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公开(公告)号：CN102157343A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010567311.8
申请日：2010-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种采用梯形束斑扫描的激光退火装置和方法。该梯形束斑采用两块独立控制移动的挡板来得到。当梯形束斑的激光光束对晶圆片进行扫描退火时，两次梯形束斑边缘按c＝(a-b)/2重叠，使相邻的两扫描行相互重叠补偿，从而可以将传统逐行扫描过程中，行与行之间的过扫描和欠扫描所引起的不均匀性大幅度地降低，提高光束扫描作用的均匀性。本发明方案更加简便高效，在提高激光退火的片内均匀性的同时，可大幅度降低系统的实现成本，而且并不对片台或者激光束扫描运行的机械系统提过高的要求。
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公开(公告)号：CN102064086A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010514994.0
申请日：2010-10-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种用在半导体晶圆片激光热处理中的分区辅助加热片台和分区加热方法。在激光热处理装置中将加热片台划分为不同的加热区域，在不同的单元区域之间由隔热材料隔离，不同的加热区域下方，各自配置独立控制加热功率的加热器，形成各区域独立控制加热温度；在激光光束热处理的高温区域和低温的衬底预加热区域之间，引入了额外的次高温缓冲区。本发明有效地改善了片上的温度分布梯度，相对于全片均匀性的辅助加热，更为有效地减小热应力所带来的不良影响，提供更好的激光热处理的效果。在整个激光热处理过程中的热耗散总量显著地降低，不仅节约了能源，也同时降低了整机热隔离设计和实现的难度。
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公开(公告)号：CN102034684A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010517727.9
申请日：2010-10-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种半导体晶圆片内形成多梯度温度场的激光退火装置和方法。该装置退火激光光源，退火激光光束处理系统，辅助性加热的光源和带辅助性加热的可移动载片台。加工方法是将待退火的圆片放置于承片台上，退火激光光束进行扫描加热；承片台和辅助加热光束同时作用到衬底圆片的表面，对衬底圆片表面进行预加热，起缓冲作用的次高温温度场，从而引入片内多梯度温度场，这样可以改善退火激光所造成的高温和较大的热应力，对于退火效果及圆片表面形貌的不良影响。在另一方面，由于预加热由多个热源单元分担和协同完成，每个单元各自的实现难度大幅降低，整机运行稳定可靠，工艺操控更加灵活方便。
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公开(公告)号：CN101409228A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810227378.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 中电华清微电子工程中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖及其密封阀门，还包括固定有石英片托的机械手及驱动机构；在双层石英腔外还设置有可移动热挡板，该热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。本发明可使半导体片迅速升降温，实现真正的尖峰退火。该热处理腔加热半导体片温度均匀、范围宽，加热半导体片升温速率和降温速率快，半导体片尺寸任意大小，生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100356585C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510012184.4
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非易失存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN100346938C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510086475.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN1740384A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510086476.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/00
Abstract: 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力源的马达(自带或附加减速器)、与该马达相连接的密封磁扭力传输组件，带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构，因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN1710722A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510012184.4
申请日：2005-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
Abstract: 纵向量子点－浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是，在衬底上方还有一层SiGe量子点，多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含：在Si衬底上制备SiGe量子点；在SiGe量子点上外延生长硅薄膜；干氧氧化，在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑；在氧化层上淀积多晶硅浮栅，形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时，该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非挥发存储器，可在不减小氧化层厚度时降低工作电压，从而降低隧穿氧化层的平均电场，提高了存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN112259599A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011132090.1
申请日：2020-10-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/18
Abstract: 本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构，正面结构和背面结构实现在两片硅片上，两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件，两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构,接触面结构由金属接触层和终端结构组成，金属接触层位于中间位置，终端结构设于金属接触层四周对所述金属接触层进行保护。本发明提供了一种采用键合方式制作的IGBT器件及其制作方法，在将要键合的两片硅片上，分别制作终端结构和金属接触层，其中终端结构可以抑制漏电流和提高器件耐压，而两层金属层接触相接触，能够构成较好的键合，主要的空穴‑电子复合可以发生在此处，能够克服前述器件性能不佳的问题。
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