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公开(公告)号：CN118215195A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211573970.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供一种互联走线中的匹配结构，结构包括：介质层、导电层、接地线和信号线，导电层中设置至少4层接地层和1层走线层，4层接地层包括顶层导电层、底层导电层和2层避让导电层，走线层中设置带状线，避让导电层和走线层中设置使带状线、信号线均与其同层的导电层隔开的避让空间，走线层相邻的一个避让导电层设置匹配结构，使匹配结构所在的避让导电层上的位于带状线两侧的避让空间之间形成导电连接。本发明通过在带状线导电结构下方设置接地的导电的匹配结构，在保证传输匹配效果的条件下，大大降低了实现特性阻抗匹配对工艺的尺寸要求，同时降低了互联走线中匹配结构的加工难度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118152783A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410557836.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F18/213
Abstract: 本发明提供一种Switch HEMT小信号模型、参数提取方法及存储介质，其中模型包括本征单元和寄生单元，所述本征单元包括漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构，所述漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构三者并联；所述第一连接结构包括串联连接的栅源本征电容Cgs和栅漏Cgd本征电容。基于本发明的Switch HEMT小信号模型可以提高Switch HEMT器件的小信号模型提取精度和提取效率。
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公开(公告)号：CN117155488A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311125044.2
申请日：2023-09-01
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提供一种基于口面场的相控阵自动校准方法、介质及电子设备。所述校准方法包括：获取配置信息，所述配置信息包括所述相控阵中频点的目标幅度、目标相位和所述相控阵子阵的通道坐标，所述子阵的各通道包括若干所述频点；获取所述频点的第一待校准幅度和第一待校准相位，所述第一待校准幅度和所述第一待校准相位与所述子阵通道坐标相关；基于预设的衰减步进、所述第一待校准幅度、所述目标幅度、预设的移相步进、所述第一待校准相位和所述目标相位获取所述频点的移相码和衰减码。所述校准方法能够实现对所述相控阵中频点的幅度和相位进行自动校准，从而提高频点的幅度和相位的校准效率，提高在相控阵的校准场景中的应用性。
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公开(公告)号：CN116093570A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211523105.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明提供一种共面波导90度圆弧拐角结构，采用非对称共面波导缝隙尺寸，通过增加金属信号线拐角外侧的共面波导缝隙尺寸，抵消弯曲段不连续处的寄生电容，使金属信号线弯曲半径不受3倍线宽限制，仅需与共面波导90度削角拐角结构相同的面积占用即可实现超宽带阻抗匹配；在金属信号线的外侧第二顶金属地层突变处引入过渡连接区，可进一步减弱拐角结构在弯曲段的不连续性，提升超宽带匹配性能；且该结构无需减小金属信号线弯曲段不连续处的金属面积，不会造成拐角结构过功率能力的恶化。
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公开(公告)号：CN111293078B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010186930.6
申请日：2020-03-17
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种转接板正反两面空腔嵌入芯片的方法，包括：转接板采用具有双SOI层的硅片，制作硅通孔，该硅通孔穿过第一层SOI层停在第二层SOI层，得到带有硅通孔的硅片，之后电镀金属填充硅通孔，得到金属填充后的硅片；然后在硅通孔开口面刻蚀凹槽，腐蚀凹槽中金属柱，正反两面形成空腔，得到双面带凹槽的转接板；嵌入带有焊锡的芯片，然后在该表面制作RDL互联层，继续刻蚀第二SOI层，使得填充硅通孔内的金属柱一端露出，把带有焊锡球的芯片嵌入，填充胶体固化，去除表面胶体。本发明通过制作一种转接板，正反两面都做凹槽，然后把芯片嵌入到凹槽中，实现一个转接板正反两面嵌入芯片的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114265023A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111287599.8
申请日：2021-11-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明为一种基于FPGA的射频开关和TR组件控制系统和方法，其中控制系统包括机箱壳体、显示器部件、输出接口、按钮模块、JTAG接口、串口通信接口以及射频开关接口；其中显示器部件设置于机箱壳体上的镂空部位，显示器部件与机箱壳体相匹配；机箱壳体上还设置有输出接口、按钮模块、JTAG接口、串口通信接口以及射频开关接口；输出接口用于向外接的设备输出控制信号；射频开关接口通过射频电缆外接有单个开关或者组合开关；JTAG接口以及串口通信接口用于连接外接的上位机；通过设置射频开关接口与FPGA主控模块连接，FPGA主控模块还与按钮模块以及上位机连接，实现射频开关切换，选择对应的测试通道以及测试设备，实现高效简单的TR组件测试。
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公开(公告)号：CN113256720A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110620460.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种同时检测SAR图像船只及其尾迹的方法，包括：对原始SAR图像进行预处理，增强尾迹边缘特征；对预处理后图像利用Itti视觉注意模型生成图像的亮度显著图；对亮度显著图进行二值化处理，对二值化图像进行形态学处理筛选船只及尾迹特征，滤除稀疏离散的像素点，得到的连通区域为船只与尾迹的检测结果；对每个连通区域做外接矩形，将矩形框标注在原始SAR图像上，得到船只与尾迹的标注结果。本发明提供的方法通过对SAR图像进行Itti亮度特征显著性提取，利用视觉显著性从SAR图像中判断像素或区域引起视觉注意的能力，增强了船只及其尾迹的特征，提高了检测概率同时降低了虚警概率，能够同时检测船只及其尾迹，并能够适应非直线尾迹特征情况。
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公开(公告)号：CN111584347B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010477741.4
申请日：2020-05-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的GaN‑Si异质外延结构及制备方法，在Si基底中形成凹槽，并在凹槽底部形成局部SOI衬底，从而通过局部SOI衬底可吸收GaN层外延过程中产生的应力，降低AlxGa1‑xN过渡层的厚度，减少生长工艺时间，降低工艺成本，且提高导热性能，同时局部SOI埋氧层，可提高GaN器件的击穿电压，且可减少RF应用时的损耗及串扰；通过覆盖凹槽侧壁的绝缘侧墙，可有效隔离外延生长的GaN层，降低工艺难度；在Si基底的凹槽中，进行区域选择性外延生长GaN层，可降低工艺难度；从而本发明可在大尺寸的Si基底上异质外延均匀的、高质量的GaN层。
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公开(公告)号：CN113077514A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110620462.3
申请日：2021-06-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种SAR图像船只弱尾迹增强与检测方法，包括：对原始SAR图像进行预处理，抑制图像相干斑噪声，将图像中的强点目标替换为海洋背景，增强尾迹边缘特征；对预处理后图像进行Gabor滤波变换，通过多角度多尺度滤波器进行滤波处理，增强纹理特征，获取一簇滤波后图像，在滤波后图像的相位域进行二值化处理；对二值化图像进行形态学处理筛选潜在尾迹特征，剔除非尾迹连通区域；对形态学处理后的二值化图像进行Hough变换，在Hough变换域中检测直线尾迹特征，剔除海浪纹理，并提取尾迹参数及将尾迹检测结果标注到原始SAR图像上。本发明通过对SAR图像进行Gabor滤波，利用Gabor滤波器对直线纹理敏感的特性，增强了船只的弱尾迹特征，从而提高了尾迹的检测概率。
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公开(公告)号：CN111584628B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010469012.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种增强型GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：依次层叠的半导体衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1‑xN势垒层及AlyGa1‑yN势垒补充层；形成于AlxGa1‑xN势垒层上的栅电极，形成于AlyGa1‑yN势垒补充层上且分居于栅电极的两端的源电极及漏电极；栅电极包括形成于AlxGa1‑xN势垒层上的p‑GaN栅电极、包覆p‑GaN栅电极的高k介质层及环绕高k介质层上表面及两个侧面的金属栅电极，其中，0.2
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