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公开(公告)号：CN105986319A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610152683.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C30B29/30 , C30B9/00 , C04B35/495 , H01L41/187
Abstract: 本发明提供长方体状单晶的制造方法、长方体状单晶、陶瓷的制造方法、陶瓷、压电元件、压电装置和电子设备。本发明为含有钙钛矿结构的铌酸钠作为主要成分的长方体状单晶的制造方法，该方法包括在1200℃‑1250℃下加热铌酸铋钠和含钠的碱金属卤化物的混合物1以得到含有铌酸钠作为主要成分的长方体状单晶的工序，该铌酸铋钠由含有多个由通式(1)：Bi2.5Nam‑1.5NbmO3m+3(m为2以上的整数)表示的晶体的颗粒形成并且其中m值的平均值ma大于6。
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公开(公告)号：CN103889603B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201280050599.9
申请日：2012-10-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H02N2/001 , B08B7/02 , B08B7/028 , G02B27/0006 , G03B2205/0061 , G03B2205/0092 , H01L41/18 , H01L41/1871 , H04N5/2171 , H04N5/2254 , H04N5/357
Abstract: 提供了一种除尘装置（470）和使用该除尘装置（470）的成像装置。在将被设置在基体（501）上的除尘装置（470）中，包括由压电材料（431）和一对相对电极（432，433）形成的压电元件（430）、振动构件、以及至少含有高分子化合物成分的固定构件，其中，压电材料（431）的从第一铁电晶相到第二铁电晶相的相变温度T为60℃≤T≤-5℃，并且由此，可以适当地设计和控制该除尘装置（470），并且即使在低温下也可以获得高除尘性能。
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公开(公告)号：CN105144682A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480023069.4
申请日：2014-04-18
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02B27/0006 , H04N5/2171 , H04N5/2254
Abstract: 在包括在其表面上包含具有大致矩形形状的光学有效区域B和外部区域A的振动板和压电元件的灰尘去除装置中，当位于压电元件沿边O的方向的一个端部中并且从作为光学有效区域B的边N或N′的延伸并且与压电元件相交的线沿边P向内跨越长度b的区域由压电元件的近端区域σ表示、不包含近端区域σ的区域中的压电材料的压电常数的绝对值由d表示且近端区域σ中的压电常数的绝对值由d0表示时，满足d>d0的关系。
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公开(公告)号：CN103650186A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280033162.4
申请日：2012-06-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/468
CPC classification number: H01L41/1871 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79
Abstract: 本发明提供无铅压电材料，其在宽运行温度范围内具有稳定、优异的压电常数和机械品质因数。该压电材料包括由(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3(其中1.00≤a≤1.01，0.155≤x≤0.300，0.041≤y≤0.069)表示的钙钛矿型金属氧化物作为主要成分，和在该钙钛矿型金属氧化物中引入的锰。相对于100重量份的该钙钛矿型金属氧化物，锰含量为0.12重量份-0.40重量份，基于金属。
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公开(公告)号：CN103636017A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280031770.1
申请日：2012-06-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/253 , H01L41/43 , H02N2/16 , H02N2/14
CPC classification number: H01L41/312 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62685 , C04B35/63416 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/768 , G02B7/08 , H01L41/047 , H01L41/18 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/253 , H01L41/257 , H01L41/29 , H02N2/103 , H02N2/142 , H02N2/163 , Y10T29/42
Abstract: 提供了一种压电元件以及一种包括该压电元件的振荡波电机，该压电元件可相对于用于驱动的输入电压减小用于检测的输出电压，而不需要在检测相电极与相位比较器之间有降压电路。压电元件（20）包括具有第一表面和第二表面的压电材料，设置在第一表面上的公共电极（2），以及设置在第二表面上的驱动相电极（3）和检测相电极（8）。夹在驱动相电极（3）与公共电极（2）之间的第一部分中的压电材料的压电常数的绝对值d(1)和夹在检测相电极（8）与公共电极（2）之间的第二部分中的压电材料的压电常数的绝对值d(2)满足关系d(2)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102153344B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010570706.3
申请日：2010-11-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/468 , C04B35/622 , B41J2/045
CPC classification number: H01L41/1871 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 压电陶瓷，包括钛酸钡和相对于钛酸钡为0.04质量％-0.20质量％的锰。该压电陶瓷由晶粒组成。该晶粒包括具有30μm-300μm的圆当量直径的晶粒A和具有0.5μm-3μm的圆当量直径的晶粒B。该晶粒A和该晶粒B各自形成聚集体并且该晶粒A的聚集体和该晶粒B的聚集体形成海岛结构。
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公开(公告)号：CN102549790A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043224.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/18 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/187 , C01G33/006 , C01G35/006 , C04B35/495 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3298 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/787
Abstract: 本发明提供压电材料，其包括具有高居里温度和压电性优异的氧化铋钡铌基钨青铜结构的金属氧化物。该压电材料包括由下述通式(1)表示的具有钨青铜结构金属氧化物，其中该具有钨青铜结构的金属氧化物包括Li，并且Li的含量为0.015重量％-0.600重量％，以金属计，相对于100重量份的该金属氧化物：AXB10O30(1)其中A表示Ba和Bi，或者Ba和Bi和选自Na、Sr和Ca中的至少一种元素；B表示Nb，或者Nb和Ta；并且x表示4.5＜x＜5.5的数值。
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公开(公告)号：CN102272962A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004003.2
申请日：2010-01-06
Applicant: 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学 , 学校法人上智学院 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C04B35/111 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , H01L41/1878 , H01L41/316 , Y10S428/938 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供具有高居里温度和令人满意的压电特性的压电材料，该压电材料由下述通式(1)表示：A(ZnxTi(1-x))yM(1-y)O3 (1)其中A表示Bi元素，M表示选自Fe、Al、Sc、Mn、Y、Ga和Yb中的至少一种元素；x表示0.4≤x≤0.6的数值；和y表示0.17≤y≤0.60的数值。
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公开(公告)号：CN1661398A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510051995.5
申请日：2005-02-23
CPC classification number: G02B1/11 , C03C1/008 , C03C17/007 , C03C17/3417 , C03C2217/42 , C03C2217/425 , C03C2217/475 , C03C2217/477 , C03C2217/73 , C03C2217/732 , C03C2217/77 , Y10T428/24355 , Y10T428/24372 , Y10T428/24413
Abstract: 本发明提供一种具有以氧化铝为主要成分的微细凹凸和支撑上述微细凹凸的薄膜层的透明防止反射膜，其中，上述透明薄膜层含有从氧化锆、氧化硅、氧化钛、氧化锌中选择的至少1种。本发明提供上述的透明防止反射膜的制造方法，其中，对使用至少包含从锆、硅、钛、锌的化合物中选择的至少1种的化合物和铝化合物的涂敷液进行了制膜的多成分膜进行温水处理。
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公开(公告)号：CN1522473A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03800529.8
申请日：2003-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0015 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0512 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 本发明提供一种有机半导体器件的生产方法，通过这种方法，具有可选配置的有机半导体器件能很容易的生产出来。提供一种由栅绝缘层、栅电极、源电极、漏电极和有机半导体层组成的有机半导体器件的生产方法，该方法包含以下步骤：1)形成导电聚合物前体的单体层；2)在特定的温度下保持单体层；并3)在单体层所需位置应用氧化剂溶液以获得具有所需的电导率的聚合物层。
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