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公开(公告)号：CN114014263A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111295091.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学物理不可克隆函数器件，包括衬底；位于衬底一侧表面的混沌超表面；混沌超表面对衬底设置的双层薄膜轰击刻蚀产生的混沌超表面；混沌超表面复合有量子点。利用离子束对双层纳米薄膜轰击刻蚀过程中发生的辐射化学反应来产生大面积的混沌超表面，该混沌超表面形成的混沌纳米网的不同位置的节点表现出不同的分支模式，呈现出类似指纹特征的脊端和分叉，该混沌超表面的网格具有随机性。通过混沌超表面对量子点的发光行为进行裁剪，表面等离激元效应使得量子点的荧光散斑与寿命对超表面的位置敏感，使得光学物理不可克隆函数器件可以发出无法被精确复制的光信号。本发明还提供了一种制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108767018B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810495053.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；结构二包括衬底、缓冲层、GaN牺牲层和肖特基有源层；肖特基有源层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；工艺方法包括淀积绝缘介质层、使欧姆电极台面与GaN牺牲层之间具有低电阻导电通道、在n+GaN层上形成肖特基器件的欧姆接触金属电极、制备暴露的GaN牺牲层、GaN基肖特基有源层与衬底剥离、在肖特基有源层制作肖特基接触金属电极及金属互联完成高频GaN基薄膜肖特基器件的制作的步骤。
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公开(公告)号：CN109052311B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201810736716.6
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．清洗干燥；B．沉积钝化层；C．光刻刻蚀区；D．台面刻蚀；E．沉积金属；F．腐蚀钝化层；G．退火。通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件，可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻，降低由电极接触带来的器件损耗，提升器件性能和稳定性；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN109524305B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811406408.3
申请日：2018-11-23
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/88
Abstract: 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度大不易脱落，通过精确控制自对准电极的尺寸达到缩小收集极区相应台面的尺寸的目的，解决收集极区相应台面尺寸大的问题；由于先在收集极区相应处形成自对准电极，相当于已经完成在收集极区处欧姆电极的制备，避免了后续制程中对钝化膜对应收集极区处的开孔与连接电极的对准时精确需求，只需要设计连接电极与自对准电极对准接触即可完成对准要求，降低后续制作电极结构的工艺难度，提升了制作工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN109440067A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811307483.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/042 , C23C14/226
Abstract: 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸镀，而满足实际需求的蒸发蒸镀微纳柱侧边膜结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105763332B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201511013243.X
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于多点函数拟合的波前反馈控制的方法，属于安全认证技术以及光学成像技术领域；本发明针对现有波前反馈控制算法收敛速度慢的问题，提出一种基于多点函数拟合的波前反馈控制算法，采用多点函数拟合的方法来获得当前调制单元相位的最优值，每次迭代中最少只需3次测量即可获得调制相位的最优值；同时，本发明结合了连续序列算法与分区算法，前期采用分区算法能够快速提高目标位置光强，当目标位置获得较大光强时改用连续序列算法。本发明提出的算法不仅提高了抗噪性能和最终光强增强因子，而且大大地提高了收敛速度，在光学PUF量子认证、光学成像等技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105891694B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201610288215.7
申请日：2016-05-04
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明涉及一种硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法，该方法的步骤为：1）选取同批次同型号的硅基半导体晶体管至少三个，进行开封预处理，作为待测半导体晶体管；2）测试待测半导体晶体管功能正常；3）焊接测试电路板，将待测半导体晶体管接入测试电路；4）将激光光束照射到待测晶体管芯片上；5）调节激光光束能量，测试待测晶体管的响应并由示波器记录；本发明提供了一种可在实验室条件下用于半导体晶体管辐射剂量率效应的激光模拟试验方法，有效缩短了抗辐射加固设计周期，降低了试验成本，为研究硅基半导体器件的辐射剂量率效应提供了一种有力手段，其试验装置和试验方法的推广具有重要价值。
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公开(公告)号：CN109052310A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810736715.1
申请日：2018-07-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00015 , B81C1/00404
Abstract: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J．退火。通过增加预刻蚀台阶，在钝化层去除的同时，除去台面侧面的部分接触金属电极，实现侧面电极的部分覆盖，在保证良好的附着接触质量前提下，所制备电极结构满足低的接触非线性结电容和接触电阻；同时，本制备方法简单，电极可靠性高。
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公开(公告)号：CN108540292A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810288222.6
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明提出一种基于振镜扫描成像的认证系统，该系统使用高维量子光照射由随机介质构成的光学PUF钥匙产生散斑响应，使用振镜扫描成像的方法采集产生的散斑图样，利用散斑信息进行PUF钥匙的注册和认证。本发明利用了量子光的量子不可克隆性和随机介质PUF钥匙的不可复制性，从物理上保证了认证过程的安全性，使用了振镜扫描成像的方法对量子光散斑进行快速成像，缩短了注册和认证时间，能使用同一套光路实现注册和认证，增强了系统的实用性，在安全领域具有极好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108417486A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810204935.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于金刚石衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于金刚石衬底的电路从下至上依次包括衬底、第一层金属、第二层金属、第一层介质层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、第三层金属、第二层介质层及第四层金属；还公开了GaN基SBD变频电路的制作方法，本发明通过结构和技术创新让第三代宽禁带半导体GaN和金刚石材料的优势得到充分利用和整合，用于实现高功率、高温度可靠性的高性能变频电路。
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