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公开(公告)号：CN101901778A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010185980.9
申请日：2010-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置，该静电吸附电极不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜，又能够确保所需吸附力，不需要消除电荷。在具备利用静电力来吸附保持玻璃基板(G)的基板保持面的静电吸附电极(6)中，具备通过喷镀形成的被设置于基材(5)上的绝缘覆膜(41)以及被设置于绝缘覆膜(41)中的、被施加正电压的第一电极层(42a)和被施加负电压的第二电极层(42b)。
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公开(公告)号：CN101752172A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910224362.8
申请日：2009-12-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制等离子体处理时生成的附着物的扬起，降低被处理体的污染的等离子体处理装置。在将处理气体在阳极电极与阴极电极间等离子体化、向被处理体S进行处理的等离子体处理装置中，上侧整流壁(51)与下侧整流壁(52)在形成一方的电极的载置台(3)上上下堆积，包围载置在该载置台(3)上的被处理体(S)的周围，升降机构使上侧整流壁(51)在下侧整流壁(52)上的载置位置与在上方侧离开该下侧整流壁(52)的位置之间升降。
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公开(公告)号：CN100536069C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710162644.0
申请日：2007-10-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/205 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/509 , C23C16/513 , C23C16/54 , G02F1/1333 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时，使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上，通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面，在处理容器的外部，通过导电性的支撑部件设置有导电性的固定侧接触部，使得在上述上部电极被设定在进行等离子体处理的位置时，上述固定侧接触部与上述移动侧接触部件接触，形成高频电流的返回路径。高频电流在下部电极→等离子体→上部电极→升降棒→移动侧接触部件→固定侧接触部→支撑部件→处理容器→高频电源部的接地侧的路径中流动，因此能够减小上述返回路径的电阻。
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公开(公告)号：CN101110384A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710136193.3
申请日：2007-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种修补方法，能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削，形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60)，从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削，使表面平坦化，从而形成修补覆膜(61)。
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公开(公告)号：CN115522181B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202210681604.1
申请日：2022-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/54 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供提高生产率的成膜装置和成膜方法。成膜装置对基板进行ALD成膜，具备处理腔室，其具有：旋转滚筒，将基板保持于与旋转轴线平行的保持侧面；主体部，收纳旋转滚筒，具有：多个处理室，与保持侧面相对，具有与旋转轴线平行的方向成为长度方向的长条状的处理空间；排气部，配置到多个处理室的各个之间，多个处理室至少包括：原料气体吸附室，使原料气体吸附于基板；等离子体反应室，从反应气体生成与原料气体反应的等离子体，具备：框体；长条状的金属窗，由与保持侧面相对且在等离子体反应室的长度方向以第1间隔配置成直线状的多个分割窗构成，配置为在沿着长度方向延伸的边上以与框体之间具有比第1间隔宽的第2间隔；矩形线圈天线。
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公开(公告)号：CN112259457B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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公开(公告)号：CN117438363A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310843831.4
申请日：2023-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使基板较佳地保持于旋转滚筒的外周面的基板处理装置、基板保持装置以及基板保持方法。基板处理装置具备：圆筒形或者圆柱形的旋转滚筒，其具有沿长度方向延伸的旋转轴线；双极静电保持盘，其配置于所述旋转滚筒的外周面；以及至少两个侧部按压机构，其与所述旋转滚筒的外周面的两端部各自相对，并具有能够相对于所述旋转滚筒的外周面进退的按压销。
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公开(公告)号：CN111276426B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201911181295.6
申请日：2019-11-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供基片载置台及其制造方法以及基片处理装置。一种在处理容器内载置基片的基片载置台，其包括基材和形成于上述基材的基材上表面的静电吸盘，在上述静电吸盘的静电吸盘上表面中，形成有载置上述基片的覆盖层，上述覆盖层由维氏硬度在150Hv至500Hv的范围的金属氟化物、金属氧化物或者金属氟氧化物形成，上述覆盖层之中载置上述基片的载置面的至少一部分的表面粗糙度Ra在2μm至10μm的范围。本发明在对FPD用的基片进行蚀刻处理等时，有利于抑制在载置在基片载置台的基片的背面中产生伤痕。
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公开(公告)号：CN115213808A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210293100.2
申请日：2022-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板载置台的研磨方法和基板处理装置。抑制在基板载置台的加工时因切削负荷的影响使加工工具倾斜导致加工错移而产生台阶，抑制蚀刻斑的产生。基板载置台的研磨方法用于研磨作为基板载置台的上表面的基板载置面，该基板载置台包括基材、设于所述基材上的下层喷镀膜、以及设于电极层上的上层喷镀膜，该基板载置台的研磨方法具有以下工序：对所述上层喷镀膜和所述下层喷镀膜利用浸渍剂施加浸渍处理；对所述基板载置面利用磨削加工施加平坦化处理；以及遮蔽所述基板载置面的周缘部，对所述基板载置面的除周缘部以外的中央部施加粗糙化处理。
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公开(公告)号：CN112259457A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011136319.9
申请日：2017-07-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。
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