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公开(公告)号：CN104635419B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510106454.1
申请日：2015-03-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其显示面板的制备方法、掩膜板，所述掩膜板包括基板，所述基板包括非透光区域、部分透光区域和透光区域，所述非透光区域上设置有非透光材料层，所述部分透光区域上设置有部分透光材料层，所述透光区域不设置遮光材料，所述透光区域设置在所述部分透光区域内，或者所述非透光区域设置在所述部分透光区域内。本发明提供的掩膜板能够实现栅极掩膜板与过孔掩膜板共用，从而减少了掩膜板的使用数量，降低了产品开发和生产成本。
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公开(公告)号：CN104655019B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510128142.0
申请日：2015-03-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明提供了一种关键尺寸测量方法和系统，其中的关键尺寸测量系统包括第一设备和第二设备，所述第一设备用于依次对每一块待测基板进行拍摄，并将包括拍摄结果与基板标识的数据包发送至所述第二设备；所述第二设备用于接收并存储来自所述第一设备的数据包，并根据数据包中的拍摄结果进行与数据包中的基板标识对应的待测基板的关键尺寸的测量。基于上述方案，本发明可以解决现有技术中不能正常匹配特征图片时设备暂停运行会导致设备稼动率严重下降的问题。与不能正常匹配特征图片时设备暂停运行的现有技术相比，本发明可以提高关键尺寸测量的设备运行效率，提升设备稼动率。
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公开(公告)号：CN104820304B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510278609.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/13
Abstract: 本发明的实施例提供一种液晶特性测试装置和测试方法以及显示面板及其制造方法，属于显示器技术领域，用于使液晶显示设备内的液晶特性测试更加准确，该液晶特性测试装置包括：测试电极、引线和测试元件组，测试电极设置于显示面板的封框胶外侧，测试元件组设置于显示面板的布线区域，引线穿过封框胶电连接测试电极和测试元件组，测试电极包括：第一电极和第二电极，引线包括：第一引线和第二引线；测试元件组包括：第一透明电极图案、第二透明电极图案以及绝缘结构第一电极通过第一引线电连接第一透明电极图案，第二电极通过第二引线电连接第二透明电极图案。本发明的实施例用于显示器的制造。
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公开(公告)号：CN103545379B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310547551.5
申请日：2013-11-06
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，另外还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。通过在栅电极的底部形成栅电极金属层之前预先沉积一层修正电极，增加修正电极层这样一层垫片结构，能够保证光刻胶涂覆之后未曝光之前，光刻胶的表面是一个平面，使得曝光显影之后非薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度与薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度的差值减小了透明电极的厚度，缩小两者的厚度差异，避免薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶偏薄的现象，保证沟道内所有光刻胶厚度的均匀性，降低薄膜晶体管沟道弯曲处开路发生的概率。同时还提供了基于上述薄膜晶体管的像素单元和阵列基板，及基于该阵列基板的显示装置。
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公开(公告)号：CN105185740A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510369478.6
申请日：2015-06-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/124 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L27/1259 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，所述制备方法包括：在衬底基板上形成第一导电图形、第二导电图形和金属连接线，所述金属连接线连接所述第一导电图形和所述第二导电图形；对所述金属连接线进行刻蚀，以使所述第一导电图形和所述第二导电图形相互绝缘。本发明提供的金属连接线连接第一导电图形和第二导电图形，以平衡工艺过程中第一导电图形和第二导电图形之间的电势差，从而降低工艺过程中静电释放现象的发生概率，提高产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105093812A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510491131.9
申请日：2015-08-11
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种阵列基板母板及其制作方法、掩膜板，该掩膜板，其上设置有至少一个第一曝光区，每一个所述第一曝光区对应于阵列基板母板上的一个阵列基板，所述掩膜板上还设置有第二曝光区，所述第二曝光区用于在所述阵列基板母板上形成所述阵列基板的标识码。本发明提供的掩膜板，通过在其上增设用于制作标识码的第二曝光区，使得在阵列基板母板上制作标识码的工艺可以与阵列基板的制作工艺同时进行，从而能够大大减少阵列基板母板的制作时间，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105070684A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510424976.6
申请日：2015-07-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/134372 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L29/66765 , H01L27/1259 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板在制备时出现漏极下方出现悬空的问题。本发明的阵列基板的制备方法包括：形成像素电极的图形，薄膜晶体管的栅极的图形；形成栅极绝缘层；通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层，以及形成在有源层上的源极和漏极的图形；形成钝化层，并通过构图工艺形成包括贯穿栅极绝缘层和/或钝化层的主过孔的图形；同时还形成包括位于漏极的部分区域下方的主过孔延伸部的图形；主过孔与主过孔延伸部贯通；去除与过孔延伸部位置对应的漏极金属，形成包括过孔的图形；形成包括连接电极和公共电极的图形；其中，连接电极通过过孔将漏极与像素电极电性连接。
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公开(公告)号：CN104932160A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510369473.3
申请日：2015-06-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/136209
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决阵列基板在加热烘烤工艺处理时，阵列基板的有机绝缘膜在过孔处发生流动的问题。所述阵列基板，包括衬底基板及之上的栅极金属层、栅极绝缘层、源漏电极层和有机绝缘膜层；所述栅极金属层包括多个过孔垫环；所述栅极绝缘层形成有与所述过孔垫环对应的第一环状凸起；所述源漏电极层形成有多个导电电极，所述导电电极位于所述过孔垫环的上方，并具有与所述过孔垫环对应的第二环状凸起；所述有机绝缘膜层形成有与所述导电电极位置对应的连接孔；其中，所述有机绝缘膜层覆盖所述第二环状凸起，且所述连接孔在所述衬底基板上的投影落于所述过孔垫环在所述衬底基板上的投影之内。
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公开(公告)号：CN104820304A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510278609.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1309
Abstract: 本发明的实施例提供一种液晶特性测试装置和测试方法以及显示面板及其制造方法，属于显示器技术领域，用于使液晶显示设备内的液晶特性测试更加准确，该液晶特性测试装置包括：测试电极、引线和测试元件组，测试电极设置于显示面板的封框胶外侧，测试元件组设置于显示面板的布线区域，引线穿过封框胶电连接测试电极和测试元件组，测试电极包括：第一电极和第二电极，引线包括：第一引线和第二引线；测试元件组包括：第一透明电极图案、第二透明电极图案以及绝缘结构第一电极通过第一引线电连接第一透明电极图案，第二电极通过第二引线电连接第二透明电极图案。本发明的实施例用于显示器的制造。
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公开(公告)号：CN104779258A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510181256.1
申请日：2015-04-16
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
CPC classification number: H01L27/1222 , G02F2001/134372 , H01L21/0274 , H01L21/3065 , H01L21/32139 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有第一透明电极、第二透明电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述第一透明电极的一端形成在所述有源层上方，所述薄膜晶体管的漏极设置在所述第一透明电极上，以与所述第一透明电极电连接。本发明还提供一种阵列基板的制造方法和一种显示装置。由于第一透明电极设置在漏极的下方，因此，第一透明电极上形成的台阶厚度变小，从而在形成第一透明电极的过程中不会发生断路现象。
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