公开(公告)号：CN1181557C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN99803261.1

申请日：1999-02-05

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 理查德·亨利·弗兰德 ,  卡尔·皮什勒 ,  汤田坂一夫

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L27/3272 ,  H01L51/5284

Abstract: 一种有机发光器件，包括：一个透明盖片(22)；一个位于该盖片后的有机发光材料区(24)；一个位于该盖片后的用于调整流向该有机发光材料的电流的电路区域(14)；和一个位于该盖片和该电路之间的不透光层(10)。

公开(公告)号：CN1541781A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410035379.6

申请日：2004-04-22

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: B05C5/02 ,  B05C11/00 ,  B05C11/10 ,  B05C9/14 ,  B05C9/12 ,  B05C9/10 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  Y10T29/41

Abstract: 一种在涂敷室中的衬底上涂敷液体原料的涂敷设备。供给液体原料的第一液体供给系统设置在涂敷室。第二液体供给系统设置在第一液体供给系统中，第一液体系统供给液体，所述液体清除残留在涂敷室和/或第一液体供给系统中的液体原料或去除所述液体原料的活性。提供了一种涂敷设备、一种薄膜形成方法、一种电光装置和一种电子仪器，它们能够获得具有极少缺陷和高度再生产性的高性能的薄膜，并允许有效和安全地进行设备的保养，以及能够以低成本制造薄膜。

公开(公告)号：CN1300445A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800465.X

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 古沢昌宏 ,  关俊一 ,  宫下悟 ,  下田达也 ,  汤田坂一夫 ,  松木安生 ,  竹内安正

IPC: H01L31/042 ,  H01L21/208

Abstract: 太阳能电池的制造方法,所说的太阳能电池在其一对电极之间具有一种由至少两层杂质浓度和/或种类不同的半导体薄膜组成的积层结构,其特征在于,其中的至少一层半导体薄膜的形成包括下述工序:把含有硅化合物的液体涂料组合物涂布于基板上以形成涂膜的工序、接着对该涂膜进行热处理和/或光处理以获得硅膜的工序。

公开(公告)号：CN1297582A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800437.4

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫 ,  下田达也 ,  关俊一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/208 ,  H01L21/316 ,  H01L21/288 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要方法,采用先向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,再对该涂敷膜进行热处理的办法,形成所希望的薄膜。所以可以用低价格的装置用低价格制造薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1297577A

公开(公告)日：2001-05-30

申请号：CN00800439.0

申请日：2000-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  捷时雅株式会社

Inventor： 下田达也 ,  宫下悟 ,  关俊一 ,  古泽昌宏 ,  汤田坂一夫 ,  竹内安正 ,  松木安生

IPC: H01L21/208 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/06 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675

Abstract: 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。

公开(公告)号：CN1242855A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN98801519.6

申请日：1998-08-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 汤田坂一夫

IPC: G09F9/30 ,  H01L33/00 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3246 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0223 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明以提供一种在有机半导体膜的周边形成厚的绝缘膜从而抑制寄生电容等并且在绝缘膜的上层形成的对置电极中不发生断裂的有源矩阵型显示装置为目的,在有源矩阵型显示装置(1)中,首先,通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置由抗蚀剂膜构成的堤层(bank),在该堤层(bank)的上层侧层叠薄膜发光元件(40)的对置电极(op),抑制了寄生于数据线(sig)上的电容。此外,在堤层(bank)中形成中断部分(off)。由于该中断部分(off)是没有起因于堤层(bank)的大的台阶差的平坦部分,故在该部分中对置电极(op)不会断裂。在利用喷射法形成有机半导体膜(43)时用堤层(bank)拦住从喷射头喷出的液状的材料。

公开(公告)号：CN1233929A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99103116.4

申请日：1999-02-23

Applicant: 剑桥显示技术有限公司 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 里查德·汉里·弗莱德 ,  卡尔·罗伯特·塔恩斯 ,  朱里安·卡靳斯·卡特 ,  斯蒂芬·卡尔·黑斯 ,  赫曼·福里克斯·威特曼 ,  卡尔·皮克勒 ,  汤田坂一夫

IPC: H05B33/14 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5215

Abstract: 一种形成显示装置的方法,包括:在衬底上沉积薄膜晶体管开关电路;通过喷墨印刷沉积与薄膜晶体管电路的输出电接触的透光导电有机材料的电极层;和在电极层上沉积该装置的有源区域。