现了简便、低成本化制备三维花状微纳米氧化铜的方法，克服了传统制备该材料所需的高温高压的条件；制备的氧化铜材料具有结构新颖、形貌大小均一、表面粗糙度高等特点，适合做催化剂和气敏材料等。
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公开(公告)号：CN103572087B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310603256.7
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及铝基复合材料及其制备技术领域，具体公开了碳化硼颗粒增强铝基复合材料及其制备方法，该复合材料以铝合金作为基体，用作增强相的碳化硼的质量分数为2.5～30%，碳化硼颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为将碳化硼粉末和铝合金粉末混料，并通过表面活化、等离子活化烧结和热处理，制备出接近全致密的烧结试样。本发明制备铝基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，力学性能优异，并且操作简单，可控性好，是一种轻质高性能铝基复合材料。
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公开(公告)号：CN103709592B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310610875.9
申请日：2013-11-26
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种提高硼酚醛树脂基复合材料耐烧蚀性能的方法，具体是：将硼酚醛树脂破碎过筛，采用固相法或液相法与氧化硼、硼酸等粉料均匀混合，二者质量配比为1:1～9:1；固相法采用球磨混合12～36小时，液相法采用有机溶剂溶解硼酚醛树脂，然后用磁力搅拌器搅拌混合1～5小时；将混合均匀后的粉体或浆料进行预处理和研磨过筛后采用阶梯升温模压工艺制度将复合粉体成型，最后随炉冷却泄压脱模即可。本发明的优点是：利用低密度、低熔点的氧化硼或硼酸粉末作为填料，采用物理共混法热模压制备硼酚醛树脂基复合材料，该材料在高温能保持较高的热残留率、力学强度和尺寸稳定性，具有更好的热防护性能和耐烧蚀性能，可用于高温热防护材料领域。
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公开(公告)号：CN104846333A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510195661.9
申请日：2015-04-22
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上，通过使用石墨-硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜，克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足，通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件，得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。
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