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公开(公告)号：CN222638985U
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202421245665.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Abstract: 本实用新型提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构，包括在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本实用新型的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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公开(公告)号：CN222499334U
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202420528021.X
申请日：2024-03-19
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种适用于半导体工艺生产用的蒸发专用夹具，包括水平放置的衬环，衬环的上方配合有盖板，衬环包括底盘，底盘上设有蒸发腔，蒸发腔将底盘竖向贯穿，底盘上还设有相间区域，相间区域为环形的槽口，将待蒸发的芯片放置在底盘上，相间区域内的芯片不会与底盘接触；盖板可放置在底盘上，当盖板与底盘配合对两者之间的芯片形成夹持时，芯片与盖板之间存在容置腔，不会与芯片直接接触；本实用新型的有益效果是：减小了芯片分别与盖板和衬环之间的接触面积，降低了摩擦产生的损伤和划道，提高了工艺效率和成品率，节约成本。
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公开(公告)号：CN219435877U
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202320395316.X
申请日：2023-03-06
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H05K9/00 , H01L23/552 , B08B17/02
Abstract: 本实用新型公开了一种集成化IGCT门极驱动电路系统结构，将大功率GCT芯片和门极驱动电路集成在一起；系统主要部件包括：印刷线路板、电容、金属‑氧化层半导体场效应晶体管(MOSFET)、GCT芯片、陶瓷环、钼片、阳阴极管壳、引出控制线等。本实用新型通过改善芯片与门极驱动电路的连接及布局，将芯片和门极驱动的开通、关断电路集成为一个整体，显著减小了系统体积，缩短了驱动电流的回路面积，减小了电路中的寄生电感参数，使得IGCT的开关di/dt性能得到提高，同时，改善了驱动电路电流通流的均匀性，提高了电路的压装可靠性和工作可靠性，在严苛的工业环境下，可有效的遮挡粉尘、减小电磁干扰，使电路的关键部位受外界条件的影响减小。
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公开(公告)号：CN219039273U
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202223013080.3
申请日：2022-11-11
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种大功率半导体芯片热分布测试系统，包括电源加热系统、热像仪探照系统，电源加热系统包括高压小电流加热电源和低压大电流加热电源，电源加热系统连接热像仪探照系统，热像仪探照系统包括热像仪固定机构、箱体、芯片装夹机构和安全防护门机构，电源加热系统为热像仪探照系统中的被测芯片提供发热所需的加热电源。热像仪探照系统是给被测芯片提供装夹和热像仪探照的平台。本实用新型通过对大功率半导体芯片在测试过程中的发热分析，能够准确定位芯片的过热点，对优化芯片的生产工艺起到良好的指导作用。本实用新型使用起来安全简单、高效实用、热成像效果直观精确。本实用新型在半导体芯片的例行试验及型式试验中，效果良好。
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公开(公告)号：CN218332363U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202222107306.X
申请日：2022-08-11
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G05B19/05
Abstract: 本实用新型公开了一种整流上位机远程集中控制系统，包括远控上位机、控制柜、下位设备。下位设备包括：整流变压器、有载调压器、纯水冷却器、直流传感器、隔离刀开关、整流主柜。所有下位设备经过通讯将信号传至控制柜里。控制柜将所有信号集中处理，然后通过以太网光纤通讯将所有数据传到远控上位机。上位机对所有设备进行集中显示、保护、控制。本实用新型可以把多种相关设备集成在一个系统进行协同操作和控制，操作直观、简单、便于数据的分析和管理。使设备的工作能效最大化，提高了整流效率，节省了电力能源，降低了用户成本。工作人员在控制室中就可以监控所有设备，减少了现场运行人员数量，改善了运行人员的劳动环境，提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN215953775U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202121961798.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型涉及一种整流管焊接可靠性试验台，包括主控柜、副控柜、电源柜三个机柜，主控柜和副控柜分别设有计算机控制单元、隔离接触器单元组、夹具单元、压降采样单元、信号隔离单元、脉冲单元、线型直流电源、温度监控单元、调压降温单元，本实用新型提出一种可同时对32支被测元件加热、降温、测整流管压降和做压降曲线等功能的试验台。提高设备本身的先进性和可靠性。从而极大的提高试验效率和试验精度，很大程度上节约了材料成本和人工成本。本实用新型加热电流范围5～100A直流，稳定度±1％；热敏电流范围：0.1～1.0A直流，稳定度±1％；最高试验温度可达220℃。
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公开(公告)号：CN215940476U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202122342780.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种光刻工艺匀胶机匀胶腔结构，主要包括包括匀胶腔外腔体结构、匀胶头机构、支架机构，本实用新型背胶保护罩一方面起到机械防护的作用，另一方面通过注入氮气，在背胶保护罩与芯片之间形成微正压环境，氮气气流从背胶保护罩下面进入，从背胶保护罩与芯片之间的缝隙排出，对胶丝起到吹扫作用，做到了双重防护功能。配合匀胶头机构的取片和匀胶两个工作状态，通过芯片背面的保护罩机械保护和氮气保护双重保护功能，实现了芯片在匀光刻胶的过程中背胶保护功能，彻底解决了背胶玷污问题，摆脱了工艺返工，节约人工和材料，提高了工艺质量，本实用新型既可以实现涂甩光刻胶的基本功能，同时又能实现背胶防溅保护功能，达到工艺目的。
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公开(公告)号：CN215940341U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202122342613.1
申请日：2021-09-27
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种防漏喷银头装置，由喷头、封银针、密封圈、弹簧、固针背板、银浆筒等构件组成，所述封银针与固针背板中心开孔之间设有导向轴套，所述封银针底部为L型拐弯设计，避免针头对银浆涂层的二次划伤，本实用新型目前已经应用于各种规格芯片上，可以完全解决以前喷银过程中出现的渗漏和喷银后芯片上银层均匀性不好的问题，从而在很大程度上提高了芯片成品后的阻断电压，降低了芯片的压降，提高产品的使用可靠性，适应批量化工艺生产，使用效果良好，此装置还可应用于其他电力半导体器件涂覆保护材料等工艺上。
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公开(公告)号：CN214372956U
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202120204438.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种高电压电力半导体散热器过温信号传输模块，包括测试按钮AN，温度继电器JC,限流电阻R，驱动电源E，发光器件LT，光纤GQ，光接收器件LR，本实用新型可将过温信号转换成光信号通过光纤传输到控制回路，可以应用于高电压电力半导体散热器的过温检测控制，本实用新型将高压电力半导体散热器与低压控制回路的电气相隔离，满足了高电压电力半导体散热器过温信号的采集功能的要求，更好的保证了过温信号采集的准确性和安全性。本实用新型可根据不同的高电压电力半导体散热器要求选择相应的温度继电器JC与模块配置实现过温信号传输功能，鉴于隔离性和可靠性也可用于高压电力器件的过温检测中。
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公开(公告)号：CN212113587U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020717430.6
申请日：2020-05-06
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种用于大功率半导体测试设备的大电流高压继电器，由下述部分组成：高压绝缘盒内部设有空腔，电极短接排设置在空腔内，导电电极设置在高压绝缘盒两端，高压绝缘盒下端连接绝缘隔离块，绝缘隔离块下端连接线圈固定框，电磁铁线圈由线圈固定框包围固定，滑动铁芯设置在电磁铁线圈内，本实用新型高压绝缘盒内的回位弹簧外套有聚四氟套管，既满足了回位弹簧的弹力作用，又避免因金属弹簧而降低绝缘距离。本实用新型耐压超过15kV，导通直流电流可达100A，峰值单次正弦半波电流可达1000A。
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