公开(公告)号：CN103730348B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410005319.3

申请日：2014-01-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  刘果果 ,  孔欣 ,  樊杰 ,  黄森 ,  刘新宇

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。利用本发明，降低了背孔工艺中金属掩膜对等离子体刻蚀机腔体内壁的污染，提高了等离子体刻蚀机的使用效率。

公开(公告)号：CN103730348A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410005319.3

申请日：2014-01-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  刘果果 ,  孔欣 ,  樊杰 ,  黄森 ,  刘新宇

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/048 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金属掩膜图形；在等离子体刻蚀机中对形成金属掩膜图形的SiC衬底背面进行等离子体轰击，将金属掩膜层上的光刻胶溅射到等离子体刻蚀机的腔体内壁，在等离子体刻蚀机的腔体内壁形成光刻胶层；在等离子体刻蚀机中利用形成的金属掩膜图形对SiC背面进行刻蚀，形成背孔，直至与SiC正面源极金属联通。利用本发明，降低了背孔工艺中金属掩膜对等离子体刻蚀机腔体内壁的污染，提高了等离子体刻蚀机的使用效率。

公开(公告)号：CN103730340A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410005266.5

申请日：2014-01-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  刘果果 ,  孔欣 ,  樊杰 ,  黄森 ,  刘新宇

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0475

Abstract: 本发明公开了一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法，该方法是采用Cl基等离子体对形成背孔图形的衬底背面进行表面钝化处理，使得金属Ni掩膜与Cl基等离子体接触的表面形成NiCl3。本发明通过对Ni金属掩膜表面的进行钝化处理，能够降低SiC背孔刻蚀过程中的金属刻蚀速率，有效提高SiC对金属Ni的选择比。使得选择比从原来的30∶1提高到90∶1。利用本发明，可以减小SiC背孔刻蚀所需要的金属掩膜的厚度，从而降低工艺的难度。