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公开(公告)号：CN104680949B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510133501.1
申请日：2015-03-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
CPC classification number: G09G3/003 , G02B27/2214 , G02F1/1362 , G09G3/2003 , G09G5/10 , G09G2300/0426 , G09G2300/0443 , G09G2300/0452 , G09G2320/0646 , G09G2340/0457 , G09G2340/10
Abstract: 本发明公开了一种像素阵列、显示驱动方法、显示驱动装置和显示装置，其中该像素阵列包括：若干列亚像素组，每列亚像素组均包含M*N个亚像素，其中，N为亚像素颜色的种类，M为大于等于3的整数，位于奇数列的亚像素组中的亚像素的扭曲方向与位于偶数列的亚像素组中的亚像素的扭曲方向在列方向上相反，该像素阵列不仅可适用在2D显示模式时对Pentile技术的应用，还可适用于在3D显示模式时对Pentile技术的应用，从而可有效的提高2D显示装置和3D显示装置的视觉分辨率。
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公开(公告)号：CN106459765A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580026691.5
申请日：2015-07-28
Applicant: DIC株式会社
IPC: C09K19/34 , C09K19/12 , C09K19/14 , C09K19/16 , C09K19/18 , C09K19/20 , C09K19/30 , C09K19/32 , C09K19/38 , C09K19/42 , G02F1/13
CPC classification number: C09K19/3402 , C09K19/0208 , C09K19/0216 , C09K19/20 , C09K19/3066 , C09K19/42 , C09K19/542 , C09K2019/0466 , C09K2019/123 , C09K2019/3004 , C09K2019/301 , C09K2019/3025 , C09K2019/3422 , G02F1/1362 , G02F2001/13706 , G02F2202/022
Abstract: 本发明提供一种液晶组合物，具有正介电常数各向异性，含有1种或2种以上的通式(LC0)所示的化合物，含有1种或2种以上的通式(LC1)所示的化合物，本发明的液晶组合物被调整为期望的折射率各向异性(△n)，且通过抑制向列相－各向同性液体相转变温度(Tni)的降低和向列相的下限温度的上升而在不使向列相的温度范围变差的情况下使粘度(η)足够低，通过将本发明的液晶组合物用于液晶显示元件，可以得到响应速度快、能够低电压驱动的实用且可靠性高的液晶显示元件。
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公开(公告)号：CN106373979A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610584599.7
申请日：2016-07-22
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L27/32 , G02F1/1362 , H01L27/3244 , H01L51/52 , H01L51/5237 , H01L51/5256
Abstract: 一种能够防止(或保护免受)湿气渗入的显示设备。所述显示设备包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；垫单元，位于外围区域上；有机绝缘层，覆盖外围区域的邻近于显示区域的一部分和显示区域；无机绝缘层，当第一区域是有机绝缘层和垫单元之间的部分时，无机绝缘层至少覆盖第一区域。
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公开(公告)号：CN103995408B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410200687.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G02F1/13 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC classification number: G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的阵列基板及其制造方法、显示装置。其中，阵列基板包括栅线、数据线以及形成在栅线和数据线限定的像素区域内的像素电极，还包括与像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子。本发明的显示装置，包括本发明的阵列基板。本发明的阵列基板的制造方法包括：在基板上形成第一像素电极以及与第一像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子的图形。本发明的技术方案，对阵列基板进行整体优化，设置与像素电极连接的用于测试薄膜晶体管特性的测试端子，这样通过给上述测试端子加电信号可以对像素区域的TFT Character进行确认，第一时间对不良做出反应，保证了开发的顺利完成，提升开发效率同时减少开发成本。
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公开(公告)号：CN103715138B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201310752680.8
申请日：2013-12-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/134363 , G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。该制造方法在通过过孔电性连接不相邻的两个导电层时，通过多次刻蚀工艺分别刻蚀相邻导电层之间的绝缘层，形成位置对应的绝缘层过孔，以实现不相邻的导电层之间的电性连接。同时，在每次刻蚀工艺中，还可以完成相邻导电层之间通过过孔的电性连接。即在通过过孔电性连接至少三个导电层时，每次刻蚀工艺中均仅刻蚀相邻导电层之间的绝缘层，不会存在深孔和浅孔的区别，避免了浅孔出现过刻和坡度角异常的问题，提高了产品的良率和品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106338855A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610938825.7
申请日：2016-11-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: H01L21/76897 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2001/13625 , H01L23/50 , H01L27/11539 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/14621 , H01L29/41733 , G02F1/133514 , G02F1/133516 , G02F1/134309
Abstract: 本发明公开了一种标记像素单元、应用其的显示装置及制作显示装置的方法，该标记像素单元包含至少一主动元件、第一介电层、彩色滤光单元、第二介电层以及至少一像素电极。主动元件具有源极、栅极与漏极。第一介电层用以覆盖栅极。彩色滤光单元设置于第一介电层上，其中彩色滤光单元具有对准开口图案。第二介电层覆盖主动元件与彩色滤光单元，其中第二介电层具有接触洞。像素电极设置于第二介电层之上，其中像素电极透过接触洞而与漏极电性连接，其中第二介电层的接触洞位于对准开口图案之外。
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公开(公告)号：CN106338845A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610864169.0
申请日：2016-09-29
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC: G02F1/13 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1303 , G02F1/1362 , G02F2001/136231
Abstract: 本发明提供液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：提供一衬底；在衬底表面依次形成第一钝化层及第二钝化层；在第二钝化层表面形成光阻图形层；进行第一次蚀刻，形成第二钝化层过孔；进行第二次蚀刻，形成第一钝化层过孔，同时形成第一钝化层凹陷，第一钝化层凹陷的直径大于该处对应的第二钝化层过孔的直径；去除光阻图形层并沉积透明电极层，透明电极层沿第一钝化层及第二钝化层爬坡生长，在像素区域的第一钝化层凹陷处，透明电极层发生自断。本发明的优点在于，将钝化层与像素电极通过一道光罩完成，可以由现有的四道光罩减小到三道光罩，节约制程成本。
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公开(公告)号：CN104112710B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410323333.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司
Inventor： 柴立
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1333 , G02F1/133345 , G02F1/133514 , G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F2001/13625 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/77 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对第一绝缘层进行图形化处理；其中液晶显示面板两侧的阵列基板的第一绝缘层的厚度大于液晶显示面板中间的阵列基板的第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极。本发明在不影响液晶显示装置的开口率以及功耗的基础上，解决了显示画面的显示亮度不均的技术问题。
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公开(公告)号：CN106233196A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580019855.1
申请日：2015-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 液晶显示面板的TFT基板(100A)具有：覆盖TFT的有机层间绝缘层(24)；在有机层间绝缘层(25)；和覆盖第一透明导电层(25)，并且形成在有机层间绝缘层(24)的表面的与第一区域不同的第二区域的含有SiN的无机电介质层(26)，有机层间绝缘层(24)的表面的第一区域和第二区域的算术平均粗糙度Ra为3.45nm以上5.20nm以下。(24)的表面的第一区域形成的第一透明导电层
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公开(公告)号：CN106206622A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610847629.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , H01L21/77 , H01L27/1214 , H01L27/32 , H01L27/3244 , H01L2021/775
Abstract: 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可提高晶粒尺寸及均匀性。该阵列基板包括衬底、设置在所述衬底上的多晶硅薄膜晶体管，所述多晶硅薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区、位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述阵列基板还包括设置在所述衬底与所述有源层之间的金属遮光层；所述金属遮光层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述沟道区在所述衬底上的正投影，且所述金属遮光层至少覆盖部分所述源极区和部分所述漏极区。用于阵列基板的制备。
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