公开(公告)号：CN118409393A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410598169.5

申请日：2024-05-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 ,  杨启钥 ,  孙耀辉 ,  恽斌峰 ,  崔一平

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/125 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的Sagnac环形反射器型可调谐滤波器，包括SiO2包层，所述SiO2包层内部设有水平设置的波导层，波导层由Si材料制备，厚度为220nm；所述波导层包括第一Sagnac环形反射器、第二Sagnac环形反射器、第三Sagnac环形反射器以及四个级联直波导；第一Sagnac环形反射器的输入端的上端口InputA为可调谐滤波器的输入端，第三Sagnac环形反射器的输出端的上端口Output A为可调谐滤波器的输出端。本发明通过对非对称马赫‑曾德尔干涉器和对称马赫‑曾德尔干涉器参数的调制，使得Sagnac环形反射器分光比发生改变，从而实现滤波器调谐和光谱重构；没有造成占用面积的扩大，但保证了其可调谐性和重构性，且能够实现超高的消光比和斜率。