公开(公告)号：CN112552349A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011028967.2

申请日：2020-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锦喜 ,  姜炳俊 ,  郭丞燕 ,  李晟熏 ,  A.田 ,  崔玹豪 ,  黄圭荣 ,  崔炳基 ,  崔华逸

IPC: C07F15/00 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M为过渡金属，L1为如本文中提供的由式2表示的配体，L2为如本文中提供的由式3表示的配体，且n1和n2各自独立地为1或2。 M(L1)n1(L2)n2。

公开(公告)号：CN111377974A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911324015.2

申请日：2019-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔钟元 ,  金昭延 ,  李智娟 ,  曹勇硕 ,  D.克拉夫丘克 ,  郭允铉 ,  具贤 ,  沈明善 ,  李晟熏 ,  崔炳基

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 提供有机金属化合物和包括其的有机发光器件，所述有机金属化合物由式1表示，式1中的Y2、环A2、R1-R8、R13-R20、和d2可各自独立地与说明书中描述的相同。式1

公开(公告)号：CN110872326A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910809554.9

申请日：2019-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞仁 ,  金周铉 ,  朴商浩 ,  李善英 ,  洪锡焕 ,  黄圭荣 ,  郭允铉 ,  李晟熏 ,  崔炳基 ,  崔玹豪

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  A61K49/00

Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括该有机金属化合物的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，基团和变量与在说明书中描述的相同。式1

公开(公告)号：CN110563767A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201811561380.0

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔钟元 ,  曹勇硕 ,  具贤 ,  朴范雨 ,  李晟熏 ,  石原慎吾 ,  郭允铉 ,  权五炫

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，基团和变量与在说明书中描述的相同。式1

公开(公告)号：CN110343136A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910260264.3

申请日：2019-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭允铉 ,  李锦喜 ,  崔华逸 ,  黄圭荣 ,  郭丞燕 ,  金象同 ,  李晟熏 ,  林圭铉 ,  曹勇硕 ,  崔钟元

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开了有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，R1-R12和R16与在说明书中描述的相同。式1。

公开(公告)号：CN104794523B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510208292.2

申请日：2010-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜真泰 ,  金起善 ,  李东阳 ,  孔道一 ,  李晟熏

IPC: G06K19/077

Abstract: 本发明提供一种存储卡和电子装置。该存储卡包括用于与外部电子装置电连接的互连端子。互连端子可以与存储卡的前面隔开一距离，该距离大于互连端子的长度。备选地，存储卡可以在其前面与之前的互连端子之间包括其它互连端子。之前的互连端子和之后的互连端子可以用于与不同类型的电子装置电连接。

公开(公告)号：CN102569398B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110230441.7

申请日：2011-08-12

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 郑现钟 ,  李载泓 ,  李载昊 ,  申炯澈 ,  徐顺爱 ,  李晟熏 ,  许镇盛 ,  梁喜准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括：基板；形成在基板上的栅电极；第一栅绝缘膜，覆盖基板上的栅电极；多个石墨烯沟道层，形成在基板上，并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜；源电极和漏电极，连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。

公开(公告)号：CN101855727B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880115280.3

申请日：2008-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪起夏 ,  李晟熏 ,  金钟燮 ,  申在光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

Abstract: 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。

公开(公告)号：CN101256836B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810082803.0

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴祥珍 ,  李晟熏 ,  朴星一 ,  金钟燮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置以执行编程操作或擦除操作的方法。所述方法包括：将包括直流(DC)脉冲和AC扰动脉冲的组合脉冲施加到非易失性存储装置以执行编程操作或擦除操作。

公开(公告)号：CN101308867B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200810096571.4

申请日：2008-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  李晟熏 ,  薛光洙 ,  陈暎究 ,  金钟燮

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L21/28282 ,  G11C16/349 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。