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公开(公告)号：CN106449791A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611129480.7
申请日：2016-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02168 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤：1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面，形成石墨烯层；2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层；3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极，在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极；4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层，露出石墨烯层，在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子，提高太阳电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN106159049A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510202734.2
申请日：2015-04-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 本发明提供了具有微纳结构钝化层的半导体器件，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；第一外延层，位于缓冲层之上；第一电极，从第一外延层伸出；有源发光层，位于第一外延层没有伸出第一电极的部分上；第二外延层，位于有源发光层之上；导电层，位于第二外延层之上；含有微纳结构的复合钝化层，位于导电层之上；第二电极，位于复合钝化层之上。本发明通过含有微纳结构的复合钝化层，不仅具有良好的热稳定性和优异的化学钝化特性，而且可以消除界面全反射并优化出光角度，从而获得发光二极管出光效率的大幅度提升。
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公开(公告)号：CN103715077B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410005105.6
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀；以及去胶形成U型栅槽。利用本发明，能够得到栅角圆滑的U型栅槽，有效降低了器件源漏间，尤其是栅漏间的峰值电场，提高了器件的击穿电压，减少了器件漏电，提高了器件效率。
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公开(公告)号：CN103578960B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310589191.5
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。
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公开(公告)号：CN103296071B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210050646.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/1029 , H01L29/772
Abstract: 本发明实施例公开了一种石墨烯器件，包括多条石墨烯通道及栅，其中，所有石墨烯通道的一端连接在同一个端点，所有石墨烯通道与栅接触电连接，石墨烯通道与栅的夹角互不相同。由于不同的石墨烯通道的入射波角度不同，使每条石墨烯通道具有不同的隧穿几率，使每条石墨烯通道具有不同的导通条件，可以作为多路选择器或多路分配器等器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103578942B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310559750.8
申请日：2013-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法，包括：清洗碳化硅衬底；在碳化硅衬底上采用热氧化的方法生长离子注入牺牲层薄膜；采用LPCVD方法在得到的离子注入牺牲层薄膜上生长用于控制刻蚀工艺的选择性截止层；采用外延或者生长的方法，在选择性截止层上形成绝缘介质掩蔽层；在绝缘介质掩蔽层上匀光刻胶，并光刻显影出选择性离子注入区域窗口；从选择性离子注入区域窗口对绝缘介质掩蔽层进行干法刻蚀或者腐蚀直至选择性截止层的表面；继续刻蚀或腐蚀直至离子注入牺牲层表面，并去掉光刻胶，获得超薄离子注入牺牲层薄膜。此种制作掩模的方法适用于碳化硅SBD、JBS二极管、MOSFET器件以及其他需要使用高温高能量离子注入的碳化硅器件。
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公开(公告)号：CN103117221B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110364028.X
申请日：2011-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明实施例公开了一种可用于Ka波段或更高频段的HEMT器件及其制造方法，该方法包括：提供包括衬底、缓冲层、外延层、帽层、源极、漏极和钝化层的基底；在基底表面内形成穿过钝化层、帽层并深入到外延层表面内的栅槽；在栅槽底面上形成T型栅，T型栅的栅脚边缘与栅槽侧壁具有一定间距，栅帽下表面高于钝化层上表面且与钝化层上表面具有一定间距。本发明实施例中由于T型栅的栅脚和栅帽均未与钝化层的介质直接接触，而是保留了一定间隔，从而在根本上降低甚至消除了栅与介质之间产生的寄生电容，减小了器件的栅源电容和栅漏电容，增大了器件的截止频率和最高振荡频率，使器件可工作于Ka波段及其以上频段，提高了器件的功率特性。
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公开(公告)号：CN103730348B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201410005319.3
申请日：2014-01-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。利用本发明，降低了背孔工艺中金属掩膜对等离子体刻蚀机腔体内壁的污染，提高了等离子体刻蚀机的使用效率。
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公开(公告)号：CN104465814A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410776650.5
申请日：2014-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种结合氧化锌纳米结构超小绒面太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括：表面具有超小绒面的硅片；在硅片靠近纳米超小绒面结构处形成PN结；生长在超小绒面表面和间隙中的氧化锌纳米结构；在硅片具有超小绒面一侧的钝化层；在硅片具有超小绒面一侧的银浆料，以形成太阳电池的前电极；在硅片没有超小绒面一侧的铝浆料，以形成太阳电池的背电极。本发明通过结合氧化锌纳米棒能够进一步增加短波段光子吸收。另外硅基微纳结构空隙问的氧化锌填充一方面有效增加了电极接触面积，形成良好电极接触，另一方面还可以增强超小绒面电池横向载流子输运同时具有一定的钝化作用。本发明有效提高了硅基纳米结构太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN102522953B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110421542.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开了一种基于DHBT工艺的有源毫米波亚谐波单片集成混频器电路，包括本振二倍频电路、射频输入缓冲级电路、混频电路和中频输出缓冲级电路，通过本振二倍频电路将一个低频的大功率输入信号二倍频，生成的二次谐波信号与经射频输入缓冲级缓冲的射频输入信号一起进入混频电路混频，再通过中频输出缓冲放大器输出，实现在本振二次谐波频段上的下混频功能，该电路结构通过集成电路技术，实现倍频链和混频器电路集成，减小电路规模，在U波段和W波段的应用上具有优势。
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