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公开(公告)号：CN101425443B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710124243.6
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J29/862 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , H01J2329/86
Abstract: 本发明涉及一种场发射像素管，其包括一壳体以及置于壳体内的一阴极，一荧光粉层和一阳极。该阴极与阳极间隔设置，其中，该阴极包括一阴极支撑体与一阴极发射体，该阴极发射体一端与阴极支撑体电性连接；该阳极包括一端面，且所述荧光粉层设置在该阳极端面上。
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公开(公告)号：CN101286385B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710073893.2
申请日：2007-04-11
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01B11/1817 , H01B11/1066
Abstract: 本发明涉及电磁屏蔽线缆，包括至少一个缆芯、包覆在缆芯外的至少一个绝缘介质层、至少一个电磁屏蔽层和外护套，其中，电磁屏蔽层包含多个碳纳米管绳。
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公开(公告)号：CN101086939B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610061093.4
申请日：2006-06-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , D02G3/12 , D02G3/16 , D02G3/441 , D10B2101/122 , H01J29/481 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件，其包括至少一碳纳米管场发射线材及至少一金属支撑体线材，该碳纳米管场发射线材和该金属支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管场发射线材与至少一金属支撑体线材；用纺线工艺将该碳纳米管场发射线材与该金属支撑体线材相互缠绕形成多股绞线结构；按照预定长度切割该碳纳米管场发射线材与该金属支撑体线材相互缠绕形成的多股绞线，形成场发射元件。
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公开(公告)号：CN101656769A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200810142021.1
申请日：2008-08-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H04M1/0266 , H04M2250/22
Abstract: 一种移动电话，包括：一本体；该本体上设置有一显示屏，该本体进一步包括一通话系统设置于本体内部；以及一触摸屏，该触摸屏设置于所述显示屏表面，该触摸屏包括至少一透明导电层；其中，所述触摸屏中的透明导电层为一碳纳米管层。
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公开(公告)号：CN100583354C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200610061558.6
申请日：2006-07-07
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管丝阴极体的制造方法，其包括以下步骤：提供一根碳纳米管丝；由该碳纳米管丝得到若干段碳纳米管丝；将一段碳纳米管丝粘在金属丝的一端；将该段碳纳米管丝置于火焰中燃烧，得到一个碳纳米管丝阴极体。利用此方法制造得到的碳纳米管丝阴极体的长度和端部形貌具有较好的一致性，其场发射性能也比较一致，能够批量制造性能一致的碳纳米管丝阴极体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101626674A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810068460.2
申请日：2008-07-11
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H05K7/20 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/373 , F28F3/022 , F28F2013/006 , H01L23/3677 , H01L2924/0002 , Y10T29/4935 , Y10T428/25 , H01L2924/00
Abstract: 一种散热结构，该散热结构固定设置于一发热元件表面，其中，该散热结构包括一图形化的碳纳米管阵列与一固定层，该散热结构通过该固定层固定于该发热元件上。一种散热结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一发热元件，该发热元件具有一表面；设置一熔融态固定层于发热元件的表面；制备一碳纳米管阵列形成于一基底，该碳纳米管阵列具有一第一端及与第一端相对的第二端，第二端与基底连接；将上述碳纳米管阵列的第一端插入该固定层中，冷却该固定层至其凝固；除去碳纳米管阵列的基底；以及将碳纳米管阵列图形化，在发热元件的表面上形成一散热结构。
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公开(公告)号：CN101625946A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810068374.1
申请日：2008-07-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J29/467 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0232 , H01J2203/0236 , H01J2329/0455 , H01J2329/463 , H01J2329/4634
Abstract: 一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；以及多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内；其中，每个电子发射单元中包括两个相对设置的电子发射体，该两个电子发射体分别与第一电极和第二电极电连接，每个电子发射体包括一碳纳米管阵列片断。
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公开(公告)号：CN101609773A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810067909.3
申请日：2008-06-18
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/26
CPC classification number: H01J5/24 , H01J29/862 , H01J29/94 , H01J2211/48 , H01J2211/54 , H01J2329/867 , H01J2329/941
Abstract: 一种真空器件的封接方法，其包括以下步骤：提供一预封接器件，所述预封接器件包括一壳体以及一排气孔设置于该壳体上；制备一密封件，并对该密封件进行真空熔炼处理；将所述密封件设置于预封接器件的排气孔上，并对预封接器件进行抽真空处理；通过密封件对预封接器件的排气孔进行封接，形成一封接好的真空器件。
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公开(公告)号：CN101587808A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200810067428.2
申请日：2008-05-23
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/26
Abstract: 一种真空器件的封接装置，其包括：一真空室；一前容置室与一后容置室分别通过第一闸门与第二闸门与该真空室两端相连通；一抽真空系统分别与该前容置室、后容置室以及真空室相连通；至少一运输装置，可于前容置室、真空室以及后容置室之间运动；其中，该真空器件的封接装置进一步包括：一装有多个密封件的外置容器设置于所述真空室上方，该外置容器通过一输入管道与真空室相连通，所述输入管道上设有控制部件；一第一加热装置设置于输入管道与第二闸门之间的真空室内壁上。
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