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公开(公告)号：CN116300134A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310057662.1
申请日：2023-01-18
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种基于二元纳米光栅的2D/3D可切换立体显示装置，包括：偏振可控光源、光线准直器、像素阵列光调制器和二元纳米光栅相位调制板；从偏振可控光源中出射的光源经过光线准直器进行准直，从光线准直器中出射的准直光经过像素阵列光调制器，进入二元纳米光栅相位调制板；当TM光开启，TE光关闭时，二元纳米光栅对TM光不产生偏折，像素阵列光调制器提供平面图像，实现2D显示；当TE光开启，TM光关闭时，二元纳米光栅对TE光产生光线偏折，通过二元纳米光栅周期、高度、深宽比调控TE光光线的相位，进而调控光线的偏折角度和汇聚位置，实现3D显示。该器件结构简单，裸眼3D显示视场角宽，亮度大，切换简便快速。
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公开(公告)号：CN111834420B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010535434.7
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种半导体混合型全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括衬底、第一接触电极以及设置于衬底上且沿横向方向分布的用于显示蓝光的B单元、用于显示绿光的G单元和用于显示红光的R单元。在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和B单元、G单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，以驱动B单元与G单元激发出蓝光和绿光；在R单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出红光，从而实现全彩化显示。本发明能够采用小功率输入信号来驱动发光芯片发光，实现半导体混合型全彩化显示。
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公开(公告)号：CN112817213B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110106957.4
申请日：2021-01-27
IPC: G03F7/20 , G09F9/33 , G09F9/302 , H01L21/67 , H01L25/00 , H01L25/16 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/56
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED制备系统，包括显影机、刻蚀机、光源模组，还包括在光源模组发光方向上顺序设置的掩膜版和覆有光刻胶的阵列基板；光源模组包括四组光源，每组光源对应显示像素内的一个子像素结构，掩膜版包括多个透光区，每个透光区的中心在阵列基板上的投影均位于与该透光区相对应的子像素结构的中心；当对光刻胶曝光时，四组光源同时透过掩膜版透光区对子像素结构处的光刻胶进行曝光，各组光源的曝光光照强度、曝光光照时长根据与该光源对应的子像素结构需填充的量子点胶体体积决定；显影机、刻蚀机对曝光后的阵列基板进行后续加工以使储液槽成型；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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公开(公告)号：CN115663102A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210318911.3
申请日：2022-03-29
Applicant: 晋江市博感电子科技有限公司 , 闽都创新实验室
Abstract: 本发明涉及一种高强度芯片键合结构，包括用于连接n层芯片的连接结构，n≥2，所述连接结构由多组金属墙和多个金属电极组成，一组金属墙由对应于n层芯片的n个金属墙键合连接得到，以实现芯片之间的键合连接；不同层的芯片上的电极分别与一个金属电极电性连接，两个金属电极同时与同一组金属墙电性连接，以经由金属墙实现芯片之间的电性连接。该结构键合连接可靠，电性连接好，且使用寿命长。
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公开(公告)号：CN115629289A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211134343.8
申请日：2022-09-19
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州市福大微纳显示科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提出一种LED芯片电致发光高速检测系统，核心组件为履带状导电模块，履带状导电模块由两个完全一致的带齿圈柱状主动轮和一个宽度与主动轮的高度相等的能与主动轮啮合的柔性导电链环构成，履带状导电模块平置于待测LED芯片阵列表面，履带状导电模块的主动轮圆柱轴与待测LED芯片阵列平行，使履带状导电模块与待测LED芯片阵列以最大接触面积接触，在检测过程中，履带状导电模块的柔性导电链环能大面积接触待测LED芯片阵列，使多个LED芯片产生电致发光现象，无需频繁地进行垂直方向的移动，可以有效提高检测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113436806B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110519898.3
申请日：2021-05-13
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
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公开(公告)号：CN112381116B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202011134658.3
申请日：2020-10-21
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于对比学习的自监督图像分类方法，包括以下步骤:步骤S1:获取无标签数据，并进行随机增强生成不同视图；步骤S2:对视图进行特征提取，无监督对比计算损失,得到无监督分类模型C1；步骤S3:对无标签数据中部分进行人工标注，作为训练验证集；步骤S4:将C1作为预训练模型，根据训练验证集进行微调；步骤S5:提取训练验证集的特征，有监督对比计算损失,得到C2；步骤S6:根据C2对无标签数据预测标签，并筛选置信度高于预设值的数据作为训练样本；步骤S7:基于训练样本，将C2作为预训练模型，选取小网络进行训练微调，将验证输出准确率最高的作为最佳分类模型C3。本发明能够有效利用无标签数据训练泛化的图像分类模型，解决多类图像分类问题。
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公开(公告)号：CN112799158B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110106862.2
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于光波导的类谐振腔光提取结构，用于提升光源的光出射效率，所述类谐振腔光提取结构包括设于光出射面处的透光衬底；所述透光衬底处周期性地设有多个波纹结构；所述波纹结构的受光面与透光的波导阵列相邻；所述波导阵列嵌于透光衬底处，波导阵列包括多个设于波纹结构的波峰后方的凸形透光结构；当光线在波纹结构的波峰处产生反射时，反射光线的部分或全部可再次被凸形透光结构反射回波纹结构；本发明能提升OLED的光出射效率。
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公开(公告)号：CN114203864A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111216718.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种新型多功能发光三极管器件的制备方法，其在发光三极管器件的外延层生长过程中，采用多次外延生长，每次外延时通过制备介质层和湿法腐蚀的方式控制器件结构；其中，制备介质层用于控制下一次外延生长的有效区域；湿法腐蚀则用于去除介质层。工艺包括了半导体光刻、半导体外延、湿法腐蚀，通过光刻制备掩膜层、在掩膜层外区域制备介质层、去除掩膜层等制备半导体层的步骤。与现有技术相比，本发明方案解决了光刻工艺中难以保证的精度问题，减小了器件制备的难度，节约了制作成本，对于提高器件制备效率具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113884472A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111059987.0
申请日：2021-09-10
Abstract: 本发明涉及一种基于发光颜色判读的湿度探测器，包括激发光源层以及钙钛矿量子点叠层；所述激发光源层由可激发钙钛矿叠层的电致发光源组成；所述钙钛矿量子点叠层由对环境湿度敏感度有差异的钙钛矿量子点层叠组成，其中下方的钙钛矿量子点层材料不能激发上方的钙钛矿量子点层材料，不同层的钙钛矿量子点材料均可被底部的激发光源发出的光激发，并且在出射过程中混色。本发明实现根据发光颜色判读的湿度探测。
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