公开(公告)号：CN103594500A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310632268.2

申请日：2013-12-02

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 ,  清华大学

Inventor： 周伟 ,  张伟 ,  严利人 ,  刘志弘 ,  付军 ,  周卫 ,  王全

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。

公开(公告)号：CN103000679A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210558553.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管包括衬底、硅埋层集电区、硅外延层、硅集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、单晶发射区、发射区-基区隔离介质区、多晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括多晶硅层、多晶硅侧墙和Si/SiGe/Si多晶层。本发明低电阻多晶连接基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持了现有技术所具有的较低CBC这一优点的同时进一步减小了RB，从而能够进一步优化器件性能。

公开(公告)号：CN102790079A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210161189.3

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/737 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。

公开(公告)号：CN102683401A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210160790.0

申请日：2012-05-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、单晶锗硅外延基区、多晶锗硅基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅抬升外基区、外基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法降低了基极电阻RB，工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN102339865A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110308925.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  付军 ,  王玉东 ,  刘志弘 ,  张伟

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种带有应变增强结构的半导体应变MOS器件及制备工艺。在MOS器件源漏接触区两侧制作开槽结构，阻断或者减弱来自源漏两侧的对沟道区的作用，排除了沟道两侧材料对于沟道区的影响，从而使得器件沟道区只受应变帽层的应力作用，使得应力作用的效果做到最大化，而提升器件的性能。

公开(公告)号：CN102280482A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110220539.4

申请日：2011-08-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  吴正立 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  许平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上包括2层或3层的法拉第屏蔽结构层与侧向扩散区上表面的距离增加。一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法，淀积法拉第屏蔽结构层的同时淀积了连接源区和高掺杂低阻区的金属层和/或漏区金属层，退火后形成金属硅化物。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件降低了源区和/或漏区电阻，降低了器件的栅源电容。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法提高了性能，简化了工艺。

公开(公告)号：CN101359682A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810222241.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  徐阳 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。

公开(公告)号：CN118841442A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411187051.X

申请日：2024-08-27

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 ,  清华大学

Inventor： 付军 ,  赵悦 ,  郑凯 ,  周亦康

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够使锗硅异质结双极晶体管露出多晶硅外基区部分侧壁从而为后续与锗硅外延内基区同步生长的锗硅连接基区腾出必要空间，并实现能够有效改善器件性能的凹陷锗硅连接基区或者凹陷多晶硅外基区结构，且本申请提供的锗硅异质结双极晶体管可以采用工艺难度和复杂度相对较低的工艺步骤制造，规避了现有技术中采用的很难控制的利用底部狭缝“掏底”各向同性腐蚀氮化硅侧墙的工艺步骤，从而可以有效改善相关集成电路工艺生产的重复性、均匀性、可控性以及可生产性。

公开(公告)号：CN116050325A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310032024.4

申请日：2023-01-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢双文 ,  付军

IPC: G06F30/3323

Abstract: 本申请提供一种基于两步等效的片上非等宽螺旋电感的电感值确定方法，包括：将片上非等宽螺旋电感初步等效为相等圈数的正多边形非等宽共心闭合金属；根据初步等效的正多边形非等宽共心闭合金属确定总共电感值计算项数，并根据多个无耦合关系的正多边形闭合金属对初步等效的正多边形非等宽共心闭合金属进行二次平均等效，二次平均等效的正多边形闭合金属的个数等于初步等效的总共电感值计算项数；计算二次平均等效的每个正多边形闭合金属的单电感值，并对所述单电感值直接乘以二次平均等效的正多边形闭合金属的个数，从而确定所述片上非等宽螺旋电感的总电感值。本申请通过两步等效，极大地简化了片上非等宽螺旋电感的复杂耦合计算关系。

公开(公告)号：CN115270047A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202211023573.7

申请日：2022-08-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 谢双文 ,  付军

IPC: G06F17/10 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明提供一种片上螺旋电感计算方法及装置，涉及射频电路设计技术领域。所述方法包括：对片上螺旋电感进行等效处理，得到相等圈数的正多边形闭合共心金属导体，根据片上螺旋电感的螺旋版图参数和金属相关信息确定正多边形闭合共心金属导体相关参数；根据所述正多边形闭合共心金属导体相关参数和所述金属相关信息确定等效后各圈金属的中心直径，以及等效后各圈金属之间的中心间距，并根据预设对应关系确定与所述正多边形闭合共心金属导体的边数相对应的电感计算相关系数；构建电感矩阵，并根据所述电感矩阵中的各矩阵元素计算所述片上螺旋电感。本发明实施例提供的片上螺旋电感计算装置，能够方便和准确地计算片上螺旋电感。