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公开(公告)号：CN111089648A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN202010034295.X
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种光纤耦合单光子源的滤光和二阶关联度测试装置，包括：氦氖激光，用于发出泵浦光，经单模光纤耦合输出；Y形熔融光纤波分复用器，用于将泵浦光导入光纤耦合单光子源器件激发产生单量子点荧光信号；2x2熔融光纤分束器，与Y形熔融光纤波分复用器的输出端相连，用于将单量子点荧光信号按功率平分为两路并输出；激光准直器，分别将两路功率平分后的单量子点荧光信号转换为两路空间平行荧光；滤波片组，用于分别将两路空间平行荧光中的非单光子信号滤除，得到两路窄谱线单光子信号；两个硅单光子计数器，用于测试窄谱线单光子信号计数率；时间符合计数模块，与硅单光子计数器相连，通过符合计数表征单光子信号二阶关联度。
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公开(公告)号：CN107275452A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710381686.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/0066 , H01L33/14 , H01L33/30
Abstract: 一种电致单光子源器件及其制备方法，其中制备方法包括：步骤1、在一衬底的上表面依次形成电流限制层和砷化镓层；步骤2、在步骤1形成的器件的上表面中心位置形成作为电流注入区的凸台；在步骤1形成的器件的上表面除了凸台所在区域的其他区域腐蚀去除砷化镓层，并露出电流限制层；步骤3、待步骤2中露出的电流限制层氧化后，在步骤2形成的器件的上表面二次外延形成p型掺杂分布式布拉格反射层，完成电致单光子源器件的制备。本发明通过二次外延的方法制备得到的电致单光子源器件，可以有效的缩小电致结构中注入电流的面积，从而可降低阈值电流，易于形成光的模式限制。
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公开(公告)号：CN107192450A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710299836.X
申请日：2017-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J1/42 , H01L29/861 , H01L31/08 , H01L31/10 , H01Q1/22
CPC classification number: G01J1/42 , H01L29/861 , H01L31/08 , H01L31/10 , H01Q1/225
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，并在双势垒结构两侧对称生长隔离层、发射区层或电极接触层。其制作工艺包括：利用光刻和ICP刻蚀在材料上刻蚀出直径为4微米，高200纳米的共振隧穿二极管微柱结构，并光刻和ICP刻蚀出三角形台面，通过等离子体增强化学气相沉积法进行钝化保护以及ICP刻蚀SiO2制作出蝶形天线槽，并通过光刻、电子束热蒸发镀膜技术在重掺杂的缓冲层上依次热蒸发钛铂金金属，形成欧姆接触的蝶形天线电极。本发明利用了共振隧穿二极管高频、高速、低功耗、负阻的特点，且共振隧穿二极管采用常规集成电路工艺制作即可，应用于太赫兹波探测过程中，具有技术简单、可靠等优点。
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公开(公告)号：CN106451076A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610880873.5
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四波长输出半导体激光器及其制备方法，该激光器为近红外边发射激光器，采用上下DBR带代替现有上下限制层结构，且利用在一维光子晶体中插入缺陷层，实现将光子带隙中的光限制在缺陷层的效果，具体包括：GaAs衬底、下DBR层、下匹配层、下波导层、有源区、上波导层、上匹配层、上DBR层、接触层、绝缘层和P型电极；其中上DBR层和接触层经刻蚀形成脊形波导和双电极结构。本发明能通过半导体激光器内部模式匹配获得四种不同波长的输出，且通过控制其中一端电极可获得调谐激光器的波长以及转换激光器工作状态的效果，基于此结构的器件首次同时获得1.069μm、1.353μm、1.77μm、2.71μm的连续以及脉冲输出。
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公开(公告)号：CN104659145B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510098629.9
申请日：2015-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304
Abstract: 一种低暗电流的共振隧穿二极管高灵敏度探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射区上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明可以进一步降低暗电流。通过使用本发明提出的npin型掺杂，基于共振隧穿二极管的近红外探测器将会得到低的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103489937B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201310473487.0
申请日：2013-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/109 , G01J11/00
Abstract: 本发明公开了一种非对称沟道量子点场效应光子探测器，所述光子探测器基于源漏沟道结构，且源漏沟道为非对称结构，所述源漏沟道的导电率由源漏电压进行自调控，光探测的敏感区域位于源漏沟道的中心。所述光子探测器的外延结构自衬底向上包括二维电子气形成层或二维电子空穴形成层、光吸收层、量子点电荷限制层和表面盖层，所述二维电子气形成层包括异质结和掺杂层。器件高灵敏度光传感功能在于：源漏之间几十到百纳米量级的导电通道的宽度将受到源漏电压的自身调控，二维电子气的临近位置的量子点在有光入射的情况下将限制单个的电荷，这将极大改变纳米沟道的开关状态，形成沟道电导的巨大变化，从而完成高灵敏度光探测。
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公开(公告)号：CN103532010B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310509314.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
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公开(公告)号：CN103592818B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310594552.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/00
Abstract: 一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔洞；一衬底托，其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面；一机械臂，其固定在超高真空室的上面，用于衬底托的传递；一探针置换腔，其固定在超高真空室的侧壁上，用于原子力显微镜探针的更换；一监控系统，用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。
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公开(公告)号：CN105589119A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610110101.3
申请日：2016-02-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B5/08
CPC classification number: G02B5/0816
Abstract: 本发明提供一种带有DBR层的太赫兹光电导天线外延结构及制备方法，其中带有DBR层的太赫兹光电导天线的外延结构，包括：一半绝缘衬底；一缓冲层，其制作在半绝缘衬底上；一DBR结构，其制作在缓冲层上；一低温层，其制作在DBR结构上。本发明通过增加并改变DBR结构材料的组成以及重复的周期数，从而提高外延层对光的吸收效率，提高太赫兹天线的辐射性能。
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公开(公告)号：CN103576221B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310510519.X
申请日：2013-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。
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