公开(公告)号：CN222638985U

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202421245665.4

申请日：2024-06-03

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 ,  国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司直流技术中心

Inventor： 张磊 ,  李翀 ,  刘亿铭 ,  王国卫 ,  梁旭辉 ,  杨伟杰 ,  胡茜 ,  姚德贵 ,  董曼玲 ,  张国华 ,  魏卓 ,  鲁一苇 ,  肖超 ,  高晟辅

IPC: H10D62/10 ,  H10D18/65 ,  H10D18/80 ,  H10D18/01

Abstract: 本实用新型提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构，包括在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本实用新型的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。

公开(公告)号：CN118961751A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411144549.8

申请日：2024-08-20

Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 ,  许继电气股份有限公司 ,  西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 赖桂森 ,  谢桂泉 ,  方苏 ,  罗宇航 ,  徐晟 ,  王晨涛 ,  苏国磊 ,  张朝辉 ,  苏杰和 ,  凌永兴 ,  焦石 ,  杨学广 ,  陶敏 ,  甘卿忠 ,  徐涵 ,  黄永瑞 ,  邵珠柯 ,  高山城 ,  刘玲 ,  李翀

IPC: G01N21/95 ,  H01L21/66 ,  G01N21/01

Abstract: 一种半导体芯片光刻胶掩蔽质量检查装置，为了解决现有技术容易漏检，造成生产制造过程缺陷，严重影响产品质量，造成成品率不高，而且简易的放大镜检查装置生产效率低下的问题，本发明包括支架、操作台，操作台上设有支架，支架上设有水平定位设备、视频器；水平定位设备上方设有自动旋转设备，自动旋转设备上方设有载片平台，载片平台上方设有视频器，所述操作台上设有调节控制器，通过本发明的设计，本发明可以清楚、快速、准确地检查出结终端造形区台面缺陷点，然后对有缺陷点进行修补，使结终端造形区台面在酸碱液腐蚀前完好无缺，可见，该装置既提高了工作效率，又提高了产品质量，取得了显著的经济和社会效益。

公开(公告)号：CN214898451U

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202120896583.6

申请日：2021-04-28

Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司

Inventor： 王峰瀛 ,  种晓辉 ,  李翀 ,  张鹏飞

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08

Abstract: 本实用新型涉及一种逆阻型集成门极换流晶闸管，包括阴极梳条、阴极电极、门极电极、阳极电极，该逆阻型集成门极换流晶闸管中心对称布满阴极梳条，门极接触区位于器件中心、中间或边缘位置，器件最外圈是终端区。轴向从上到下依次包括：阴极电极、阴极N+掺杂区、门极电极、P基区、N‑衬底区、阳极P+掺杂区和阳极电极，本实用新型在一个芯片上串联集成了门极换流晶闸管与二极管，使器件数量减少，功耗降低，总成本下降，同时提高系统可靠性，本实用新型正反向能够耐受高电压，正向通过大电流，门极控制器件开通、关断。