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公开(公告)号：CN117096147A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311187765.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光元件基板及显示装置。发光元件基板包括基板及设置于基板上的发光元件。发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、主动层、第一电极、第二电极、第一焊料及第二焊料。第二半导体层设置于第一半导体层的对向。主动层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。第一电极及第二电极分别电性连接至第一半导体层及第二半导体层。第一焊料及第二焊料分别设置于第一电极及第二电极上，且分别电性连接至第一电极及第二电极。第一电极包括第一下屏蔽图案。第一焊料包覆第一下屏蔽图案。第一焊料于基板上的投影面积大于第一下屏蔽图案于基板上的投影面积。
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公开(公告)号：CN116153960A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310062894.6
申请日：2023-01-19
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光元件基板，包括暂时基板、多个发光元件、黏着层及遮光图案层。这些发光元件设置在暂时基板上。黏着层连接暂时基板与这些发光元件。遮光图案层设置在暂时基板上，且具有多个开口。这些发光元件分别对应这些开口设置。
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公开(公告)号：CN111524979B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010354948.2
申请日：2020-04-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368 , G02F1/1362
Abstract: 阵列基板及显示面板，阵列基板包括基板、像素阵列、绝缘层以及覆盖层。像素阵列位于基板上，像素阵列包括多个像素结构，每一像素结构包含一薄膜晶体管。绝缘层位于薄膜晶体管上。覆盖层位于绝缘层上且接触绝缘层，其中覆盖层的折射率与绝缘层的折射率之间的差值为0至0.1之间，且覆盖层的光吸收系数为0至0.5之间。
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公开(公告)号：CN115763351A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211404179.8
申请日：2022-11-10
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种发光元件阵列基板及其制造方法，其中该发光元件阵列基板包括：载板、多个发光元件组以及粘着结构。多个发光元件组设置于载板之上，且多个发光元件组分别包括多个发光元件。粘着结构位于多个发光元件组与载板之间，且具有多个封闭开口，其中多个封闭开口的外轮廓分别包围多个发光元件组。多个封闭开口分别具有第一内侧壁，且第一内侧壁与多个发光元件组之间的最小间距大于或等于多个发光元件之间的最小间距。
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公开(公告)号：CN115763349A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211377191.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L33/36
Abstract: 本发明公开一种发光面板，其包括暂存基板、支撑图案层、粘着图案层及多个发光元件。支撑图案层设置于暂存基板上且具有多个开口。粘着图案层设置于支撑图案层上且具有多个开口。粘着图案层的多个开口分别重叠于支撑图案层的多个开口。多个发光元件分别设置于粘着图案层的多个开口。每一发光元件包括第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层及分别电连接至第一半导体层及第二半导体层的多个电极，多个电极位于主动层与暂存基板之间，且多个电极与暂存基板之间存在空气间隙。此外，其他的多种发光面板也被提出。
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公开(公告)号：CN111490055A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010150797.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/1362
Abstract: 一种包括基板、第一信号线、第一像素、绝缘层、有机层以及遮光图案的像素阵列基板被提出。第一像素包括彼此电性连接的第一有源元件以及第一像素电极。第一有源元件电性连接第一信号线。绝缘层具有重迭于第一信号线的第一开口。第一信号线具有定义第一开口的第一表面。有机层具有连通于第一开口的第二开口、定义第一开口的底面以及定义第二开口的侧壁。遮光图案覆盖第一表面、侧壁与底面，且具有位于第一开口的第一部分以及位于第二开口并凸伸出有机层的第二部分。第一部分与第二部分分别具有第一宽度与第二宽度，且第一宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号：CN114050172B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202111299128.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H10H29/30 , H10H20/819 , H10H20/82 , H10H29/03
Abstract: 本发明公开一种发光装置和巨量转移发光芯片的方法，其中该发光装置包括基板和位于基板上的多个发光芯片，其中各个发光芯片包括半导体层。半导体层包括具有第一表面结构的第一表面和位于第一表面上的微结构组，其中微结构组包括多个微结构，且各个微结构的第二表面具有第二表面结构不同于第一表面的第一表面结构。
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公开(公告)号：CN118472004A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410744121.0
申请日：2024-06-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光元件阵列基板及发光元件阵列基板的制造方法，该发光元件阵列基板包括暂存基底、黏着层、多个发光元件及至少一支撑件。暂存基底具有相对的第一表面及第二表面。黏着层设置于暂存基底的第一表面上。多个发光元件设置于黏着层上。黏着层位于多个发光元件与暂存基底之间。至少一支撑件设置于暂存基底的第一表面及第二表面的至少一者上。此外，一种发光元件阵列基板的制造方法也被提出。
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公开(公告)号：CN114068772B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111293031.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种供激光光源使用的选择性切换式光掩模以及用于处理微型发光二极管的系统，其中该选择性切换式光掩模包含设置于激光光源之下的切换单元。切换单元包含第一基板、与第一基板相对的第二基板、像素电极、共用电极和可切换光穿透层。像素电极设置于第一基板上。共用电极设置于第二基板上。可切换光穿透层设置于像素电极与共用电极之间。
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公开(公告)号：CN115810702A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211684466.9
申请日：2022-12-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L33/52 , H01L33/00 , H01L21/683 , H01L33/56 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种发光元件面板，包括暂存基板、辅助图案层、多个粘着图案以及多个发光元件。辅助图案层设置于暂存基板上且具有多个开口。多个粘着图案分别设置于辅助图案层的多个开口中。多个发光元件分别设置于多个粘着图案上。辅助图案层对激光的反应速率小于粘着图案对激光的反应速率。
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