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公开(公告)号：CN105954892B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610490158.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器，包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导，硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合，硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端，硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环；硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住，形成Si‑PLZT混合型结构；在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对，通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制，使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。
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公开(公告)号：CN105634466B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510955105.7
申请日：2015-12-17
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/14
Abstract: 本发明公开了一种SOI基结构的电光逻辑门，包括基于SOI材料制作的直波导和钩型波导，所述钩型波导包括端面对端面顺次连接的第一耦合区、第一半环波导、S‑Bend、第二偶合区和第二半环波导，S‑Bend为中心对称结构，第一耦合区和第二耦合区在一条直线上，第一半环波导和第二半环波导均为1/2圆环，且第一半环波导和第二半环波导的环口正对；钩型波导位于直波导的一侧，且钩型波导的第一耦合区和第二耦合区与直波导相平行。本发明提供的SOI基结构的电光逻辑门，在完成耦合的同时能够实现高速调制，快速完成模拟电信号到数字光信号的转换，实现超快电光逻辑门操作，可以在高速通信网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN108227073A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711315169.6
申请日：2017-12-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI基结构的调制一体型光缓存器，包括基于SOI材料制备的脊型直波导和级联环形波导，其中级联环形波导包括若干个环形波导，所述脊型直波导与底部的环形波导构成带有间距的耦合区，及相邻两个环形波导之间通过端面对端面且带有间距的连接形成耦合区；以及，所述底部的环形波导包括左调制臂、右调制臂及分别与左调制臂、右调制臂形成电学接触的共面型波导电极，所述左调制臂和右调制臂在共面型波导电极加载的数字电信号作用下实现光缓存器的开启和闭合。本发明可以实现高速调制，快速完成光缓存器功能的开关操作，实现超快缓存选择操作，可以在集成高速全光网络中获得应用。
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公开(公告)号：CN104316996B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410609744.3
申请日：2014-11-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物集成波导布拉格光栅折射率传感器，包括基底、下包层、上包层、芯层；下包层设置在基底的上表面；芯层设置在下包层的上表面；芯层上表面以及芯层周侧的下包层上表面均与有上包层的下表面贴合；布拉格光栅设置在芯层的下表面，布拉格光栅与芯层构成波导布拉格光栅；挖空上包层中心区域形成凹槽，并且该中心区域覆盖波导布拉格光栅的区域；凹槽中设置有待测液体，待测液体与凹槽中的芯层接触；芯层的一端作为输入光波导，另一端作为输出光波导。通过检测波导布拉格光栅中心波长的偏移量实现折射率传感的功能。该传感器传感范围较大、传感灵敏度高，且加工工艺简单、成本低廉、易于集成，在生化传感领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105954892A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610490158.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/035 , G02F1/055
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI的Si‑PLZT异质结结构的混合型电光环形调制器，包括硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导，硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导相耦合，硅矩形平板直波导作为该混合型电光环形调制器的直通端，硅矩形平板环形波导作为该混合型电光环形调制器的谐振环；硅矩形平板直波导和硅矩形平板环形波导通过一个PLZT矩形通道完全包覆住，形成Si‑PLZT混合型结构；在环形波导部分的内外两侧设置有一对半包裹型的弯曲共面行波电极对，通过弯曲共面行波电极对该混合型电光环形调制器进行加电调制，使PLZT矩形通道的折射率发生变化。本发明具有调制灵敏度高、器件尺寸小、可靠性好以及调制带宽大等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102662218B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210175164.9
申请日：2012-05-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种皱褶式切趾波导布拉格光栅滤波器，包括基底、下包层、上包层、直波导和下光栅，下光栅的宽度按照钟形包络函数逐渐增加，位于端部的光栅线的宽度小于直波导的宽度，位于中部的光栅线的宽度大于直波导的宽度。本发明还提供了该滤波器的制备方法：在基底上涂覆下包层；制作抗刻蚀层；旋涂负性光刻胶；进行掩膜曝光；干涉出下光栅的结构；对下光栅区域进行显影，进行腐蚀；刻蚀出下光栅；去除余下的负性光刻胶，进行腐蚀；旋转涂覆芯层材料；蒸镀铝层；进行直波导的光刻；进行直波导以外区域进行显影，再进行腐蚀，制作直波导；旋转涂覆上包层，进行固化和真空干燥。该滤波器具有高反射率、高边模抑制比的切趾效果。
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公开(公告)号：CN100557421C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710024583.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种磁性表面增强拉曼散射标记的制备方法涉及纳米材料学、生物分析化学领域，该拉曼散射标记的制备流程为：采用化学共沉淀法或有机相中高温裂解的方法制备具有超顺磁性的金属氧化物磁性纳米粒子；在冰浴条件下，将120～300mL浓度为2×10-3M的硼酸钠溶液置于烧瓶中，持续搅拌；加入20～50mL磁性纳米粒子溶液，继续搅拌，混和均匀；加入40～100mL浓度为5×10-3M的硝酸银溶液，室温下搅拌1～3小时，得到具有磁性的SERS活性基底；选择具有较大拉曼散射截面的化学分子作为SERS报告分子；将标记了SERS报告分子的磁性SERS活性基底通过离心从溶液中分离；再以体积比3∶1～10∶1加入0.1M的氯化钠溶液，得到磁性SERS标记。
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公开(公告)号：CN101089615A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710024583.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种磁性表面增强拉曼散射标记的制备方法涉及纳米材料学、生物分析化学领域，该拉曼散射标记的制备流程为：采用化学共沉淀法或有机相中高温裂解的方法制备具有超顺磁性的金属氧化物磁性纳米粒子；在冰浴条件下，将120～300mL浓度为2×10－3M的硼酸钠溶液置于烧瓶中，持续搅拌；加入20～50mL磁性纳米粒子溶液，继续搅拌，混和均匀；加入40～100mL浓度为5×10－3M的硝酸银溶液，室温下搅拌1～3小时，得到具有磁性的SERS活性基底；选择具有较大拉曼散射截面的化学分子作为SERS报告分子；将标记了SERS报告分子的磁性SERS活性基底通过离心从溶液中分离；再以体积比3∶1～10∶1加入0.1M的氯化钠溶液，得到磁性SERS标记。
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公开(公告)号：CN118409393A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410598169.5
申请日：2024-05-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的Sagnac环形反射器型可调谐滤波器，包括SiO2包层，所述SiO2包层内部设有水平设置的波导层，波导层由Si材料制备，厚度为220nm；所述波导层包括第一Sagnac环形反射器、第二Sagnac环形反射器、第三Sagnac环形反射器以及四个级联直波导；第一Sagnac环形反射器的输入端的上端口InputA为可调谐滤波器的输入端，第三Sagnac环形反射器的输出端的上端口Output A为可调谐滤波器的输出端。本发明通过对非对称马赫‑曾德尔干涉器和对称马赫‑曾德尔干涉器参数的调制，使得Sagnac环形反射器分光比发生改变，从而实现滤波器调谐和光谱重构；没有造成占用面积的扩大，但保证了其可调谐性和重构性，且能够实现超高的消光比和斜率。
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